【課題】回路装置における配線の接続信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、回路素子が形成された半導体基板１２と、半導体基板１２の表面Ｓに形成された電極１４と、繊維の向きが基板の表面に垂直な方向と交差するように配向されたガラス繊維１７を内部に含有し、電極１４の上に設けられた絶縁樹脂層１６と、絶縁樹脂層１６の上に設けられた再配線パターン１８と、絶縁樹脂層１６を貫通して電極１４および再配線パターン１８を電気的に接続する導電性バンプ２０と、を備える。ガラス繊維１７は、絶縁樹脂層１６より熱膨張係数が小さく、導電性バンプ２０の近傍において再配線パターン１８に向かって湾曲している。 （もっと読む）

【課題】複数の第１構造要素および複数の第２構造要素を備え、基板を光学的に位置合わせするための基板上マーカ構造を提供すること。
【解決手段】使用に際して、前記マーカ構造は、
前記マーカ構造上に向けられる少なくとも１本の光ビームを提供すること、
前記マーカ構造から受け取った光をセンサで検出すること、および
前記基板の位置を前記センサに関連づける情報を含む位置合わせ情報を前記検出光から求めることに基づいて前記光学的位置合わせを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ配線１０を、その中央部のＣｕ粒子１０ａが比較的大きく、その上部や下部のＣｕ粒子１０ａが比較的小さくなるような構造にする。このような構造は、Ｃｕ配線１０をダマシン法により形成する際の電解めっき時の電流密度を制御することによって形成することができる。このような構造にしたＣｕ配線１０では、その上部よりも中央部に比較的電流が流れやすくなり、その上部のＣｕ原子の拡散が抑えられるようになり、また、それにより、キャップ膜１４界面からのＣｕ原子の拡散が抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】 化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。
【解決手段】 化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体７８である。導電性軟金属構造の最上部層に２００ｎｍ以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 （もっと読む）

【課題】電荷保持膜を有する不揮発性記憶素子のトンネル消去を可能とする。
【解決手段】半導体基板上に第１絶縁膜（４２）を形成し、その上に、ソース領域（８）、ドレイン領域（７）、及びそれらの間にチャネル領域（９）を形成する半導体領域（１）を設け、チャネル領域上に第２絶縁膜（２）、その上に電荷保持膜（４）、更にその上にゲート電極（６）を設ける。半導体基板内に形成される共通ソース配線領域（５４）は接続孔（５３Ｈ）を介してソース領域に接続される。接続孔は、第１絶縁膜をゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ（５２）に対して自己整合的に除去することで形成される。接続孔にソース領域と共通ソース配線領域が接続されるプラグ（３７）が形成される。電荷保持膜が保持する電子を放出する動作をトンネルによって行っても第２絶縁膜に電子が残存する事態を阻止できる。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性が高く、かつ高速度で動作可能な高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】各々論理回路が形成された複数の論理回路セルと、前記複数の論理回路セルにそれぞれ接続された複数の配線と、を有し、前記複数の配線のうち、少なくとも１つは、開口部が形成され、他方の配線と開口率を異なるように形成されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

半導体構造の形成方法は、絶縁材料からなる層（２１０）を備えた半導体基板を設ける。絶縁材料からなる層内には凹部が設けられている。凹部には銀を含む材料（２１６）が充填されており、場合によってはロジウム（２１４），（２１７）で被覆されている。
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【課題】本発明は、配線の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に第１層配線溝１ａを有するウェハＷ上に、少なくとも第１層配線溝１ａに埋め込まれ、不純物濃度が下部４ｂより上部４ａの方が高いめっき膜４を形成する工程と、めっき膜４に熱処理を施す工程と、めっき膜４を熱処理した後、第１層配線溝１ａに埋め込まれた部分以外のめっき膜４を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に絶縁膜及びグルー膜を形成する段階と、上記グルー膜及び絶縁膜の一部を除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ側壁に絶縁膜を形成する段階と、トレンチ内部をクリーニングする段階と、ＡＬＤ法により核生成を行う段階と、トレンチ及びグルー膜を含む上記半導体基板の上部にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する段階と、上記絶縁膜が露出されるまで研磨工程を実施してダマシン構造のタングステン配線を形成する段階からなる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗タングステンを用いてコンタクトとビットライン金属配線を形成することにより、ビットラインの面抵抗値を減少させ、工程を簡素化してTATを改善させる方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１０１にコンタクトホールを形成し、バリアメタル１０２を形成後、全体構造上にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する。このときの核生成工程において、B2H6またはSiH4をドーピングし、タングステン膜のグレインサイズを増大させる。この後、ＣＭＰによりタングステン膜の表面粗さを緩和し、エッチングにより低抵抗タングステンからなるビットラインパターン１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビットラインの抵抗を減らすための半導体素子のビットライン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子のビットライン形成方法に関するものであり、所定の構造物が形成された半導体基板上にバリア金属膜を形成する段階と、バリア金属膜上に非晶質チタンカーボンニトリド膜を形成する段階と、ボロンガスが含まれた雰囲気で非晶質チタンカーボンニトリド膜上にタングステンシード層を形成する段階と、タングステンシード層上にタングステン膜を形成してビットラインを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 簡易な製法によって製造が可能で、エレクトロマイグレーション耐性に優れ、簡易な製法によって製造が可能な配線層を備える半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地絶縁膜２上にＡｌ合金を堆積して初期配線層３を形成した後、初期配線層３の表層部分にＡｌイオンを注入する。このとき、ウェハを回転させることで初期配線層３の表面外周部分にＡｌイオンを注入し、これによって当該部分をアモルファス化する。その後、熱処理工程を行い、アモルファス層を再結晶化して結晶粒径の小さい第２配線層７を外周部分に形成すると共に、初期配線層３を構成する結晶粒４の結晶成長を誘発して結晶粒径の大きい第１配線層８を内層部分に形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率な層間絶縁膜のダメージを十分に修復することで、配線信頼性を向上させることを可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜２１に配線溝２３および接続孔２２の少なくとも一方を形成する工程でのプラズマ処理により、プラズマダメージを受けた層間絶縁膜２１のダメージ層３１を修復する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜２１のダメージ層３１の修復工程は、プラズマダメージを修復するためのダメージ修復剤４１に前記層間絶縁膜２１のダメージ層３１をさらすとともに、該ダメージ修復剤４１を加圧することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、透明電極膜と反射電極膜とが電食反応により消失し、表示不良となることを抑制するための保護膜パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜１に隣接して、表示領域の周囲に帯状の形状を有する保護膜パターン３を配置する。保護膜パターン３は、透明電極膜１と同層上に設けられ、透明電極膜１の形成時に透明電極膜１と同じ材料で形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線の抵抗を減らして電気的な特性を向上させるための半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】所定の構造物が形成された半導体基板上に非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜を形成する段階と、上記非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜の上に配線用導電膜を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さなトレンチ中で拡大されたＣｕ結晶粒を得るための方法に関する。更には、半導体装置に使用される狭いトレンチおよび／またはビア中に電気化学的に堆積された銅中で、拡大された銅結晶粒を形成する方法、またはスーパー第２結晶粒成長を誘起する方法に関する。
【解決手段】再結晶した電気化学的に堆積された銅（ＥＣＤ−Ｃｕ）により充填された、少なくとも１つのトレンチおよび／または少なくとも１つのビアを含む半導体装置において、再結晶したＥＣＤ−Ｃｕの少なくとも８０％、８５％、９０％、９１％、または９２％が、[１００]方位で、少なくとも１０ミクロンの寸法を有する銅結晶粒からなる。 （もっと読む）

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層形成材料を含む第１液状体を塗布する工程と、塗布した第１液状体を加熱処理して下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１上に金属微粒子を含む第２液状体を塗布する工程と、塗布した第２液状体を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。下地層Ｆ１が未硬化状態となる条件で第１液状体を加熱処理した後に、第２液状体を塗布する。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に、しかも、インクジェット印刷方法に比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を形成することができる金属配線の形成方法と、前記形成方法によって形成された金属配線とを提供する。
【解決手段】形成方法は、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。金属配線は、その縁部の、基材の表面方向の、想定される外形線からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和を５０ｎｍ以下とするか、前記縁部の、厚み方向の外形線の、基材の表面と接する部分での交差角度を７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】開示される積層配線を用いたポリシリコンＴＦＴ２０は、膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚の６０％以上である結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶粒の全数の１５％以下となるように、あるいは、膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚の５０％以下である結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶粒の全数の８５％以上となるように形成されている。 （もっと読む）