【課題】半導体埋込型配線の製造に用いられる金属薄膜であって、高温高圧処理時に優れた高温流動性を示すと共に、電気抵抗率が低く、高品質を安定して発揮する半導体装置用配線を得ることのできる半導体装置の配線用金属薄膜、およびこれを用いて得られる半導体装置用配線を提供する。
【解決手段】Ｎを０．４ａｔ%以上２．０ａｔ%以下含むＣｕ合金からなるものであることを特徴とする半導体装置の配線用金属薄膜、および半導体基板上の凹部を有する絶縁膜上に、上記金属薄膜を形成後、高温高圧処理して該金属薄膜を上記凹部内に埋め込むことにより形成されることを特徴とする半導体装置用配線。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止したアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１層間絶縁膜17とゲート絶縁膜14とを貫通してコンタクトホール19を形成する。コンタクトホール19を通して活性層５のドレイン領域13と電気的に接続するドレイン電極22を形成する際に、薄膜トランジスタおよび第１層間絶縁膜17を含む絶縁性基板３の温度が１２０℃以上の状態でスパッタリングして活性層５と接触するようにバリアメタル膜26を形成する。バリアメタル膜26上に形成した導電膜25とともにドライエッチングする。バリアメタル膜26の結晶粒径を大きくして第１層間絶縁膜17の括れ部分にバリアメタル膜26を形成することを防止し、ドライエッチング後の残渣の発生を防止して、残渣によるショートなどでの歩留まりの低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】素子間における特性のミスマッチが少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１の上に形成した絶縁膜２の上に、平均粒径が０．０２μｍ以上０．３５μｍ以下であるシリコン結晶粒１０を有するポリシリコン層３を形成した。不純物をイオン注入にてポリシリコン層３に導入した後に、熱処理することによりＩＰＯ酸化を行い、ポリシリコン層３の表面にＩＰＯ酸化膜４を形成し、さらにＩＰＯ酸化膜４の上に第二のポリシリコン層を形成した。そして、レジストマスクパターンによりエッチングして、ポリシリコン層３の一部で、ＭＯＳトランジスタ７のゲート電極７ａ及び容量素子８の下部電極８ａを構成した。 （もっと読む）

【課題】 埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 絶縁膜１４，１５に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜１５上に導電性バリア膜１８と銅の主導体膜１９を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線２０を形成する。そして、主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜２２を選択成長させてから、配線２０を埋込んだ絶縁膜１５上に絶縁膜２３〜２６を形成し、ビア３０が金属キャップ膜２２を貫通して主導体膜１９を露出するようにビア３０及び配線溝３１を形成し、ビア３０の底部で露出した主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜３２を選択成長させた後に、ビア３０および配線溝３１の内部を含む絶縁膜２６上に導電性バリア膜３３と銅の主導体膜３４を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】スタック型の容量素子構造を有する半導体装置において、酸素雰囲気における高温熱処理の際にプラグの酸化を防止し、信頼性に優れた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁膜１５を貫通し、半導体基板１１と電気的に接続されたコンタクトプラグ１６と、層間絶縁膜１５の上に形成され、白金族金属からなり柱状結晶構造を有する導電膜１７と、導電膜１７の上に形成された絶縁膜１８と、絶縁膜１８の上に形成され、下部電極２２と容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次積層されてなる容量素子２５とを備えている。コンタクトプラグ１６は導電膜１７の下面と電気的に接続され、下部電極２２は導電膜１７の上面と電気的に接続されており、コンタクトプラグ１６と下部電極２２とを結ぶ最短の導経路は、柱状結晶構造を横切るように形成されている （もっと読む）

【課題】表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。
【解決手段】金属被膜は、金属微粒子と、水と、分子量２０００〜３００００の分散剤とを含む金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、焼成して形成され、
(1) Ａｇと、
(2) Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、およびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
を含む合金からなり、合金の総量中の、Ａｇの含有割合が８０〜９９．９原子％、平均結晶粒径が０．２〜５μｍである。形成方法は、金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥後、７００℃以下の温度で焼成する。金属配線は、金属被膜をパターン形成した。 （もっと読む）

【課題】 銅配線のＥＭ耐性とＳＭ耐性を、ともに向上させる。
【解決手段】 不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。次に、第一銅膜９ｃより不純物濃度が高い第二銅膜１０を第一銅膜９ｃの上に形成し、第二銅膜１０に含まれる不純物を第一銅膜９ｃに拡散させて、第一銅膜９ｃの結晶粒界に偏析する不純物濃度を高める。
このように形成することにより、第一銅膜９ｃの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。これにより、結晶粒界における拡散パスを減少させ、ＥＭ耐性を向上させることができる。また、第一銅膜９ｃに発生するボイドの移動を抑え、ＳＭ耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を堆積させる方法が提供される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、単一基板化学気相堆積チャンバ内で堆積される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、半導体デバイスにおいて電極層として用いることができる。一態様において、二ステップ堆積プロセスは、粗さが減少したナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を形成するために提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易な工程で効率よく高精細に導電性パターンが形成された導電性パターン形成体や、その導電性パターンの形成に用いられる導電性可変積層体等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、導電性無機材料、および前記導電性無機材料の周囲に付着した有機材料を含有する絶縁性粒子と、光触媒とを含有することを特徴とする導電性可変組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性の高い銅配線を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜に溝又は孔を形成し、得られた基板上にバリア層２５を形成し、バリア層上に銅シード層２７を形成し、この銅シード層を利用して電解メッキ法によって銅メッキ層を形成し、表面の銅メッキ層及び銅シード層を除去することにより形成される配線層を有する半導体装置であって、銅シード層は、結晶粒径が異なる小粒層２７ａと大粒層２７ｂとを備える複数層からなり、小粒層は、バリア層に接触している。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗素子を構成する半導体材料が有する抵抗率の温度依存係数よりも小さい抵抗率の温度依存係数を有する抵抗素子を提供する。
【解決手段】 抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。Ｎ型多結晶シリコン１１は、抵抗率の温度依存係数が正であり、Ｐ型多結晶シリコン１２は、抵抗率の温度依存係数が負である。サリサイド１３，１４は、Ｎ型多結晶シリコン１１の一主面１１Ａの両端部に形成され、サリサイド１７，１８は、Ｐ型多結晶シリコン１２の一主面１２Ａの両端部に形成される。そして、Ｎ型多結晶シリコン１１は、サリサイド１４、コンタクト１６、金属層２３、コンタクト１９およびサリサイド１７を介してＰ型多結晶シリコン１２と直列に接続される。 （もっと読む）

【課題】純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。
【解決手段】ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で４５０゜Ｃ未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが２μｍ以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を６倍以上、厚さと長さの比を２．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる銅配線上に金属キャップ層を形成する際に、幅の広い銅配線の表面を十分覆うために、金属キャップ層を形成にかける時間を長くすると、幅の細い銅配線上に形成される金属キャップ層が、配線の幅からはみ出し、ショートを引き起こす。
【解決手段】 幅の狭い銅配線の表面に金属キャップ層を形成するための時間を、幅の広い銅配線の表面に形成するための時間よりも短くする。この特徴により、幅の広い銅配線表面を十分に金属キャップで覆うことができ、幅の細い配線上に形成された金属キャップ層によるショートの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ系金属を充填したダマシン配線の信頼性、特にストレスマイグレーション（ＳＭ）耐性を向上させる。
【解決手段】 下地絶縁膜１上の層間絶縁膜２にトレンチ３を設け、トレンチ３に第１バリアメタル膜５を介して埋め込む第１Ｃｕ膜６を成膜し、２０℃〜２００℃範囲の第１の熱処理を施し清浄化した第１Ｃｕ膜６ａにする。次に、第１Ｃｕ膜６ａの第１キャップ層２ｃ上の不要部分を化学的機械研磨で除去し、上記トレンチ３にＣｕ配線８を形成する。その後に、３００℃〜４００℃の温度でＣｕ配線８に第２の熱処理を施し、結晶性の優れたＣｕ配線８ａを形成する。同様に、ビアホールに埋め込む第２Ｃｕ膜を成膜した後に、３００℃〜４００℃範囲の第３の熱処理を施し、その後に化学的機械研磨してＣｕビアプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】３次元半導体集積回路装置に好適な半導体集積回路装置のテスト装置を提供する。
【解決手段】３次元半導体集積回路装置の、半導体回路を形成した半導体基板の動作確認用のテスト回路を仮配線で形成する。動作確認用のテスト回路は、半導体回路網の機能素子の動作検証をするときだけ機能するもので、動作検証が終了したら仮配線を除去する。仮配線は、ナノ粒子の導電性ペーストを使用して形成する。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体装置に使用される配線用Ｃｕ合金であって、半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用Ｃｕ合金を提供する。第２の目的：半導体基板に設けられた凹部に上記半導体配線用Ｃｕ合金を埋め込むことによりＣｕ合金からなる配線を形成する製法を提供する。第３の目的：上記製法で得られるＣｕ合金配線を有する半導体装置を提供する。第４の目的：半導体のＣｕ合金配線を形成する際に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 第１の目的を解決できる半導体配線用Ｃｕ合金とは、Ｓｂ：０．１０〜１０原子％、Ｂｉ：０．０１０〜１．０原子％、および、Ｄｙ：０．０１〜３原子％よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる半導体配線用Ｃｕ合金である。 （もっと読む）

【課題】 配線幅が０．２μｍ以下の配線幅の配線形成工程において歩留まり低下を抑制し、エレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】 シリコン基板１の上に５〜２０ｎｍの膜厚で第一チタン膜６を形成し、その上に１０〜２０ｎｍの膜厚で第一窒化チタン膜７を形成する。その上に酸化チタン膜８、アルミニウムを含む金属膜９、第二チタン膜１３および第二窒化チタン膜１４からなるキャップ膜１５、反射防止膜１６を順次積層し、リソグラフィおよびエッチングによりパターニングして配線を形成した後、この配線を３８５〜４１５℃程度の温度で熱処理する。
第一チタン膜６および第一窒化チタン膜７の膜厚を上記の範囲で形成することにより、上記熱処理工程においてアルミチタン膜の形成を抑えることができる。これにより配線形成工程の歩留まり低下を抑制し、エレクトロマイグレーション耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。
【解決手段】 その後の化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体７８である。導電性軟金属構造の最上部層に軟金属構造の厚さの約２０％以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 （もっと読む）