【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に研磨パッド及び基板１００に付着した異物を同時に除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１０の外側の銅膜１１２及び１１３を研磨により除去した後、各配線用溝１１０の外側の窒化タンタル膜１１１を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＦＳＧ膜１０９の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 配線遅延を抑止し配線の微細化及び多層配線化を可能とする配線構造、及び当該配線構造の材料に固有の諸問題、例えば一方の材料の他方の材料への溶出等の不都合を解決して、信頼性の高い配線構造を実現する。
【解決手段】 Ｃｕ配線１０１と電気的に接続されるWプラグ１０２を形成するに際して、■ＷＦ₆ガスを一定時間連続して供給する工程、■。ＷＦ₆ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程、■ＳｉＨ₄ガスを一定時間連続して供給する工程、■ＳｉＨ₄ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程からなる一連工程（工程■〜■）を繰り返し行い、Ｗ核形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて歩留まり，信頼性，電気的特性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】 絶縁膜６０上の下層絶縁膜６１に銅の下層配線６２を形成（Ｓ６１）した後、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜６３，ストッパ膜６４を順次形成し、ストッパ膜６４における下層配線６２上に孔６４ａを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜６３にコンタクトホール６３ａを形成する（Ｓ６２）。その後、上層絶縁膜６５を形成しマスク６６を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜６５に溝部６５ａを形成すると共に、コンタクトホール６３ａ中の上層絶縁膜６５を除去する（Ｓ６３）。そして、バリア膜６７を形成（Ｓ６４）した後、Ｃｕ−Ｎｉ膜，Ｃｕ−Ｚｎ膜，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ膜のうち何れかを堆積してシード膜６８を形成する（Ｓ６５）。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６には、ヴィアコンタクトＢの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトＢは開口部において第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４と接続している。第１及び第２の密着層１０９、１１０は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第２の窒化チタン膜１０６における開口部の周辺領域と接続している。 （もっと読む）

【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）