半導体装置の製造方法
【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面10に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部32を形成し、前記半導体ウェハ表面10の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部32を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【解決手段】絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面10に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部32を形成し、前記半導体ウェハ表面10の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部32を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウェハレベルCSPと称される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のウェハレベルCSPには、応力を緩和する機能を有したものがある。ここで、ウェハレベルCSPとは、ウェハ表面で絶縁膜、再配線および端子などを形成した後、ダイシングすることよって個々の半導体装置が得られるCSP(チップサイズパッケージ)の総称である。個々に分割されたウェハレベルCSPは、基板の表面に直接、実装される。そのため、ウェハレベルCSPの端子に熱応力が集中し易い。これは、ウェハと基板の線熱膨張係数がそれぞれ異なるためである。特に半導体装置のサイズが大きくなると、端子に大きな熱応力が発生し易い。そこで、ウェハと端子の間に応力緩和層を形成する方法が考案された(特許文献1参照)。これによって、ウェハと基板との線熱膨張係数の差によって生じる熱応力を応力緩和層で吸収することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第3947043号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置に応力緩和層を設ける場合、図17に示すように、チップ電極と外部電極を接続するための再配線を傾斜部52にも形成する必要がある。そのため、応力緩和層の傾斜部に外部電極を配置できないなど、外部電極の配置に制約があった。また、傾斜部の傾斜角αを大きくすると、傾斜部に再配線を形成することが困難になるなどの問題があった。本発明では、応力緩和機能を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は以下の通りである。
絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【0006】
本発明では、絶縁樹脂層に傾斜部を設けることなく、チップパッドと外部電極を接続することができる。そのため、外部電極の配置の自由度が増す。これによって、外部電極数の増加に対応可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。また、絶縁樹脂層の一部を開口してチップパッドを露出させる際、開口部のアスペクトが高くても確実に導通を確保できる。そのため、歩留りが高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明に係る半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの一部分を示す断面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの表面に絶縁樹脂層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の製造方法において、絶縁樹脂層の一部を開口して、チップパッド(第1電極)を露出した後の構造を示す断面図である。
【図4】本発明に係る半導体装置の製造方法において、絶縁樹脂層の表面にめっき用のシード層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図5】本発明に係る半導体装置の製造方法において、シード層の表面にめっき用のレジストを形成した後の構造を示す断面図である。
【図6】本発明に係る半導体装置の製造方法において、シード層の表面にめっきし再配線層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図7】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき用のレジストを除去した後の構造を示す断面図である。
【図8】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっきした部分以外のシード層を除去した後の構造を示す断面図である。
【図9】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線層の表面に再配線保護層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図10】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線保護層の一部を開口して、チップパッド及びバンプパッドを露出した後の構造を示す断面図である。
【図11】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線保護層の表面にバリア層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図12】本発明に係る半導体装置の製造方法において、バリア層の表面にめっき用のレジストを形成した後の構造を示す断面図である。
【図13】本発明に係る半導体装置の製造方法において、チップパッド及びバンプパッドの表面にめっき層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図14】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき用のレジストを除去した後の構造を示す断面図である。
【図15】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっきした部分以外のバリア層を除去した後の構造を示す断面図である。
【図16】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき層を溶融してバンプを形成した後の構造を示す断面図である。
【図17】従来の半導体装置において、絶縁樹脂層の傾斜部周辺を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1〜図16は、本発明による半導体装置(ウェハレベルCSP)の製造方法である。図16はウェハレベルCSPの部分断面図である。
図1に、前工程が完了した半導体ウェハ10の部分断面図を示す。半導体ウェハ10には半導体集積回路(図示せず)があらかじめ形成されている。チップパッド30は、半導体集積回路を外部と電気的に接続するための電極(第1電極)である。このチップパッド30は、半導体ウェハ10の表面に複数個形成されている。パッシベーション層11は、半導体集積回路を保護するための膜で、半導体ウェハ10の全面に形成されている。チップパッド30を介して外部と電気的接続を行うために、パッシベーション層の一部が開口されている。パッシベーション層11は、SiNなどの無機膜で成膜されるが、これに限るものではない。例えば、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールのような有機膜でもよい。また、無機膜の表面に有機膜を形成した構造であってもよい。
【0009】
図2に、半導体ウェハ10の表面に絶縁樹脂層20を形成した後の構造を示す。絶縁樹脂層20としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布・乾燥して絶縁樹脂層20を形成する。また、絶縁樹脂層は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このとき、絶縁樹脂層を厚くするために複数回印刷を繰り返してもよい。このようにして形成された絶縁樹脂層20の厚さは、通常、2μm〜200μmである。この絶縁樹脂層20が、ウェハレベルCSPに加わる熱・機械的応力からウェハレベルCSPを保護する。応力を緩和するためには、絶縁樹脂層20が低弾性率であることが好ましい。よって、絶縁樹脂層の弾性率は、通常、0.2〜3GPaである。
【0010】
図3に、絶縁樹脂層20の一部を開口して、チップパッド30を露出した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によって絶縁樹脂層20をパターニングして、チップパッド30の表面に開口部31を設ける。あるいは、絶縁樹脂層の開口部形成法としては、レーザーによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで加工してもよい。
【0011】
図4に、絶縁樹脂層20の表面にめっき用のシード層12を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってシード層12を形成する。シード層12は、絶縁樹脂層20と再配線層13との密着性を確保するために密着層となる下層と、再配線層13を形成するときに給電層となる上層とから構成される。密着層としては、例えば、クロム、チタン、チタン−タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは、通常、10〜3000nm程度である。給電層としては、例えば、銅、クロム、チタン、チタン−タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは、通常、100〜3000nm程度である
【0012】
図5に、シード層12の表面にめっき用のレジスト40を形成した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によってレジスト40をパターニングする。このレジスト40の厚さを、次の工程で成長させるめっき(再配線層13)の厚さよりも厚くすることが好ましい。
図6に、シード層12の表面に再配線層13をめっきした後の構造を示す。めっきの方法としては、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用することができる。めっき金属としては銅、銅合金などが用いられる。再配線層13の厚さは、通常、1μm〜10μm程度である。
【0013】
図7に、めっき用のレジスト40を除去した後の構造を示す。レジスト40を除去することができるはく離液でレジスト40を除去する。
図8に、めっきした部分以外のシード層12を除去した後の構造を示す。不要な領域のシード層12を除去するためには、エッチング液を用いる方法以外に、プラズマを用いる方法も利用できる。
【0014】
図9に、再配線層13の表面に再配線保護層21を形成した後の構造を示す。再配線保護層21としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布・乾燥して再配線保護層21を形成する。また、再配線保護層は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このようにして形成された再配線保護層21の厚さは、通常、2μm〜20μmである。
【0015】
図10に、再配線保護層21の一部を開口して、チップパッド30及びバンプパッド33を露出した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によって再配線保護層21をパターニングして、チップパッド30及びバンプパッド33の表面に開口部を設ける。あるいは、再配線保護層の開口部形成法としては、レーザーにより第1電極が露出する状態まで加工してもよい。チップパッド30の表面の再配線保護層21の開口部32の開口径D2は、チップパッド30の表面の絶縁樹脂層20の開口部31の開口径D1よりも大きい(D2>D1)。すなわち、再配線保護層21の開口部32に、再配線層13の一部が露出して、平坦部51(第2電極)が形成される。
尚、絶縁樹脂層20の開口部31の開口径D1は、好ましくは10〜250μmであり、再配線保護層21の開口部32の開口径D2は、好ましくは15〜300μmである。
【0016】
図11に、再配線保護層21の表面にバリア層14を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってバリア層14を形成する。バリア層14は、再配線層13とバンプ17との拡散を防ぐとともに、再配線層13とバンプ17との密着を強化する。また、バリア層14は、再配線層13と電極18との拡散を防ぐとともに、再配線層13と電極18との密着を強化する。バリア層14としては、例えば、チタン−銅、チタン−タングステン合金、クロム−銅などの金属が用いられる。バリア層14の厚さは0.1μm〜1μm程度である。
【0017】
図12に、バリア層14の表面にめっき用のレジスト41を形成した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によってレジスト41をパターニングする。再配線保護層21の開口部32と、バンプパッド33が露出するように、レジスト41の一部を開口する。
【0018】
図13に、チップパッド30及びバンプパッド33の表面に、それぞれ、めっき層16及びめっき層15を形成した後の構造を示す。めっき法によってレジスト41が被覆されていない領域に、電極18及びバンプ17になるための金属、好ましくは、はんだ合金がめっきされる。
【0019】
再配線保護層21の開口部32に平坦部51があることによって、再配線層13とチップパッド30の電気的接続が確実なものとなる。絶縁樹脂層20の開口部31の壁面50に、シード層12あるいは再配線層13が十分に形成されない場合でも、平坦部51を設けることで、電気的接続を確実に取れるとの効果がある。開口部32に形成されためっき層16(あるいは電極18)と平坦部51を介して、チップパッド30と再配線層13とが電気的に接続されるからである。シード層12あるいは再配線層13が壁面50に十分に形成されない場合としては、開口部31のアスペクト比が高い場合に、シード層12をスパッタ形成する工程において、スパッタ粒子が開口部31の奥まで入り込まない可能性などが挙げられる。
【0020】
図14に、めっき用のレジスト41を除去した後の構造を示す。レジスト41を除去することができるはく離液でレジスト41を除去する。
図15に、めっきした部分以外のバリア層14を除去した後の構造を示す。不要な領域のバリア層14を除去するためには、エッチング液を用いる方法以外に、プラズマを用いる方法も利用できる。
【0021】
図16に、めっき層15及びめっき層16を溶融して、それぞれ、バンプ17(外部電極)及び電極18を形成した後の構造を示す。リフロー法によってめっき金属を溶融することで、溶融金属の表面張力によってボール形状のバンプができる。
最後に、図1〜図16に図示した工程を経た半導体ウェハ10を、切断することによって半導体装置(ウェハレベルCSP)が製造される。
【実施例】
【0022】
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
電子回路が形成された直径8インチ、厚さ600μmの半導体ウエハ表面に加熱乾燥後の厚さが50μmになるようにスクリーン印刷機(ニューロング精密工業株式会社製、アライメント装置付きLS−34GX)、メタルマスク(メッシュ工業株式会社製、厚み100μm)を用いてポリイミド系耐熱性ペースト(日立化成工業株式会社製、GH−P500、樹脂分濃度30質量%)を印刷した。印刷位置は、半導体装置の外形と同等であり、ダイシングエリアを除く範囲である。これを、80℃で5分間、100℃で10分間、150℃で10分間、200℃で15分間、さらに250で60分間加熱処理して絶縁樹脂層を得た。
【0023】
絶縁樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで、50μm径(開口径;D1)の開口部を形成した。
絶縁樹脂層の上面にスパッタ装置を用いてCrのスパッタ金属膜を厚み0.5μm形成し、スパッタ金属膜表面に厚み20μmのめっきレジストを塗布し、Cuめっき配線を形成したい部分を露光・現像処理にてめっきレジスト層を形成し、スパッタ金属膜が露出した部分に電解めっきでCu配線を形成し、Cu配線が15μmに達した後めっきレジストを剥離し、さらにスパッタ金属膜が露出している部分を除去して第二の配線層(再配線層)を形成した。
【0024】
第二の配線層(再配線層)が形成された絶縁樹脂層表面に、前記ポリイミド系耐熱性ペーストを、加熱乾燥後の厚さが20μmになるようにスクリーン印刷機(ニューロング精密工業株式会社製、アライメント装置付きLS−34GX)、メタルマスク(メッシュ工業株式会社製、厚み40μm)を用いて印刷した。印刷位置は、半導体装置の外形と同等であり、ダイシングエリアを除く範囲である。これを、80℃で5分間、100℃で10分間、150℃で10分間、200℃で15分間、さらに250で60分間加熱処理して第二の配線層の再配線保護層を得た。
【0025】
再配線保護層の所望の位置に炭酸ガスレーザによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで、100μm径(開口径;D2)の開口部を形成した。また、再配線保護層の所望の位置に炭酸ガスレーザにより第二の配線層が露出する状態まで、300μm径で加工して、外部電極を形成するための第2電極を得た。
【0026】
めっき法によって、第1電極及び第2電極に、はんだ合金めっき層を形成した。さらに、リフロー条件260℃1分で、はんだ合金めっき層を溶融して、それぞれ、ボール形状のはんだバンプ(外部電極)及び電極を形成した。半導体ウエハをダイシングエリアで切断して、個別の半導体装置を作製した。
【産業上の利用可能性】
【0027】
本発明は、半導体装置の製造方法について広く適用可能である。
【符号の説明】
【0028】
10 半導体ウェハ、11 パッシベーション層、12 シード層、13 再配線層、14 バリア層、15 めっき層、16 めっき層、17 バンプ、18 電極、20 絶縁樹脂層、21 再配線保護層、30 チップパッド、31 開口部、32 開口部、33 バンプパッド、40 レジスト、41 レジスト、50 壁面、51 平坦部、52 傾斜部、α 傾斜角。
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウェハレベルCSPと称される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のウェハレベルCSPには、応力を緩和する機能を有したものがある。ここで、ウェハレベルCSPとは、ウェハ表面で絶縁膜、再配線および端子などを形成した後、ダイシングすることよって個々の半導体装置が得られるCSP(チップサイズパッケージ)の総称である。個々に分割されたウェハレベルCSPは、基板の表面に直接、実装される。そのため、ウェハレベルCSPの端子に熱応力が集中し易い。これは、ウェハと基板の線熱膨張係数がそれぞれ異なるためである。特に半導体装置のサイズが大きくなると、端子に大きな熱応力が発生し易い。そこで、ウェハと端子の間に応力緩和層を形成する方法が考案された(特許文献1参照)。これによって、ウェハと基板との線熱膨張係数の差によって生じる熱応力を応力緩和層で吸収することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第3947043号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置に応力緩和層を設ける場合、図17に示すように、チップ電極と外部電極を接続するための再配線を傾斜部52にも形成する必要がある。そのため、応力緩和層の傾斜部に外部電極を配置できないなど、外部電極の配置に制約があった。また、傾斜部の傾斜角αを大きくすると、傾斜部に再配線を形成することが困難になるなどの問題があった。本発明では、応力緩和機能を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は以下の通りである。
絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【0006】
本発明では、絶縁樹脂層に傾斜部を設けることなく、チップパッドと外部電極を接続することができる。そのため、外部電極の配置の自由度が増す。これによって、外部電極数の増加に対応可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。また、絶縁樹脂層の一部を開口してチップパッドを露出させる際、開口部のアスペクトが高くても確実に導通を確保できる。そのため、歩留りが高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明に係る半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの一部分を示す断面図である。
【図2】本発明に係る半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの表面に絶縁樹脂層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図3】本発明に係る半導体装置の製造方法において、絶縁樹脂層の一部を開口して、チップパッド(第1電極)を露出した後の構造を示す断面図である。
【図4】本発明に係る半導体装置の製造方法において、絶縁樹脂層の表面にめっき用のシード層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図5】本発明に係る半導体装置の製造方法において、シード層の表面にめっき用のレジストを形成した後の構造を示す断面図である。
【図6】本発明に係る半導体装置の製造方法において、シード層の表面にめっきし再配線層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図7】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき用のレジストを除去した後の構造を示す断面図である。
【図8】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっきした部分以外のシード層を除去した後の構造を示す断面図である。
【図9】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線層の表面に再配線保護層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図10】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線保護層の一部を開口して、チップパッド及びバンプパッドを露出した後の構造を示す断面図である。
【図11】本発明に係る半導体装置の製造方法において、再配線保護層の表面にバリア層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図12】本発明に係る半導体装置の製造方法において、バリア層の表面にめっき用のレジストを形成した後の構造を示す断面図である。
【図13】本発明に係る半導体装置の製造方法において、チップパッド及びバンプパッドの表面にめっき層を形成した後の構造を示す断面図である。
【図14】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき用のレジストを除去した後の構造を示す断面図である。
【図15】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっきした部分以外のバリア層を除去した後の構造を示す断面図である。
【図16】本発明に係る半導体装置の製造方法において、めっき層を溶融してバンプを形成した後の構造を示す断面図である。
【図17】従来の半導体装置において、絶縁樹脂層の傾斜部周辺を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1〜図16は、本発明による半導体装置(ウェハレベルCSP)の製造方法である。図16はウェハレベルCSPの部分断面図である。
図1に、前工程が完了した半導体ウェハ10の部分断面図を示す。半導体ウェハ10には半導体集積回路(図示せず)があらかじめ形成されている。チップパッド30は、半導体集積回路を外部と電気的に接続するための電極(第1電極)である。このチップパッド30は、半導体ウェハ10の表面に複数個形成されている。パッシベーション層11は、半導体集積回路を保護するための膜で、半導体ウェハ10の全面に形成されている。チップパッド30を介して外部と電気的接続を行うために、パッシベーション層の一部が開口されている。パッシベーション層11は、SiNなどの無機膜で成膜されるが、これに限るものではない。例えば、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールのような有機膜でもよい。また、無機膜の表面に有機膜を形成した構造であってもよい。
【0009】
図2に、半導体ウェハ10の表面に絶縁樹脂層20を形成した後の構造を示す。絶縁樹脂層20としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布・乾燥して絶縁樹脂層20を形成する。また、絶縁樹脂層は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このとき、絶縁樹脂層を厚くするために複数回印刷を繰り返してもよい。このようにして形成された絶縁樹脂層20の厚さは、通常、2μm〜200μmである。この絶縁樹脂層20が、ウェハレベルCSPに加わる熱・機械的応力からウェハレベルCSPを保護する。応力を緩和するためには、絶縁樹脂層20が低弾性率であることが好ましい。よって、絶縁樹脂層の弾性率は、通常、0.2〜3GPaである。
【0010】
図3に、絶縁樹脂層20の一部を開口して、チップパッド30を露出した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によって絶縁樹脂層20をパターニングして、チップパッド30の表面に開口部31を設ける。あるいは、絶縁樹脂層の開口部形成法としては、レーザーによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで加工してもよい。
【0011】
図4に、絶縁樹脂層20の表面にめっき用のシード層12を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってシード層12を形成する。シード層12は、絶縁樹脂層20と再配線層13との密着性を確保するために密着層となる下層と、再配線層13を形成するときに給電層となる上層とから構成される。密着層としては、例えば、クロム、チタン、チタン−タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは、通常、10〜3000nm程度である。給電層としては、例えば、銅、クロム、チタン、チタン−タングステン合金などの金属が用いられ、その厚さは、通常、100〜3000nm程度である
【0012】
図5に、シード層12の表面にめっき用のレジスト40を形成した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によってレジスト40をパターニングする。このレジスト40の厚さを、次の工程で成長させるめっき(再配線層13)の厚さよりも厚くすることが好ましい。
図6に、シード層12の表面に再配線層13をめっきした後の構造を示す。めっきの方法としては、電解めっき及び無電解めっきの両方式を利用することができる。めっき金属としては銅、銅合金などが用いられる。再配線層13の厚さは、通常、1μm〜10μm程度である。
【0013】
図7に、めっき用のレジスト40を除去した後の構造を示す。レジスト40を除去することができるはく離液でレジスト40を除去する。
図8に、めっきした部分以外のシード層12を除去した後の構造を示す。不要な領域のシード層12を除去するためには、エッチング液を用いる方法以外に、プラズマを用いる方法も利用できる。
【0014】
図9に、再配線層13の表面に再配線保護層21を形成した後の構造を示す。再配線保護層21としては、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、エポキシ樹脂などが望ましい。スピンコーティング法、ラミネート法、ディスペンス法などによって半導体ウェハ10の全面に塗布・乾燥して再配線保護層21を形成する。また、再配線保護層は、例えばメタルマスクを用いて樹脂を印刷して形成してもよい。このようにして形成された再配線保護層21の厚さは、通常、2μm〜20μmである。
【0015】
図10に、再配線保護層21の一部を開口して、チップパッド30及びバンプパッド33を露出した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によって再配線保護層21をパターニングして、チップパッド30及びバンプパッド33の表面に開口部を設ける。あるいは、再配線保護層の開口部形成法としては、レーザーにより第1電極が露出する状態まで加工してもよい。チップパッド30の表面の再配線保護層21の開口部32の開口径D2は、チップパッド30の表面の絶縁樹脂層20の開口部31の開口径D1よりも大きい(D2>D1)。すなわち、再配線保護層21の開口部32に、再配線層13の一部が露出して、平坦部51(第2電極)が形成される。
尚、絶縁樹脂層20の開口部31の開口径D1は、好ましくは10〜250μmであり、再配線保護層21の開口部32の開口径D2は、好ましくは15〜300μmである。
【0016】
図11に、再配線保護層21の表面にバリア層14を形成した後の構造を示す。蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、無電解めっき法などによってバリア層14を形成する。バリア層14は、再配線層13とバンプ17との拡散を防ぐとともに、再配線層13とバンプ17との密着を強化する。また、バリア層14は、再配線層13と電極18との拡散を防ぐとともに、再配線層13と電極18との密着を強化する。バリア層14としては、例えば、チタン−銅、チタン−タングステン合金、クロム−銅などの金属が用いられる。バリア層14の厚さは0.1μm〜1μm程度である。
【0017】
図12に、バリア層14の表面にめっき用のレジスト41を形成した後の構造を示す。フォトリソグラフィ技術によってレジスト41をパターニングする。再配線保護層21の開口部32と、バンプパッド33が露出するように、レジスト41の一部を開口する。
【0018】
図13に、チップパッド30及びバンプパッド33の表面に、それぞれ、めっき層16及びめっき層15を形成した後の構造を示す。めっき法によってレジスト41が被覆されていない領域に、電極18及びバンプ17になるための金属、好ましくは、はんだ合金がめっきされる。
【0019】
再配線保護層21の開口部32に平坦部51があることによって、再配線層13とチップパッド30の電気的接続が確実なものとなる。絶縁樹脂層20の開口部31の壁面50に、シード層12あるいは再配線層13が十分に形成されない場合でも、平坦部51を設けることで、電気的接続を確実に取れるとの効果がある。開口部32に形成されためっき層16(あるいは電極18)と平坦部51を介して、チップパッド30と再配線層13とが電気的に接続されるからである。シード層12あるいは再配線層13が壁面50に十分に形成されない場合としては、開口部31のアスペクト比が高い場合に、シード層12をスパッタ形成する工程において、スパッタ粒子が開口部31の奥まで入り込まない可能性などが挙げられる。
【0020】
図14に、めっき用のレジスト41を除去した後の構造を示す。レジスト41を除去することができるはく離液でレジスト41を除去する。
図15に、めっきした部分以外のバリア層14を除去した後の構造を示す。不要な領域のバリア層14を除去するためには、エッチング液を用いる方法以外に、プラズマを用いる方法も利用できる。
【0021】
図16に、めっき層15及びめっき層16を溶融して、それぞれ、バンプ17(外部電極)及び電極18を形成した後の構造を示す。リフロー法によってめっき金属を溶融することで、溶融金属の表面張力によってボール形状のバンプができる。
最後に、図1〜図16に図示した工程を経た半導体ウェハ10を、切断することによって半導体装置(ウェハレベルCSP)が製造される。
【実施例】
【0022】
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
電子回路が形成された直径8インチ、厚さ600μmの半導体ウエハ表面に加熱乾燥後の厚さが50μmになるようにスクリーン印刷機(ニューロング精密工業株式会社製、アライメント装置付きLS−34GX)、メタルマスク(メッシュ工業株式会社製、厚み100μm)を用いてポリイミド系耐熱性ペースト(日立化成工業株式会社製、GH−P500、樹脂分濃度30質量%)を印刷した。印刷位置は、半導体装置の外形と同等であり、ダイシングエリアを除く範囲である。これを、80℃で5分間、100℃で10分間、150℃で10分間、200℃で15分間、さらに250で60分間加熱処理して絶縁樹脂層を得た。
【0023】
絶縁樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで、50μm径(開口径;D1)の開口部を形成した。
絶縁樹脂層の上面にスパッタ装置を用いてCrのスパッタ金属膜を厚み0.5μm形成し、スパッタ金属膜表面に厚み20μmのめっきレジストを塗布し、Cuめっき配線を形成したい部分を露光・現像処理にてめっきレジスト層を形成し、スパッタ金属膜が露出した部分に電解めっきでCu配線を形成し、Cu配線が15μmに達した後めっきレジストを剥離し、さらにスパッタ金属膜が露出している部分を除去して第二の配線層(再配線層)を形成した。
【0024】
第二の配線層(再配線層)が形成された絶縁樹脂層表面に、前記ポリイミド系耐熱性ペーストを、加熱乾燥後の厚さが20μmになるようにスクリーン印刷機(ニューロング精密工業株式会社製、アライメント装置付きLS−34GX)、メタルマスク(メッシュ工業株式会社製、厚み40μm)を用いて印刷した。印刷位置は、半導体装置の外形と同等であり、ダイシングエリアを除く範囲である。これを、80℃で5分間、100℃で10分間、150℃で10分間、200℃で15分間、さらに250で60分間加熱処理して第二の配線層の再配線保護層を得た。
【0025】
再配線保護層の所望の位置に炭酸ガスレーザによりチップパッド(第1電極)が露出する状態まで、100μm径(開口径;D2)の開口部を形成した。また、再配線保護層の所望の位置に炭酸ガスレーザにより第二の配線層が露出する状態まで、300μm径で加工して、外部電極を形成するための第2電極を得た。
【0026】
めっき法によって、第1電極及び第2電極に、はんだ合金めっき層を形成した。さらに、リフロー条件260℃1分で、はんだ合金めっき層を溶融して、それぞれ、ボール形状のはんだバンプ(外部電極)及び電極を形成した。半導体ウエハをダイシングエリアで切断して、個別の半導体装置を作製した。
【産業上の利用可能性】
【0027】
本発明は、半導体装置の製造方法について広く適用可能である。
【符号の説明】
【0028】
10 半導体ウェハ、11 パッシベーション層、12 シード層、13 再配線層、14 バリア層、15 めっき層、16 めっき層、17 バンプ、18 電極、20 絶縁樹脂層、21 再配線保護層、30 チップパッド、31 開口部、32 開口部、33 バンプパッド、40 レジスト、41 レジスト、50 壁面、51 平坦部、52 傾斜部、α 傾斜角。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項1】
絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部を形成し、前記半導体ウェハ表面の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
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【図8】
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【図10】
【図11】
【図12】
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【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2011−228579(P2011−228579A)
【公開日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−98729(P2010−98729)
【出願日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【出願人】(000004455)日立化成工業株式会社 (4,649)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年11月10日(2011.11.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【出願人】(000004455)日立化成工業株式会社 (4,649)
【Fターム(参考)】
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