【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６は、面積重み付けした平均結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が２９μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】銅配線の電気抵抗を低減し、安定化するとともに、不純物を除去することにより、銅配線の信頼性を向上させることが出来る銅膜のアニール方法を提供する。
【解決手段】バリア層が形成されたシリコン基板上にめっき法あるいは気相堆積法により銅膜を成膜する。これを２００℃〜３００℃、２〜３０ＭＰａの高温高圧の二酸化炭素、または不活性元素の気体中で、ないしは超臨界二酸化炭素中で、あるいはさらにこれらに水素を含有させた気体、流体中で処理する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】コーナー部を有する微細金属配線を備えた半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】第１層間絶縁膜８２に埋め込まれ、屈曲したコーナー部を有する第１配線２１を一定のコーナー数毎に区切る。区切った第１配線２１同士は、第２層間絶縁膜８７に埋め込まれたプラグ２２及び第２配線２３によって連結する。第１配線はコーナー部により結晶粒径が減少するが、一定のコーナー部数で短く区切られるためエレクトロマイグレーション耐性が向上する。また、第２配線２３の配線幅を調整することにより、第１配線２１のコーナー部による抵抗上昇を、第２配線２３で補償することができる。 （もっと読む）

【課題】 下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に薄膜キャパシタが配置されている。この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ａｌ配線４０を形成する際、バリアメタル４１上に、Ａｌ粒子４０ａが第１の平均粒径となるように第１の条件で第１のＡｌ膜を形成し、次いで、第１の平均粒径より小さい第２の平均粒径となるように第２の条件で第２のＡｌ膜を形成する。その後、第２のＡｌ膜上にバリアメタル４２を形成し、形成後、バリアメタル４１，４２および第１，第２のＡｌ膜を配線パターンに加工する。
【選択図】図９
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【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、アルミニウム合金薄膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、低電気抵抗率と耐熱性を両立し、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液やアルカリ性現像液に対する腐食性を改善できるアルミニウム合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】アルミニウム合金薄膜と透明電極との直接コンタクトを可能にするために、Ａｌマトリクス中に、所定の元素を添加するとともに、３００℃以下の低温プロセスにおいても透明電極との安定コンタクトを実現し、耐食性を改善するために、アルミニウム中でＮｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｏとの間に金属間化合物を形成・析出する元素を添加する。これらの金属間化合物のサイズが最大径１５０ｎｍ以下となっているアルミニウム合金薄膜を備えた表示デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。
【解決手段】半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値２７以下の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を６０％以上とすることにより、表面欠陥を実用可能な現状レベルの１／１０以下まで低減できる。または、該半導体装置において、バリア膜及びシード膜を特定すると共に、Ｃｕ配線の全ての結晶粒界に占める、粒界Σ値３の対応（ＣＳＬ）粒界の割合（頻度）を４０％以上とすることにより、表面欠陥低減の同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が低い基材上に、ばらつきが少なく、電気抵抗がほぼ均一で、かつ、低抵抗化を実現した配線を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に配置された金属粒子を含む塗布膜に電流を流すことにより前記塗布膜を焼成し、前記金属粒子から形成された配線を得る配線の製造方法が提供される。この製造方法では、前記金属粒子が、金、銀、白金、銅、鉄、パラジウム、スズ、ニッケル、アルミニウム、ジルコニウム、チタンおよびタングステンの金属群から選択された１種の金属、または、前記金属群から選択された２種以上の合金であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】インダクタのＱ値を向上させ、かつ、半導体装置の小型化の要求に応えることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インダクタ１４１を含む配線を有し、絶縁層２１に形成された配線溝に前記インダクタ１４１を含む配線が埋設された銅配線層１４と、インダクタを含まず、他の絶縁層１５，１７，１９に形成された配線溝に埋設された銅配線層１１〜１３とが積層されている。
インダクタ１４１の平均グレインサイズが、インダクタを含まない銅配線層１１〜１３の配線の平均グレインサイズよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

タングステンディジット線を使用するための、及び、形成するための、方法、デバイス、及び、システムが記載されている。本開示の実施例に従って形成されたタングステンディジット線は、窒化タングステン（ＷＮ_Ｘ）基板（４０２）上のタングステン（Ｗ）単分子層（４０４）と、Ｗ単分子層上のホウ素（Ｂ）単分子層（３０８）と、Ｂ単分子層上のバルクＷ層（４１２）とで形成されうる。バルクＷ層は、１００ｎｍから６００ｎｍの間の粒子サイズを有する。ディジット線は５０ｎｍ未満の幅となりえる。従って、ディジット線のキャパシタンス及び抵抗は減少する。
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【課題】配線を形成するトレンチ幅が７０ｎｍ以下になっても配線の抵抗率が大幅に増加せず、国際半導体技術ロードマップに開示されている値を満たす銅配線を実現する。
【解決手段】銅配線の配線幅が７０ｎｍ以下で、トレンチの側面と平行な面における平均結晶粒径Ｄと配線幅Ｗの比Ｄ／Ｗを１．３以上にする。 （もっと読む）

【課題】焼成を必要とする液滴吐出法をはじめとする塗布法において、配線や導電膜の作製時における焼成温度を低減することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法等の塗布法を用いて導電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を吐出し、その後乾燥することで該溶媒を気化させる。そして、活性酸素による前処理を行った後、焼成を行うことで、配線もしくは導電膜を作製する。このように、焼成前に活性酸素による前処理を行うことで、作製時における焼成温度を低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路装置における配線の接続信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、回路素子が形成された半導体基板１２と、半導体基板１２の表面Ｓに形成された電極１４と、電極１４の上に設けられた絶縁層１６と、絶縁層１６の上に設けられた第２の配線層１８と、絶縁層１６を貫通して電極１４および第２の配線層１８を電気的に接続する導電性バンプ２０と、を備える。導電性バンプ２０は、電極１４と第２の配線層１８との導通方向の結晶粒のサイズより、半導体基板１２の表面Ｓと平行な方向の結晶粒のサイズが大きい。 （もっと読む）