【課題】 化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。
【解決手段】 その後の化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体７８である。導電性軟金属構造の最上部層に軟金属構造の厚さの約２０％以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 （もっと読む）

【課題】
耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を、酸素濃度０．１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で、溶解し、さらに鋳造を行う。得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の筒状コンデンサにおいては、筒状コンデンサホール垂直方向の下側の直径寸法は小さく、ＨＳＧシリコンの凝集により、狭窄化された空間ができる。狭窄化された空間には反応ガスが導入されないため局所的な容量絶縁膜の薄膜化となり、薄膜化に伴いリーク電流が発生する。筒状コンデンサにおける局所的な膜厚のバラツキをなくし、容量絶縁膜の信頼性を向上させることで信頼性の高い半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】筒状電極の直径寸法が小さい下部部分において不純物を高濃度としＨＳＧグレインサイズを小さく、又はＨＳＧ化しないことで、ＨＳＧの凝集を抑制する。ＨＳＧの凝集を抑制することで反応ガスが導入され、局所的な膜厚のバラツキをなくし、容量絶縁膜の信頼性を向上させることで信頼性の高い半導体装置、及びその製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】 配線膜厚が２００〜１０００ｎｍ程度のサブμｍオーダの薄膜でも２．５μΩｃｍ以下の比抵抗を得ること配線層の形成方法および配線層を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板１上に下地絶縁膜２の窒化シリコン膜を形成し、この上に下地金属層３を形成し、この上に金属シード層４を形成し、この金属シード層４上に金属配線層７を形成した配線層であって、上記金属シード層４は主として結晶面が（１１１）に配向し、平均結晶粒径が０．２５μｍ以上であり、上記金属配線層は膜厚が２００乃至１０００ｎｍであり、無電解めっき法で形成された層である。 （もっと読む）

【課題】 集積度を維持しつつ、エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性が優れ、高信頼性を有する金属薄膜および多層配線の形成方法ならびにそのような金属薄膜および多層配線を備えた薄膜基板を提供する。
【解決手段】 基板１上に金属薄膜３および熱エネルギーを吸収する熱吸収層４を形成し、熱吸収層４に対して第１のパルスレーザビームＥ１を照射することにより金属薄膜３に対して第１の加熱処理を施して再結晶化し、熱吸収層４を所定の形状にパターニングして基板全面に対してさらに第２のパルスレーザビームＥ２を照射することにより、金属薄膜３に対して高温領域および低温領域を有する選択的な温度分布で第２の加熱処理を施し、低温領域を核として、金属薄膜３を面内において熱吸収層４の形状に基づいた態様で再結晶化するようにしたので、粒界３重点が存在しにくい金属配線を形成することができる。 （もっと読む）

ウエハ上の導電性表面を処理するシステム（１００）は、前記ウエハの前記正面上に実質的に平面化される導電層を形成するように構成された電気化学機械処理（ＥＣＭＰＲ）モジュール（１０６）と、前記ウエハのエッジ領域から導電物質を除去するように構成された、前記ＥＣＭＰＲモジュール内のチェンバーと、前記ＥＣＭＰＲモジュールから前記ウエハを受取り、平面化された前記導電層を研摩して前記金属の相互接続構造を形成するように構成されたＣＭＰモジュールと、前記ＥＣＭＰＲモジュールから前記ＣＭＰモジュールへ前記ウエハを移送するように構成されたロボット（１１１）とを備える。
発明の１つの側面では、ＥＣＭＰＲモジュールは前記ウエハの前記正面上に物質を成膜させる。ＥＣＭＰＲモジュールは、前記ウエハの前記正面から前記導電層の少なくとも一部を除去する。本発明の利点は、成膜された金属の制御性を改善して素子の信頼性及び生産性を改善することを含む。
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【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）