半導体装置およびその製造方法
【課題】放熱性が向上した半導体装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板１０と、前記半導体基板上に設けられた電極１４と、前記電極の上に位置する第１の開口部２４を有する第１の絶縁層１６と、前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられた樹脂層２０と、前記樹脂層の上に設けられた第１の部分３１と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分３２と、前記第１の部分または前記第２の部分と電気的に接続する第３の部分３３と、を有する導電層と、前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部４１を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層４０と、前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する。
【解決手段】第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板１０と、前記半導体基板上に設けられた電極１４と、前記電極の上に位置する第１の開口部２４を有する第１の絶縁層１６と、前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられた樹脂層２０と、前記樹脂層の上に設けられた第１の部分３１と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分３２と、前記第１の部分または前記第２の部分と電気的に接続する第３の部分３３と、を有する導電層と、前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部４１を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層４０と、前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体基板の上に形成された樹脂層の上に配線および外部端子を形成する、ＷＣＳＰ（ウェハレベルチップサイズパッケージ）と呼ばれるパッケージ技術を採用した半導体装置が知られている（特許文献１）。ＷＣＳＰを採用した半導体装置は、外部端子となるハンダボールを形成するために、配線は、例えばソルダーレジストによって封止される。
【０００３】
このようなパッケージは、外部端子以外に、有効な放熱経路を有していないため、その他のパッケージと比べて放熱性が低い。したがって、このようなパッケージを採用した半導体装置の放熱性の向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４３０５６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の様態の１つは、放熱性が向上した半導体装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の様態の１つは、放熱性が向上した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の様態の１つである半導体装置は、
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記第２の開口部内に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する。
【０００８】
なお、本発明に係る記載では、「〜の上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「〜の上」という文言を用いている。同様に、「〜の下」という文言は、Ａ下に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ下に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとする。
【０００９】
また、本発明に係る記載では、「〜の外周辺」という文言を、「半導体基板の第１の面の法線方向から見た場合の平面形状の最も外側の部分（外周部分）が構成する辺」という意味で用いる。例えば、「Ａの外周辺」という文言の場合、半導体基板の第１の面の法線方向から見た場合の構成Ａの平面形状の外周の辺を意味する。また、例えば、構成Ａの外周部分が面であって、半導体基板の第１の面の法線に対して斜めの傾斜を有した面である場合、その面と、半導体基板の第１の面との接線を「Ａの外周辺」という意味で用いる。また、「〜の外周面」という文言を、「第１の面１１の法線方向から見た場合の平面形状の最も外側に位置する面」という意味で用いる。例えば、「Ａの外周面」という文言の場合、第１の面１１の法線方向から見た場合に、構成Ａが有する面の内、構成Ａの中心から最も外側に位置する面を意味する。
【００１０】
本発明によれば、導電層の第３の部分が、大気中に露出することができる。これによれば、第３の部分からの放熱経路を有する半導体装置を提供することができる。したがって、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。
【００１１】
（２）本発明の様態の１つにおいて、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第４の面の上に位置していてもよい。
【００１２】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１３】
（３）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺と接しないように形成されていてもよい。
【００１４】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１５】
（４）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺および前記半導体基板の前記第１の面に接するように形成されていてもよい。
【００１６】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１７】
（５）本発明の様態の１つにおいて、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記電極は、前記樹脂層の前記第４の面と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置していてもよい。
【００１８】
（６）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に形成される第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有していてもよい。
【００１９】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
（７）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電膜と、前記第１の導電膜を覆うように形成された第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有していてもよい。
【００２１】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２２】
（８）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に形成された第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有し、
前記第２の導電膜は、前記導電層の前記第１の部分と前記第３の部分においてのみ形成されていてもよい。
【００２３】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
（９）本発明の様態の１つである半導体装置の製造方法は、
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する開口部を有する第１の絶縁層と、を有する構造体を準備する工程と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第２の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分と電気的に接続する第３の部分と、を有する導電層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する開口部を有し、かつ、前記導電層の第３の部分を避けて第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の前記開口部の内側に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置するように形成される。
【００２５】
本発明によれば、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置のＩＩ−ＩＩ線断面の要部を模式的に示す断面図。
【図３（Ａ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｂ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｃ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｄ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図４】第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図５】図４に示す半導体装置のＶ−Ｖ線断面の要部を模式的に示す断面図。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態およびその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２８】
１． 半導体装置
１．１ 第１実施形態
以下、図面を参照して、第１実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置１００のＩＩ−ＩＩ線での断面の一部を模式的に示す断面図である。
【００３０】
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、図１に示すように、チップ状をなしていてもよい。すなわち、半導体基板１０は半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、複数の半導体基板１０からなるウエハ状をなしていてもよい（図示せず）。例えば、導体基板１０は、シリコン基板であってもよい。図２に示すように、半導体基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１は、半導体基板１０の一方の面の表層に形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３１】
半導体基板１０がチップ状をなす場合、図１および図２に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１と、第１の面１１と反対側の面である面１２とを有する。図１および図２に示すように、第１の面１１は、集積回路１が表層に形成される面であってもよい。
【００３２】
第１の面１１は、図１に示すように、第１の外周辺１３を有する。例えば、図１に示すように、第１の外周辺１３は、一方向に延びる第１の辺１３ａによって構成される。第１の外周辺１３は、半導体基板を第１の面の法線方向から見た場合の第１の面１１の外周を構成する、連続した辺である。第１の外周辺１３は複数の辺（第１の辺１３ａ）が接続されて形成されていてもよい。したがって、半導体基板１０の平面形状（第１の面１１の法線方向から見た平面形状）が矩形である場合、第１の外周辺１３は矩形であることができる。また、図示はしないが、半導体基板１０が、ウエハ状である場合、第１の外周辺１３は、カッターやスクライバによって切断される切断線（スクライブライン）であってもよい。
【００３３】
図１および図２に示すように、半導体装置１００は、第１の面１１上に電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよい。電極１４は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。電極１４が形成される領域は、第１の面１１の上である限り、特に限定されない。電極１４は、集積回路１が形成される領域の上方に形成されてもよい。または、電極１４は、集積回路１が形成される領域以外に形成されていてもよい。電極１４は、図１に示すように、複数形成されてもよい。電極１４は、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って配置されていてもよい。また、電極１４は、半導体基板１０の中央部に形成されていてもよい。
【００３４】
電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されていてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するチタン（Ｔｉ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）などの金属で形成されるバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３５】
図１および図２に示すように、半導体装置１００は、第１の絶縁層１６を有する。第１の絶縁層１６はパッシベーション膜であってもよい。第１の絶縁層１６は、第１の面１１上で、電極１４の少なくとも一部を露出させるように形成されていてもよい。つまりは、第１の絶縁層１６は、電極１４の少なくとも一部とオーバーラップする開口部１６ａを有していてもよい。図１および図２に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の面１１の第１の外周辺１３を覆わないように形成されていてもよい。図１に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の面１１の法線方向から見た場合の平面視において（以下、「平面視において」とも言う）、第１の面１１よりも小さい面積を有するように形成されていてもよい。図２に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の絶縁層１６の外周辺である第３の外周辺１６ｂを、第１の面１１の上に有していてもよい。第３の外周辺１６ｂは、平面視において、第１の絶縁層１６の外周を構成する辺である。第３の外周辺１６ｂは複数の辺が接続されて形成されていてもよい。第３の外周辺１６ｂは、図１に示すように、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って形成されていてもよい。
【００３６】
第１の絶縁層１６の材質は、電気的絶縁性を有する限り、特に限定されない。例えば、第１の絶縁層１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁層であってもよい。あるいは、第１の絶縁層１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁層であってもよい。
【００３７】
図２に示すように、半導体装置１００は、第１の絶縁層１６の上に樹脂層２０を有する。図２に示すように、樹脂層２０は、電極１４の少なくとも一部を避けて設けられ、第１の絶縁層１６側の第２の面２１と、第２の面２１と反対側の第３の面２２と、第２の面２１と第３の面２２を接続する外周面である第４の面２３と、を有する。第４の面２３は、平面視において、樹脂層２０が有する面の内、樹脂層２０の中心から最も離れた連続面であってもよい。樹脂層２０は、応力緩和層であってもよい。図１に示すように、樹脂層２０は、平面視において、第１の絶縁層１６よりも小さい面積を有する。図２に示すように、樹脂層２０は、外周面である第４の面２３を、第１の絶縁層１６の上に有していてもよい。図１に示すように、樹脂層２０の第４の面２３は、平面視において、後述される第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２と半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に位置していてもよい。また、第４の面２３は、図１に示すように、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って形成されていてもよい。
【００３８】
図２に示すように、樹脂層２０は、電極１４の少なくとも一部の上に位置する開口部２４を有する。これによって、電極１４の少なくとも一部が樹脂層２０に覆われることがない。開口部２４の大きさは、半導体装置の外部端子数を考慮して、電極１４との導通性を確保できる限り、小さく設計してもよい。また、電極１４との導通性を確実とするために、開口部２４は、開口部１６ａよりも大きくてもよい。
【００３９】
樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）などの樹脂で形成されていてもよい。
【００４０】
図２に示すように、開口部２４内において電極１４と電気的に接続する導電層３０が形成される。導電層３０は、図２に示すように、樹脂層２０の第２の面２１の上に設けられた第１の部分３１（ランド部３１）と、第１の部分３１と電極１４とを電気的に接続する第２の部分３２と、第１の部分３１または第２の部分３２と電気的に接続する第３の部分３３と、を有する。第３の部分３３は、第１の部分３１または第２の部分３２と、直接接続していてもよいし、導電層を介して間接的に接続していてもよい。つまりは、図２に示すように、第３の部分３３は、第４の部分３４を介して第１の部分３１または第２の部分３２と電気的に接続されていてもよい。
【００４１】
導電層３０の第１の部分３１（ランド部３１）は、図２に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上に設けられる導電層３０の一部であって、後述される外部端子５０が上方に形成される部分である。ランド部３１は、後述される第２の絶縁層４０の開口部４１が上方に形成される部分であってもよい。ランド部３１の形状は、特に限定されず、外部端子５０に対応して適宜決定される。
【００４２】
導電層３０の第２の部分３２は、図２に示すように、電極１４とランド部３１を電気的に接続する導電層３０の一部であって、開口部２４内から樹脂層２０の第３の面２２の上に至るように形成されていてもよい。図１に示すように、第２の部分３２の形状は、電極１４とランド部３１とを電気的に接続できる限り特に限定されず、直線であってもよいし、適宜、屈曲していてもよい。
【００４３】
導電層３０の第３の部分３３は、図２に示すように、電極１４から半導体基板１０の第１の外周辺１３に向かって延びる導電層３０の一部であって、後述される第２の絶縁層４０に覆われない部分である。第４の部分３４は、第３の部分３４と、第１の部分３１または第２の部分３２とを電気的に接続する部分であって、後述される第２の絶縁層４０に覆われる部分である。第３の部分３３は、第４の部分３４を介して電極１４と電気的に接続し半導体基板１０の第１の外周辺１３に向かって延びていてもよい。第４の部分３４は、開口部２４内から第３の面２２の上に至るように延び、第３の部分３３と接続していてもよい。また、第３の部分３３は、第３の面２２から、第４の面２３の上を介して、第１の絶縁層１６の上に至るように形成されていてもよい。
【００４４】
第３の部分３３は、第２の絶縁層４０に覆われない、導電層３０の露出部分であってもよい。第３の部分３３は、図１および図２に示すように、後述される第２の絶縁層４０から露出する。第３の部分３３は、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２より外側であって、かつ、半導体基板１０の第１の外周辺１３（第１の辺１３ａ）より内側に形成される。つまりは、第３の部分３３は、半導体基板１０の第１の外周辺１３（第１の辺１３ａ）と、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２との間に形成される。言い換えると、半導体基板１０の中心から第１の外周辺１３までの領域において、第３の部分３３は第１の外周辺１３を構成する第１の辺１３ａと第２の絶縁層４０との間に位置している。図２に示すように、第３の部分３３は、樹脂層２０の第４の面２３から第１の外周辺１３に向かって延びていてもよい。また、図２に示すように、第３の部分３３は、第１の絶縁層１６の第３の外周辺１６ｂまでは至らないように形成されていてもよい。言い換えると、第３の部分３３は、外周辺１６ｂとは接しないように形成されていてもよい。
【００４５】
図１に示すように、第３の部分３３の平面視における形状は、隣接する複数の第３の部分３３同士が、互いに絶縁性を保てる程度に離れて配置されている限り、特に限定されない。例えば、第３の部分３３は、第１の外周辺１３に沿って延びていてもよい。また、例えば、第３の部分３３は、半導体基板１０の角部に沿って形成されていてもよい。
【００４６】
ここで、図２に示すように、導電層３０は、第１の導電層３０ａと第２の導電層３０ｂとを有していてもよい。第１の導電層３０ａは、樹脂層２０の上に形成される層であって、導電層３０の下層であってもよい。また、第２の導電層３０ｂは、第１の導電層３０ａの上に形成される層であって、導電層３０の上層であってもよい。導電層３０の材料は、導電性を有する限り特に限定されない。
【００４７】
例えば、第１の導電層３０ａは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびクロム（Ｃｒ）のいずれか１つを含む単層体であってもよい。または、第１の導電層３０ａは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも１つを含む積層体であってもよい。
【００４８】
第２の導電層３０ｂの材料は、第１の導電層３０ａの導電材料よりも高い耐腐食性を有する限り特に限定されない。例えば、第２の導電層３０ｂは、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のいずれか１つを含む単層体であってもよい。また、例えば、第２の導電層３０ｂは、金（Ａｕ）およびニッケル（Ｎｉ）を含む積層体であってもよい。
【００４９】
図２に示すように、導電層３０の上に、第２の絶縁層４０が形成される。第２の絶縁層４０は、図２に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上において導電層３０の第２の部分３２を覆うように設けられる。また、第２の絶縁層４０は、図２に示すように、導電層３０の第１の部分３１（ランド部３１）の少なくとも一部の上に位置する開口部４１を有していてもよい。また、第２の絶縁層４０は、図２に示すように、導電層３０の第３の部分３３が露出するように位置する第２の外周辺４２を有していてもよい。つまりは、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２は、導電層３０の第３の部分３３を形成するように、樹脂層２０の第３の面２２の上に位置していてもよい。言い換えると、第２の絶縁層４０は第３の部分３３を避けるように形成されていてもよい。
【００５０】
第２の絶縁層４０の材質は、絶縁性を有し、導電層３０の一部を封止できる限り、特に限定されない。例えば、第２の絶縁層４０は、公知の樹脂であってもよい。また、例えば、第２の絶縁層４０は、公知のソルダーレジストであってもよい。具体的には、第２の絶縁層４０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００５１】
図２に示すように、第２の絶縁層４０の開口部４１内に外部端子５０が設けられる。外部端子５０は、導電層３０のランド部３１と電気的に接続されている。これによって、外部端子５０は、導電層３０を介して電極１４と電気的に接続されることができる。外部端子５０は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、例えば半田ペーストから形成された半田バンプ（ソルダーボール）であってもよい。
【００５２】
以上のいずれかの構成によって、本実施形態に係る半導体装置１００を構成することができる。
【００５３】
本実施形態に係る半導体装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５４】
本発明によれば、導電層３０の一部の第３の部分３３が、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２と、半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に形成された半導体装置１００を提供することができる。これによれば、外部端子５０とは別に、導電層３０の第３の部分３３から、半導体装置１００の熱を大気中に放熱することができる。したがって、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。なお、この特徴は、以下に説明する変形例でも同様である。
【００５５】
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）を用いて、本実施形態に係る半導体装置１００の変形例を示す。
【００５６】
（第１変形例）
図３（Ａ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、導電層３０は、樹脂層２０の上に形成される第１の導電層３０ａと、第１の導電層３０ａを覆うように形成された第２の導電層３０ｂと、を有する。本変形例に係る半導体装置１００の導電層３０においては、導電層３０ａの第１の絶縁層１６と向かい合う面以外の面を、第２の導電層３０ｂが覆っていてもよい。
【００５７】
本変形例によれば、第１の導電層３０ａが、第３の部分３３において大気中に露出せず、安定的な金属材料からなる第２の導電層３０ｂによって覆われる。したがって、導電層３０の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
（第２変形例）
図３（Ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、第２の導電層３０ｂは、第１の導電層３０ａのランド部３１と第３の部分３３においてのみ形成されていてもよい。
【００５９】
本変形例によれば、第２の導電層３０ｂを形成することによって、導電層３０と外部端子５０との接合強度を高めることができ、半導体装置１００の機械的強度を向上させることができる。
【００６０】
また、本変形例によれば、第２の導電層３０ｂの使用量を低減することができ、生産性を向上させることができる。
【００６１】
（第３変形例）
図３（Ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、導電層３０の第３の部分３３は、樹脂層２０の第４の面２３から第１の外周辺１３に向かって延び、第１の絶縁層１６の第３の外周辺１６ｂまで覆い、半導体基板１０の第１の面１１に接するように形成される。図３（Ｃ）に示すように、第１の導電層３０ａのみが第１の面１１と接するように形成されていてもよい。
【００６２】
本変形例によれば、放熱部分となる導電層３０の第３の部分３３を最大限の大きさで形成することができるため、半導体装置１００の放熱性をより向上させることができる。
【００６３】
また、図３（Ｄ）に示すように、第１の導電層３０ａおよび第２の導電層３０ｂが、第１の面１１に接するように形成されていてもよい。
【００６４】
本変形例によれば、放熱部分となる導電層３０の第３の部分３３を最大限の大きさで形成することができ、かつ、確実に第１の導電層３０ａを第２の導電層３０ｂによって保護することができる半導体装置１００を提供することができる。
【００６５】
（第４変形例）
図示はされないが、第３変形例に、第２変形例を適用してもよい。つまりは、第３変形例に係る第２の導電層３０ｂを、第１の導電層３０ａのランド部３１と第３の部分３３においてのみ形成してもよい。
【００６６】
１．２ 第２実施形態
以下、図面を参照して、第２実施形態に係る半導体装置２００について説明する。第２実施形態に係る半導体装置２００は、樹脂層２０、導電層３０および第２の絶縁層４０の構造において、第１実施形態に係る半導体装置１００と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成に関しては、同様の符号を付して、その説明を省略する。
【００６７】
図４は、本実施形態に係る半導体装置２００を模式的に示す平面図である。図５は、図４に示す半導体装置２００のＶ−Ｖ線の要部を模式的に示す断面図である。
【００６８】
図４および図５に示すように、樹脂層１２０は、電極１４を避けて設けられる。樹脂層１２０は、第１実施形態と同様に、第１の絶縁層１６側の第２の面１２１と、第２の面１２１の反対側の第３の面１２２と、第２の面１２１と第３の面１２２とを接続する第４の面１２３と、を有する。しかしながら、本実施形態に係る樹脂層１２０は、電極１４の上に位置する開口部を有さない。したがって、本実施形態に係る樹脂層１２０は、図５に示すように、電極１４が、樹脂層１２０の外周面である第４の面１２３と、半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に位置するように、形成される。つまりは、電極１４よりも半導体基板１０の中心側にのみ、樹脂層１２０が形成されていればよい。
【００６９】
次に、導電層１３０は、第１の絶縁層１６の開口部１６ａ内において、電極１４と電気的に接続する。導電層１３０は、電極１４の上から樹脂層１２０の第２の面１２０の上に至るように延び、第３の面１２２の上のランド部１３１（第１の部分）と電気的に接続される第２の部分１３２と、第１の部分１３１または第２の部分１３２と、第４の部分１３４を介して電気的に接続し、半導体基板１０の第１の外周辺１３へ向かって延びる第３の部分１３３と、を有していてもよい。ここで、第３の部分１３３は、第１の絶縁層１６の上に設けられていてもよい。
【００７０】
次に、第２の絶縁層１４０は、第１実施形態と同様に、導電層１３０の第３の部分１３３が露出するように位置する第２の外周辺１４２を有する。つまりは、第２の外周辺１４２は、第３の部分１３３を避けて設けられる。これによって、図５に示すように、導電層１３０が、露出部分である第３の部分１３３を有することができる。
【００７１】
以上のいずれかの構成によって、本実施形態に係る半導体装置２００を構成することができる。
【００７２】
本実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態と同様の特徴を有することができる。また、図示はしないが、本実施形態に係る半導体装置２００においても、第１実施形態に係る第１〜第４変形例に係る変形を適用することができる。
【００７３】
２． 半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以下に限定されるものではない。
【００７４】
図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する要部の断面図である。
【００７５】
まず、図６（Ａ）に示すように、第１の外周辺１３を有する第１の面１１と、第１の面１１の反対側の第２の面１２と、を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１１の上に設けられた電極１４と、半導体基板１０の第１の面１１の上に設けられ、電極１４の上に位置する開口部１６ａを有する第１の絶縁層１６と、を有する構造体を準備する。なお、半導体基板１０、電極１４および第１の絶縁層１６に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。
【００７６】
次に、図６（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の第１の絶縁層１６の所望の領域に樹脂層２０を形成する。ここで、図６（Ｂ）に示すように、第１の絶縁層１６の上であって、電極１４の少なくとも一部を避けて設けられ、第１の絶縁層１６側の第２の面２１と、第２の面２１と反対側の第３の面２２と、第２の面２１と第３の面２２を接続する第４の面２３と、を有する樹脂層２０を形成することができる。なお、樹脂層２０に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。樹脂層２０は、公知のいずれかの方法によって形成されてもよい。ここで、樹脂層２０を形成する工程は、電極１４の少なくとも一部の上に位置する開口部２４を形成する工程を有していてもよい。樹脂層２０は、例えば、感光性の樹脂層を半導体基板１０の第１の絶縁層１６上に形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理し、第４の面２３や、開口部２４をパターニングしてもよい（図示せず）。
【００７７】
次に、図６（Ｃ）に示すように、導電層３０を形成する。ここで、図６（Ｃ）に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上に設けられたランド部３１（第１の部分）と、ランド部３１と電極１４とを電気的に接続する第２の部分３２と、第１の部分３１または第２の部分３２と、第４の部分３４を介して電気的に接続し、半導体基板１０の第１の外周部１３へ向かって延びる第３の部分３３と、を有する導電層３０を形成することができる。なお、導電層３０に係る説明は、上述された説明を適用し、省略する。
【００７８】
導電層３０の製造方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いて形成されていてもよい。例えば、図示はしないが、スパッタ法によって、銅（Ｃｕ）からなる導電膜を形成した後、導電層３０が所望の配線パターンとなるようにレジストを形成し、電界メッキ法によりメッキ成長させて、第１の導電層３０ａとなる導電層を形成する。次に、第１の導電層３０ａの上に、第１の導電層３０ａよりも耐腐食性の高い第２の導電層３０ｂを、例えば電界メッキ法により形成する。次に、レジストを除去し、第２の導電層３０ｂをマスクとしてエッチングを行い、第１の導電層３０ａをパターニングする。以上によって、第１の導電層３０ａと第２の導電層３０ｂとからなる導電層３０を所望の形状にパターニングすることができる。ここで、導電層３０を形成する工程は、図６（Ｃ）に示すように、第３の部分３３を、樹脂層２０の第４の面２３の上に形成する工程を有する。
【００７９】
ここで、図示はしないが、第１の導電層３０ａを形成した後、レジストを除去し、例えば、スパッタ法などによって、第２の導電層３０ｂが第１の導電層３０ａを覆うように形成してもよい（図３（Ａ）参照）。
【００８０】
また、図示はしないが、第２の導電層３０ｂを後述される第２の絶縁膜４０を形成した後、第２の絶縁膜４０から露出する第１の導電層３０ａに、例えば無電解メッキを行うことによって、導電層３０のランド部３１と第３の部分３３のみに第２の導電層３０ｂを形成してもよい（図３（Ｂ）参照）。
【００８１】
次に、図６（Ｄ）に示すように、第２の絶縁層４０を形成する。ここで、図６（Ｄ）に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上において導電層３０の第２の部分３２を覆うように設けられ、導電層３０のランド部３１の少なくとも一部の上に位置する開口部４１を有し、かつ、導電層３０の第３の部分３３の少なくとも一部が露出するように位置する第２の外周辺４２を有する第２の絶縁層４０を形成することができる。なお、第２の絶縁層４０の説明は、上述された説明を適用し、省略する。第２の絶縁層４０は、公知のいずれかの方法によって形成されてもよい。第２の絶縁層４０は、例えば、感光性の樹脂層を樹脂層２０および導電層３０の上に形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理し、第２の外周辺４２や、開口部４１をパターニングしてもよい（図示せず）。
【００８２】
次に、第２の絶縁層４０の開口部４１内のランド部３１の上に外部端子５０が形成されてもよい（図２参照）。外部端子５０は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、例えば半田ペーストから形成された半田バンプ（ソルダーボール）であってもよい。
【００８３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以上のいずれかの構成をとることができる。
【００８４】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、放熱性が向上した半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００８５】
上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００８６】
１ 集積回路、１０ 半導体基板、１１ 第１の面、１２ 面、
１３ 第１の外周辺、１３ａ 第１の辺、１４ 電極、１６ 第１の絶縁層、
１６ａ 開口部、１６ｂ 第３の外周辺、２０ 樹脂層、２１ 第２の面、
２２ 第３の面、２３ 第４の面、２４ 開口部、３０ 導電層、
３０ａ 第１の導電層、３０ｂ 第２の導電層、３１ 第１の部分、３２ 第２の部分、
３３ 第３の部分、３４ 第４の部分、４０ 第２の絶縁層、４１ 開口部、
４２ 第２の外周辺、５０ 外部端子、１００ 半導体装置、１２０ 樹脂層、
１２１ 第２の面、１２２ 第３の面、１２３ 第４の面、１３０ 導電層、
１３０ａ 導電層、１３０ｂ 第２の導電層、１３１ 第１の部分、
１３２ 第２の部分、１３３ 第３の部分、１３４ 第４の部分、
１４０ 第２の絶縁層、１４１ 開口部、１４２ 第２の外周辺、
２００ 半導体装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体基板の上に形成された樹脂層の上に配線および外部端子を形成する、ＷＣＳＰ（ウェハレベルチップサイズパッケージ）と呼ばれるパッケージ技術を採用した半導体装置が知られている（特許文献１）。ＷＣＳＰを採用した半導体装置は、外部端子となるハンダボールを形成するために、配線は、例えばソルダーレジストによって封止される。
【０００３】
このようなパッケージは、外部端子以外に、有効な放熱経路を有していないため、その他のパッケージと比べて放熱性が低い。したがって、このようなパッケージを採用した半導体装置の放熱性の向上が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４３０５６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の様態の１つは、放熱性が向上した半導体装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の様態の１つは、放熱性が向上した半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の様態の１つである半導体装置は、
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記第２の開口部内に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する。
【０００８】
なお、本発明に係る記載では、「〜の上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「〜の上」という文言を用いている。同様に、「〜の下」という文言は、Ａ下に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ下に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとする。
【０００９】
また、本発明に係る記載では、「〜の外周辺」という文言を、「半導体基板の第１の面の法線方向から見た場合の平面形状の最も外側の部分（外周部分）が構成する辺」という意味で用いる。例えば、「Ａの外周辺」という文言の場合、半導体基板の第１の面の法線方向から見た場合の構成Ａの平面形状の外周の辺を意味する。また、例えば、構成Ａの外周部分が面であって、半導体基板の第１の面の法線に対して斜めの傾斜を有した面である場合、その面と、半導体基板の第１の面との接線を「Ａの外周辺」という意味で用いる。また、「〜の外周面」という文言を、「第１の面１１の法線方向から見た場合の平面形状の最も外側に位置する面」という意味で用いる。例えば、「Ａの外周面」という文言の場合、第１の面１１の法線方向から見た場合に、構成Ａが有する面の内、構成Ａの中心から最も外側に位置する面を意味する。
【００１０】
本発明によれば、導電層の第３の部分が、大気中に露出することができる。これによれば、第３の部分からの放熱経路を有する半導体装置を提供することができる。したがって、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。
【００１１】
（２）本発明の様態の１つにおいて、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第４の面の上に位置していてもよい。
【００１２】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１３】
（３）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺と接しないように形成されていてもよい。
【００１４】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１５】
（４）本発明の様態の１つにおいて、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺および前記半導体基板の前記第１の面に接するように形成されていてもよい。
【００１６】
これによれば、放熱部分となる第３の部分の表面積をより大きくとることができるため、より放熱性を向上させることができる。
【００１７】
（５）本発明の様態の１つにおいて、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記電極は、前記樹脂層の前記第４の面と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置していてもよい。
【００１８】
（６）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に形成される第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有していてもよい。
【００１９】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
（７）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電膜と、前記第１の導電膜を覆うように形成された第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有していてもよい。
【００２１】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２２】
（８）本発明の様態の１つにおいて、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電膜と、前記第１の導電膜の上に形成された第２の導電膜と、を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜よりも高い耐腐食性を有し、
前記第２の導電膜は、前記導電層の前記第１の部分と前記第３の部分においてのみ形成されていてもよい。
【００２３】
これによれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００２４】
（９）本発明の様態の１つである半導体装置の製造方法は、
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する開口部を有する第１の絶縁層と、を有する構造体を準備する工程と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第２の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分と電気的に接続する第３の部分と、を有する導電層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する開口部を有し、かつ、前記導電層の第３の部分を避けて第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の前記開口部の内側に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置するように形成される。
【００２５】
本発明によれば、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置のＩＩ−ＩＩ線断面の要部を模式的に示す断面図。
【図３（Ａ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｂ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｃ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図３（Ｄ）】第１実施形態に係る半導体装置の変形例を模式的に示す断面図。
【図４】第２実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図。
【図５】図４に示す半導体装置のＶ−Ｖ線断面の要部を模式的に示す断面図。
【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態およびその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２８】
１． 半導体装置
１．１ 第１実施形態
以下、図面を参照して、第１実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００２９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置１００のＩＩ−ＩＩ線での断面の一部を模式的に示す断面図である。
【００３０】
図１に示すように、半導体装置１００は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、図１に示すように、チップ状をなしていてもよい。すなわち、半導体基板１０は半導体チップであってもよい。あるいは、半導体基板１０は、複数の半導体基板１０からなるウエハ状をなしていてもよい（図示せず）。例えば、導体基板１０は、シリコン基板であってもよい。図２に示すように、半導体基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１は、半導体基板１０の一方の面の表層に形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３１】
半導体基板１０がチップ状をなす場合、図１および図２に示すように、半導体基板１０は、第１の面１１と、第１の面１１と反対側の面である面１２とを有する。図１および図２に示すように、第１の面１１は、集積回路１が表層に形成される面であってもよい。
【００３２】
第１の面１１は、図１に示すように、第１の外周辺１３を有する。例えば、図１に示すように、第１の外周辺１３は、一方向に延びる第１の辺１３ａによって構成される。第１の外周辺１３は、半導体基板を第１の面の法線方向から見た場合の第１の面１１の外周を構成する、連続した辺である。第１の外周辺１３は複数の辺（第１の辺１３ａ）が接続されて形成されていてもよい。したがって、半導体基板１０の平面形状（第１の面１１の法線方向から見た平面形状）が矩形である場合、第１の外周辺１３は矩形であることができる。また、図示はしないが、半導体基板１０が、ウエハ状である場合、第１の外周辺１３は、カッターやスクライバによって切断される切断線（スクライブライン）であってもよい。
【００３３】
図１および図２に示すように、半導体装置１００は、第１の面１１上に電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよい。電極１４は、半導体基板１０の内部配線の一部であってもよい。電極１４が形成される領域は、第１の面１１の上である限り、特に限定されない。電極１４は、集積回路１が形成される領域の上方に形成されてもよい。または、電極１４は、集積回路１が形成される領域以外に形成されていてもよい。電極１４は、図１に示すように、複数形成されてもよい。電極１４は、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って配置されていてもよい。また、電極１４は、半導体基板１０の中央部に形成されていてもよい。
【００３４】
電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されていてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するチタン（Ｔｉ）またはチタンタングステン（ＴｉＷ）などの金属で形成されるバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３５】
図１および図２に示すように、半導体装置１００は、第１の絶縁層１６を有する。第１の絶縁層１６はパッシベーション膜であってもよい。第１の絶縁層１６は、第１の面１１上で、電極１４の少なくとも一部を露出させるように形成されていてもよい。つまりは、第１の絶縁層１６は、電極１４の少なくとも一部とオーバーラップする開口部１６ａを有していてもよい。図１および図２に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の面１１の第１の外周辺１３を覆わないように形成されていてもよい。図１に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の面１１の法線方向から見た場合の平面視において（以下、「平面視において」とも言う）、第１の面１１よりも小さい面積を有するように形成されていてもよい。図２に示すように、第１の絶縁層１６は、第１の絶縁層１６の外周辺である第３の外周辺１６ｂを、第１の面１１の上に有していてもよい。第３の外周辺１６ｂは、平面視において、第１の絶縁層１６の外周を構成する辺である。第３の外周辺１６ｂは複数の辺が接続されて形成されていてもよい。第３の外周辺１６ｂは、図１に示すように、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って形成されていてもよい。
【００３６】
第１の絶縁層１６の材質は、電気的絶縁性を有する限り、特に限定されない。例えば、第１の絶縁層１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁層であってもよい。あるいは、第１の絶縁層１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁層であってもよい。
【００３７】
図２に示すように、半導体装置１００は、第１の絶縁層１６の上に樹脂層２０を有する。図２に示すように、樹脂層２０は、電極１４の少なくとも一部を避けて設けられ、第１の絶縁層１６側の第２の面２１と、第２の面２１と反対側の第３の面２２と、第２の面２１と第３の面２２を接続する外周面である第４の面２３と、を有する。第４の面２３は、平面視において、樹脂層２０が有する面の内、樹脂層２０の中心から最も離れた連続面であってもよい。樹脂層２０は、応力緩和層であってもよい。図１に示すように、樹脂層２０は、平面視において、第１の絶縁層１６よりも小さい面積を有する。図２に示すように、樹脂層２０は、外周面である第４の面２３を、第１の絶縁層１６の上に有していてもよい。図１に示すように、樹脂層２０の第４の面２３は、平面視において、後述される第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２と半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に位置していてもよい。また、第４の面２３は、図１に示すように、半導体基板１０の第１の外周辺１３に沿って形成されていてもよい。
【００３８】
図２に示すように、樹脂層２０は、電極１４の少なくとも一部の上に位置する開口部２４を有する。これによって、電極１４の少なくとも一部が樹脂層２０に覆われることがない。開口部２４の大きさは、半導体装置の外部端子数を考慮して、電極１４との導通性を確保できる限り、小さく設計してもよい。また、電極１４との導通性を確実とするために、開口部２４は、開口部１６ａよりも大きくてもよい。
【００３９】
樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）などの樹脂で形成されていてもよい。
【００４０】
図２に示すように、開口部２４内において電極１４と電気的に接続する導電層３０が形成される。導電層３０は、図２に示すように、樹脂層２０の第２の面２１の上に設けられた第１の部分３１（ランド部３１）と、第１の部分３１と電極１４とを電気的に接続する第２の部分３２と、第１の部分３１または第２の部分３２と電気的に接続する第３の部分３３と、を有する。第３の部分３３は、第１の部分３１または第２の部分３２と、直接接続していてもよいし、導電層を介して間接的に接続していてもよい。つまりは、図２に示すように、第３の部分３３は、第４の部分３４を介して第１の部分３１または第２の部分３２と電気的に接続されていてもよい。
【００４１】
導電層３０の第１の部分３１（ランド部３１）は、図２に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上に設けられる導電層３０の一部であって、後述される外部端子５０が上方に形成される部分である。ランド部３１は、後述される第２の絶縁層４０の開口部４１が上方に形成される部分であってもよい。ランド部３１の形状は、特に限定されず、外部端子５０に対応して適宜決定される。
【００４２】
導電層３０の第２の部分３２は、図２に示すように、電極１４とランド部３１を電気的に接続する導電層３０の一部であって、開口部２４内から樹脂層２０の第３の面２２の上に至るように形成されていてもよい。図１に示すように、第２の部分３２の形状は、電極１４とランド部３１とを電気的に接続できる限り特に限定されず、直線であってもよいし、適宜、屈曲していてもよい。
【００４３】
導電層３０の第３の部分３３は、図２に示すように、電極１４から半導体基板１０の第１の外周辺１３に向かって延びる導電層３０の一部であって、後述される第２の絶縁層４０に覆われない部分である。第４の部分３４は、第３の部分３４と、第１の部分３１または第２の部分３２とを電気的に接続する部分であって、後述される第２の絶縁層４０に覆われる部分である。第３の部分３３は、第４の部分３４を介して電極１４と電気的に接続し半導体基板１０の第１の外周辺１３に向かって延びていてもよい。第４の部分３４は、開口部２４内から第３の面２２の上に至るように延び、第３の部分３３と接続していてもよい。また、第３の部分３３は、第３の面２２から、第４の面２３の上を介して、第１の絶縁層１６の上に至るように形成されていてもよい。
【００４４】
第３の部分３３は、第２の絶縁層４０に覆われない、導電層３０の露出部分であってもよい。第３の部分３３は、図１および図２に示すように、後述される第２の絶縁層４０から露出する。第３の部分３３は、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２より外側であって、かつ、半導体基板１０の第１の外周辺１３（第１の辺１３ａ）より内側に形成される。つまりは、第３の部分３３は、半導体基板１０の第１の外周辺１３（第１の辺１３ａ）と、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２との間に形成される。言い換えると、半導体基板１０の中心から第１の外周辺１３までの領域において、第３の部分３３は第１の外周辺１３を構成する第１の辺１３ａと第２の絶縁層４０との間に位置している。図２に示すように、第３の部分３３は、樹脂層２０の第４の面２３から第１の外周辺１３に向かって延びていてもよい。また、図２に示すように、第３の部分３３は、第１の絶縁層１６の第３の外周辺１６ｂまでは至らないように形成されていてもよい。言い換えると、第３の部分３３は、外周辺１６ｂとは接しないように形成されていてもよい。
【００４５】
図１に示すように、第３の部分３３の平面視における形状は、隣接する複数の第３の部分３３同士が、互いに絶縁性を保てる程度に離れて配置されている限り、特に限定されない。例えば、第３の部分３３は、第１の外周辺１３に沿って延びていてもよい。また、例えば、第３の部分３３は、半導体基板１０の角部に沿って形成されていてもよい。
【００４６】
ここで、図２に示すように、導電層３０は、第１の導電層３０ａと第２の導電層３０ｂとを有していてもよい。第１の導電層３０ａは、樹脂層２０の上に形成される層であって、導電層３０の下層であってもよい。また、第２の導電層３０ｂは、第１の導電層３０ａの上に形成される層であって、導電層３０の上層であってもよい。導電層３０の材料は、導電性を有する限り特に限定されない。
【００４７】
例えば、第１の導電層３０ａは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびクロム（Ｃｒ）のいずれか１つを含む単層体であってもよい。または、第１の導電層３０ａは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくとも１つを含む積層体であってもよい。
【００４８】
第２の導電層３０ｂの材料は、第１の導電層３０ａの導電材料よりも高い耐腐食性を有する限り特に限定されない。例えば、第２の導電層３０ｂは、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のいずれか１つを含む単層体であってもよい。また、例えば、第２の導電層３０ｂは、金（Ａｕ）およびニッケル（Ｎｉ）を含む積層体であってもよい。
【００４９】
図２に示すように、導電層３０の上に、第２の絶縁層４０が形成される。第２の絶縁層４０は、図２に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上において導電層３０の第２の部分３２を覆うように設けられる。また、第２の絶縁層４０は、図２に示すように、導電層３０の第１の部分３１（ランド部３１）の少なくとも一部の上に位置する開口部４１を有していてもよい。また、第２の絶縁層４０は、図２に示すように、導電層３０の第３の部分３３が露出するように位置する第２の外周辺４２を有していてもよい。つまりは、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２は、導電層３０の第３の部分３３を形成するように、樹脂層２０の第３の面２２の上に位置していてもよい。言い換えると、第２の絶縁層４０は第３の部分３３を避けるように形成されていてもよい。
【００５０】
第２の絶縁層４０の材質は、絶縁性を有し、導電層３０の一部を封止できる限り、特に限定されない。例えば、第２の絶縁層４０は、公知の樹脂であってもよい。また、例えば、第２の絶縁層４０は、公知のソルダーレジストであってもよい。具体的には、第２の絶縁層４０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００５１】
図２に示すように、第２の絶縁層４０の開口部４１内に外部端子５０が設けられる。外部端子５０は、導電層３０のランド部３１と電気的に接続されている。これによって、外部端子５０は、導電層３０を介して電極１４と電気的に接続されることができる。外部端子５０は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、例えば半田ペーストから形成された半田バンプ（ソルダーボール）であってもよい。
【００５２】
以上のいずれかの構成によって、本実施形態に係る半導体装置１００を構成することができる。
【００５３】
本実施形態に係る半導体装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５４】
本発明によれば、導電層３０の一部の第３の部分３３が、第２の絶縁層４０の第２の外周辺４２と、半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に形成された半導体装置１００を提供することができる。これによれば、外部端子５０とは別に、導電層３０の第３の部分３３から、半導体装置１００の熱を大気中に放熱することができる。したがって、放熱性が向上した半導体装置を提供することができる。なお、この特徴は、以下に説明する変形例でも同様である。
【００５５】
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）を用いて、本実施形態に係る半導体装置１００の変形例を示す。
【００５６】
（第１変形例）
図３（Ａ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、導電層３０は、樹脂層２０の上に形成される第１の導電層３０ａと、第１の導電層３０ａを覆うように形成された第２の導電層３０ｂと、を有する。本変形例に係る半導体装置１００の導電層３０においては、導電層３０ａの第１の絶縁層１６と向かい合う面以外の面を、第２の導電層３０ｂが覆っていてもよい。
【００５７】
本変形例によれば、第１の導電層３０ａが、第３の部分３３において大気中に露出せず、安定的な金属材料からなる第２の導電層３０ｂによって覆われる。したがって、導電層３０の信頼性を向上させることができる。
【００５８】
（第２変形例）
図３（Ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、第２の導電層３０ｂは、第１の導電層３０ａのランド部３１と第３の部分３３においてのみ形成されていてもよい。
【００５９】
本変形例によれば、第２の導電層３０ｂを形成することによって、導電層３０と外部端子５０との接合強度を高めることができ、半導体装置１００の機械的強度を向上させることができる。
【００６０】
また、本変形例によれば、第２の導電層３０ｂの使用量を低減することができ、生産性を向上させることができる。
【００６１】
（第３変形例）
図３（Ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体装置１００の一例においては、導電層３０の第３の部分３３は、樹脂層２０の第４の面２３から第１の外周辺１３に向かって延び、第１の絶縁層１６の第３の外周辺１６ｂまで覆い、半導体基板１０の第１の面１１に接するように形成される。図３（Ｃ）に示すように、第１の導電層３０ａのみが第１の面１１と接するように形成されていてもよい。
【００６２】
本変形例によれば、放熱部分となる導電層３０の第３の部分３３を最大限の大きさで形成することができるため、半導体装置１００の放熱性をより向上させることができる。
【００６３】
また、図３（Ｄ）に示すように、第１の導電層３０ａおよび第２の導電層３０ｂが、第１の面１１に接するように形成されていてもよい。
【００６４】
本変形例によれば、放熱部分となる導電層３０の第３の部分３３を最大限の大きさで形成することができ、かつ、確実に第１の導電層３０ａを第２の導電層３０ｂによって保護することができる半導体装置１００を提供することができる。
【００６５】
（第４変形例）
図示はされないが、第３変形例に、第２変形例を適用してもよい。つまりは、第３変形例に係る第２の導電層３０ｂを、第１の導電層３０ａのランド部３１と第３の部分３３においてのみ形成してもよい。
【００６６】
１．２ 第２実施形態
以下、図面を参照して、第２実施形態に係る半導体装置２００について説明する。第２実施形態に係る半導体装置２００は、樹脂層２０、導電層３０および第２の絶縁層４０の構造において、第１実施形態に係る半導体装置１００と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成に関しては、同様の符号を付して、その説明を省略する。
【００６７】
図４は、本実施形態に係る半導体装置２００を模式的に示す平面図である。図５は、図４に示す半導体装置２００のＶ−Ｖ線の要部を模式的に示す断面図である。
【００６８】
図４および図５に示すように、樹脂層１２０は、電極１４を避けて設けられる。樹脂層１２０は、第１実施形態と同様に、第１の絶縁層１６側の第２の面１２１と、第２の面１２１の反対側の第３の面１２２と、第２の面１２１と第３の面１２２とを接続する第４の面１２３と、を有する。しかしながら、本実施形態に係る樹脂層１２０は、電極１４の上に位置する開口部を有さない。したがって、本実施形態に係る樹脂層１２０は、図５に示すように、電極１４が、樹脂層１２０の外周面である第４の面１２３と、半導体基板１０の第１の外周辺１３との間に位置するように、形成される。つまりは、電極１４よりも半導体基板１０の中心側にのみ、樹脂層１２０が形成されていればよい。
【００６９】
次に、導電層１３０は、第１の絶縁層１６の開口部１６ａ内において、電極１４と電気的に接続する。導電層１３０は、電極１４の上から樹脂層１２０の第２の面１２０の上に至るように延び、第３の面１２２の上のランド部１３１（第１の部分）と電気的に接続される第２の部分１３２と、第１の部分１３１または第２の部分１３２と、第４の部分１３４を介して電気的に接続し、半導体基板１０の第１の外周辺１３へ向かって延びる第３の部分１３３と、を有していてもよい。ここで、第３の部分１３３は、第１の絶縁層１６の上に設けられていてもよい。
【００７０】
次に、第２の絶縁層１４０は、第１実施形態と同様に、導電層１３０の第３の部分１３３が露出するように位置する第２の外周辺１４２を有する。つまりは、第２の外周辺１４２は、第３の部分１３３を避けて設けられる。これによって、図５に示すように、導電層１３０が、露出部分である第３の部分１３３を有することができる。
【００７１】
以上のいずれかの構成によって、本実施形態に係る半導体装置２００を構成することができる。
【００７２】
本実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態と同様の特徴を有することができる。また、図示はしないが、本実施形態に係る半導体装置２００においても、第１実施形態に係る第１〜第４変形例に係る変形を適用することができる。
【００７３】
２． 半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する。したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以下に限定されるものではない。
【００７４】
図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を模式的に説明する要部の断面図である。
【００７５】
まず、図６（Ａ）に示すように、第１の外周辺１３を有する第１の面１１と、第１の面１１の反対側の第２の面１２と、を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１１の上に設けられた電極１４と、半導体基板１０の第１の面１１の上に設けられ、電極１４の上に位置する開口部１６ａを有する第１の絶縁層１６と、を有する構造体を準備する。なお、半導体基板１０、電極１４および第１の絶縁層１６に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。
【００７６】
次に、図６（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の第１の絶縁層１６の所望の領域に樹脂層２０を形成する。ここで、図６（Ｂ）に示すように、第１の絶縁層１６の上であって、電極１４の少なくとも一部を避けて設けられ、第１の絶縁層１６側の第２の面２１と、第２の面２１と反対側の第３の面２２と、第２の面２１と第３の面２２を接続する第４の面２３と、を有する樹脂層２０を形成することができる。なお、樹脂層２０に係る説明は、上述されている説明を適用し、省略する。樹脂層２０は、公知のいずれかの方法によって形成されてもよい。ここで、樹脂層２０を形成する工程は、電極１４の少なくとも一部の上に位置する開口部２４を形成する工程を有していてもよい。樹脂層２０は、例えば、感光性の樹脂層を半導体基板１０の第１の絶縁層１６上に形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理し、第４の面２３や、開口部２４をパターニングしてもよい（図示せず）。
【００７７】
次に、図６（Ｃ）に示すように、導電層３０を形成する。ここで、図６（Ｃ）に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上に設けられたランド部３１（第１の部分）と、ランド部３１と電極１４とを電気的に接続する第２の部分３２と、第１の部分３１または第２の部分３２と、第４の部分３４を介して電気的に接続し、半導体基板１０の第１の外周部１３へ向かって延びる第３の部分３３と、を有する導電層３０を形成することができる。なお、導電層３０に係る説明は、上述された説明を適用し、省略する。
【００７８】
導電層３０の製造方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いて形成されていてもよい。例えば、図示はしないが、スパッタ法によって、銅（Ｃｕ）からなる導電膜を形成した後、導電層３０が所望の配線パターンとなるようにレジストを形成し、電界メッキ法によりメッキ成長させて、第１の導電層３０ａとなる導電層を形成する。次に、第１の導電層３０ａの上に、第１の導電層３０ａよりも耐腐食性の高い第２の導電層３０ｂを、例えば電界メッキ法により形成する。次に、レジストを除去し、第２の導電層３０ｂをマスクとしてエッチングを行い、第１の導電層３０ａをパターニングする。以上によって、第１の導電層３０ａと第２の導電層３０ｂとからなる導電層３０を所望の形状にパターニングすることができる。ここで、導電層３０を形成する工程は、図６（Ｃ）に示すように、第３の部分３３を、樹脂層２０の第４の面２３の上に形成する工程を有する。
【００７９】
ここで、図示はしないが、第１の導電層３０ａを形成した後、レジストを除去し、例えば、スパッタ法などによって、第２の導電層３０ｂが第１の導電層３０ａを覆うように形成してもよい（図３（Ａ）参照）。
【００８０】
また、図示はしないが、第２の導電層３０ｂを後述される第２の絶縁膜４０を形成した後、第２の絶縁膜４０から露出する第１の導電層３０ａに、例えば無電解メッキを行うことによって、導電層３０のランド部３１と第３の部分３３のみに第２の導電層３０ｂを形成してもよい（図３（Ｂ）参照）。
【００８１】
次に、図６（Ｄ）に示すように、第２の絶縁層４０を形成する。ここで、図６（Ｄ）に示すように、樹脂層２０の第３の面２２の上において導電層３０の第２の部分３２を覆うように設けられ、導電層３０のランド部３１の少なくとも一部の上に位置する開口部４１を有し、かつ、導電層３０の第３の部分３３の少なくとも一部が露出するように位置する第２の外周辺４２を有する第２の絶縁層４０を形成することができる。なお、第２の絶縁層４０の説明は、上述された説明を適用し、省略する。第２の絶縁層４０は、公知のいずれかの方法によって形成されてもよい。第２の絶縁層４０は、例えば、感光性の樹脂層を樹脂層２０および導電層３０の上に形成した後、公知のフォトリソグラフィー技術によって露光処理し、第２の外周辺４２や、開口部４１をパターニングしてもよい（図示せず）。
【００８２】
次に、第２の絶縁層４０の開口部４１内のランド部３１の上に外部端子５０が形成されてもよい（図２参照）。外部端子５０は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではなく、例えば半田ペーストから形成された半田バンプ（ソルダーボール）であってもよい。
【００８３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は以上のいずれかの構成をとることができる。
【００８４】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、放熱性が向上した半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００８５】
上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００８６】
１ 集積回路、１０ 半導体基板、１１ 第１の面、１２ 面、
１３ 第１の外周辺、１３ａ 第１の辺、１４ 電極、１６ 第１の絶縁層、
１６ａ 開口部、１６ｂ 第３の外周辺、２０ 樹脂層、２１ 第２の面、
２２ 第３の面、２３ 第４の面、２４ 開口部、３０ 導電層、
３０ａ 第１の導電層、３０ｂ 第２の導電層、３１ 第１の部分、３２ 第２の部分、
３３ 第３の部分、３４ 第４の部分、４０ 第２の絶縁層、４１ 開口部、
４２ 第２の外周辺、５０ 外部端子、１００ 半導体装置、１２０ 樹脂層、
１２１ 第２の面、１２２ 第３の面、１２３ 第４の面、１３０ 導電層、
１３０ａ 導電層、１３０ｂ 第２の導電層、１３１ 第１の部分、
１３２ 第２の部分、１３３ 第３の部分、１３４ 第４の部分、
１４０ 第２の絶縁層、１４１ 開口部、１４２ 第２の外周辺、
２００ 半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記第２の開口部内に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第４の面の上に位置する半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺と接しないように形成される、半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺および前記半導体基板の前記第１の面に接するように形成される、半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記電極は、前記樹脂層の前記第４の面と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する、半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記導電層は、第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成される第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有する、半導体装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項において、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層を覆うように形成された第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項において、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有し、
前記第２の導電層は、前記導電層の前記第１の部分と前記第３の部分においてのみ形成される、半導体装置。
【請求項９】
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する開口部を有する第１の絶縁層と、を有する構造体を準備する工程と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第２の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する開口部を有し、かつ、前記導電層の第３の部分を避けて第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の前記開口部の内側に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置するように形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１】
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、
前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の前記第２の開口部内に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第４の面の上に位置する半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺と接しないように形成される、半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁層は、前記樹脂層と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する外周辺を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の絶縁層の前記外周辺および前記半導体基板の前記第１の面に接するように形成される、半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記樹脂層の前記第２の面と、前記樹脂層の前記第３の面とを接続し、前記樹脂層の外周面である第４の面を有し、
前記電極は、前記樹脂層の前記第４の面と、前記第１の面の前記第１の辺との間に位置する、半導体装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記導電層は、第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成される第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有する、半導体装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項において、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層を覆うように形成された第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項において、
前記導電層は、前記樹脂層の上に形成される第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層よりも高い耐腐食性を有し、
前記第２の導電層は、前記導電層の前記第１の部分と前記第３の部分においてのみ形成される、半導体装置。
【請求項９】
第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられた電極と、前記半導体基板の前記第１の面の上に設けられ、前記電極の上に位置する開口部を有する第１の絶縁層と、を有する構造体を準備する工程と、
前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられ、前記第１の絶縁層側の第２の面と、前記第２の面と反対側の第３の面と、を有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第２の面の上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分と、前記第１の部分または前記第２の部分に電気的に接続された第３の部分と、を有する導電層を形成する工程と、
前記樹脂層の前記第３の面の上において前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する開口部を有し、かつ、前記導電層の第３の部分を避けて第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の前記開口部の内側に設けられ、前記導電層と電気的に接続された外部端子を形成する工程と、
を有し、
前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置するように形成される、半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３（Ａ）】
【図３（Ｂ）】
【図３（Ｃ）】
【図３（Ｄ）】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３（Ａ）】
【図３（Ｂ）】
【図３（Ｃ）】
【図３（Ｄ）】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１１９４６０（Ｐ２０１１−１１９４６０Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７５５５６（Ｐ２００９−２７５５５６）
【出願日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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