【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】パッド部や下層配線等のクラック、半導体素子の破壊を防止できる構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】電極層５８を第３絶縁膜６０にて覆うようにすることで、第３絶縁膜６０にて電極層５８が固定されるようにする。これにより、ボンディング時の衝撃により電極層５８が変形してしまうことを従来以上に抑制することが可能となる。特に、電極層５８をヤング率が１×１０⁴ｋｇ／ｍｍ²以上の材料とし、かつ、電極層５８の膜厚を０．３μｍ以上、好ましくは１μｍ以上とすると良い。また、パッド部６２をヤング率が８．０×１０³ｋｇ／ｍｍ²以上の材料とし、かつ、パッド部６２の膜厚を０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上とすると良い。 （もっと読む）

【課題】外部から曲げ等の物理的な力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の素子の損傷を抑制する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられ、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上に、少なくとも不純物領域の一部と重なるように設けられた第２の導電膜と、第２の導電膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上に、開口部を介して不純物領域と電気的に接続するように設けられた第３の導電膜とを設ける。 （もっと読む）

【課題】インダクタで生じた磁場が集積回路に対して影響を与えることを防止し、かつ、インダクタの磁気特性を劣化させることのない半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１１と、この半導体基板１１に重ねて配されるインダクタ１２とを備えている。半導体基板１１とインダクタ１２との間には、磁気シールド層１３が配される。磁気シールド層１３は、半導体基板１１側に配された、高導電率材料からなる高導電率層１６と、インダクタ１２側に配された、高透磁率材料からなる高透磁率層１７とを隣接して重ねた２層構造を成す。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板と、この製造方法及びこれを備えた液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板の上に一方向に延設されたゲートラインと、基板の上にゲートラインと所定の間隔を隔てて形成された共通電圧ラインと、ゲートラインと共通電圧ラインの上に形成され、共通電圧ラインの一部を露出させる第１のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成され、第１のコンタクトホールを介して共通電圧ラインと接続された共通電極と、ゲート絶縁膜の上にゲートラインと交差する方向に延設されたデータラインと、ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成され、ゲートライン及びデータラインと接続されると共に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続された画素電極とを備える薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装効率を向上する。
【解決手段】表面側に電子デバイスが形成されてなる半導体基板と、前記半導体基板の裏面側に形成されるインダクタと、前記半導体基板の表面と裏面との間を貫通し、前記電子デバイスと前記インダクタとを電気的に接続する貫通電極と、前記半導体基板の裏面側の前記インダクタの形成位置と相反する前記半導体基板の表面側の位置に形成される、前記インダクタのインダクタンスを安定化させるための導電パターンと、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を使用せず、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、前記レーザビームを被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記光学系と前記被照射体との間に設けられたマスクと、を有し、前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記被照射体に照射される。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡素な工程にも拘わらず、Ｃｒ膜又はＡｌ膜から成る電極とコンタクトホールに形成される透明導電膜との間のコンタクト抵抗を低減できるアクティプマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層１３，１５中の異なる深さ位置に在るフッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより揮発しない金属膜１２，１４にそれぞれ達するように１マスクプロセスによって複数のコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板の製造方法であっつて、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２との混合ガスを用いてドライエッチングを行って複数のコンタクトホールを形成する工程と、複数のコンタクトホールに対して酸素アッシングを行う工程と、複数のコンタクトホール内に透明導電膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の第１の配線層１０１と第２の配線層１０２との間に比誘電率が平均して２．５以下の気体または絶縁物を介在させるとともに、第１の配線層１０１における配線と第２の配線層１０２における配線との間に所望の導電接続体を設け、さらに第１の配線層１０１における所定の配線と第２の配線層１０２における所定の配線との間に比誘電率が５以下の絶縁物熱伝導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で、チャネル活性層として結晶性シリコン層を有する薄膜トランジスタの特性のバラツキを抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る表示装置は、絶縁基板１上に形成されたポリシリコン層２と、絶縁基板１上に、ソース線を含み、ポリシリコン層２のソース領域２ａ及びドレイン領域２ｃの上に形成された配線層３と、ポリシリコン層２及び配線層３上に形成されたゲート絶縁層４と、ゲート絶縁層４上に形成され、ゲート線と、ポリシリコン層２のチャネル領域２ｂに対応して形成されたゲート電極５と、配線層３の一部に対応して形成されたキャパシタ電極６とを含むゲート電極層１１と、ゲート電極層１１上に形成された層間絶縁層７と、層間絶縁層７上に形成され、ゲート絶縁層４及び層間絶縁層７に設けられたコンタクトホール９を介してドレイン領域２ｃに接続された画素電極を含む画素電極層８とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。枠状の第１のマスク層の内側の空間を充填するように、液状の第２のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ第２のマスク層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、開口１１０ａ（第１開口）を有する第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と、第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上の一部から開口１１０ａ（第１開口）内にかけて形成され、最上面の大きさが第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と接する面の外周に囲まれた領域の大きさよりも小さい第１再配線層１１と、第１再配線層１１上及び第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上に形成された第２層間絶縁膜１２０（第２絶縁膜）とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性かつ低コストに製造することが可能な、多層間にまたがる配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の上方に位置するＡｕを含むインダクタ配線４と、インダクタ配線４の上に位置し、Ｆとの化合物の沸点または昇華温度が３００℃以上となるＡｌを含むインダクタ配線上層５とを上層の層間絶縁膜６で覆った後、Ｆを含むガスでインダクタ配線上層５が露出するまで上層の層間絶縁膜６をドライエッチングし、上層の層間絶縁膜６のエッチングで露出したインダクタ配線上層５をＣｌを含むガスでドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】表示ムラを低減することができる配線構造及び表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる配線構造は、アレイ基板上に形成された長さの異なる複数のゲート引き回し配線１３１ａと、複数のゲート引き回し配線に対応して設けられ、ゲート引き回し配線を切断する複数の配線切断部２３２と、配線切断部２３２で切断された引き回し配線を接続する接続部２３とを備え、接続部２３には、配線切断部２３２によって切断された引き回し配線を導通させる接続導電膜２３３が形成され、複数のゲート引き回し配線間の抵抗差に応じて、接続導電膜２３３の幅、及び配線切断部２３２の長さの少なくとも一方が、複数のゲート引き回し配線間で変化しているものである。 （もっと読む）

【課題】複数の画素を有する表示領域に形成された複数の信号配線、前記表示領域の外側に形成された複数のファンアウト配線を含む少なくとも１つのファンアウト配線部、前記信号配線とファンアウト配線の間に前記信号配線とほぼ平行に形成され前記２つの配線を連結し、少なくとも一部は屈曲パターンを有する複数の信号補償配線を含む信号補償配線部を含む薄膜トランジスタ基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】信号補償配線間の間隔は、駆動回路付近での配線間隔より充分に広いので、多数の配線にこのような屈曲パターンを容易に形成することができる。 （もっと読む）