第１の電流電極領域（３２）、第２の電流電極領域（３４）、およびチャネル領域（３７）を含む半導体構造の形成方法であって、チャネル領域（３７）は第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間に配置され、チャネル領域（３７）は半導体構造のフィン構造（３６）内に配置され、チャネル領域内のキャリア輸送は概して第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間で水平方向に行われる方法。該方法は、第１の接点（６６）を形成することを含み、第１の接点（６６）を形成することは、半導体構造の第１の部分を除去して、第１の電流電極領域（３２）に開口部（５４）を形成すること、開口部に接点材料（６６）を形成することを含む。
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【課題】簡易な装置により短時間で絶縁層を加工し開口部を形成することにより、電気光
学装置が高解像度化し画素数が増加しても容易に製造することができる電気光学装置用基
板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、基板１２上に、ソース電極１４とドレイ
ン電極１６と有機半導体層１８とを形成する。ソース電極１４とドレイン電極１６と有機
半導体層１８とを被覆するゲート絶縁層２０を形成する。ゲート絶縁層２０上にゲート電
極２２を形成する。ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形
成する。少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１６の
一部が露出する開口部を、機械的応力により形成する。層間絶縁層２４上に、開口部を介
してドレイン電極１６と電気的に接続する画素電極２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、基板上に複数のゲート電極、複数の走査線、複数のデータ線パターンおよび複数の画素電極パターンを形成し、それから各ゲート電極上のチャネル、およびデータ線パターンを露出させるための複数の接触窓開口部を形成し、データ線パターンと接続した複数の接触窓を形成し、それから接触窓に電気的に接続する複数の接触部、データ線パターンに電気的に接続する複数のソース電極、および画素電極に電気的に接続する複数のドレイン電極を形成することを含んでいる。各列におけるデータ線パターンは、接触部と接触窓を介して互いに電気的に接続し、データ線を構成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造の煩雑化を抑制しつつ、コンタクト抵抗を低減させる。
【解決手段】エピタキシャル成長により、単結晶半導体層７ａ、７ｂをＬＤＤ層５ａ、５ｂ上に選択的に形成し、層間絶縁膜９および単結晶半導体層７ａ、７ｂをそれぞれ介してソース層８ａおよびドレイン層８ｂをそれぞれ露出させる開口部１０ａ、１０ｂを形成した後、バリアメタル膜１１ａ、１１ｂをそれぞれ介して埋め込まれたプラグ１２ａ、１２ｂを開口部１０ａ、１０ｂ内にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびその製造方法が開示される。このデバイスは、１以上の導電性ゲート（１１）を具えた活性半導体領域（１Ａ）と、前記活性半導体領域（１Ａ）の周辺に位置し主としてフィールド酸化領域（３）よりなるコンタクト領域（１Ｂ）とを具える。周辺コンタクト領域（１Ｂ）上、および、少なくとも一部の活性半導体領域（１Ａ）上に、導電性ゲート（１１）の間にコンタクト窓（１９ａ）が形成された絶縁層（１７）が積層される。絶縁層（１７）上に積層された金属コンタクトパッド（２３）が、前記コンタクト領域（１Ｂ）に設けられる。この金属コンタクトパッド（２３）は、導電性のパターンを介して、絶縁層（１７）の下に埋設されているコンタクトストリップ（１５）に接触し、この導電性のパターンは、コンタクト窓（１９ｂ）充填物の複数個で構成されており、コンタクトパッド（２３）の実質的な領域を横切って延びている。このパターンは平行な一連のトレンチに充填されたもので構成されているのが好ましい。
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【課題】閾値のばらつきが低減された絶縁ゲート電界効果型トランジスタをより簡易な工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第１の不純物領域２６ａを貫通し、前記支持基板６に到達する第１コンタクト層３６と、該絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の第２不純物領域２９ｂに到達する第２コンタクト層３８と、を形成すること、を含み、前記第１コンタクト層３６および前記第２コンタクト層３８の形成は、前記層間絶縁層３０の上方に、第１開口５２と該第１開口５２と比して小さい第２開口５４とを有するマスク層５０を形成すること、前記マスク層５０をマスクとして第１のエッチングと、該第１のエッチングとは条件が異なる第２のエッチングとを行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を構成する導電プラグと半導体基板とを絶縁する絶縁膜が、簡便かつ高歩留で絶縁性を確保できる厚さに形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置２０は、表面２１ａに形成される表面絶縁膜２２と、表面絶縁膜２２上に形成される表面電極２３と、半導体基板２１の表面２１ａから裏面２１ｂに向けて貫通する貫通孔２５と、貫通孔２５の内壁を被覆する内壁絶縁膜２６と、貫通孔２５の内部に形成されて表面電極２３と電気的に接続される導電プラグ２７とを有し、表面絶縁膜２２には表面絶縁膜開口部が形成され、半導体基板２１の主面側２１ａに形成される貫通孔２５の開口部が、表面絶縁膜２２の開口部の直下に位置し、表面絶縁膜２２開口部の径が、貫通孔２５の開口部の径よりも小さく、貫通孔２５側に臨む表面絶縁膜２２の表面が、内壁絶縁膜２６によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ基板を用いることなく、絶縁体上に形成される半導体層の面積を拡大する。
【解決手段】 開口部７を介して空洞部９内の半導体基板１および第２半導体層３の熱酸化を行うことにより、半導体基板１と第２半導体層３との間の空洞部９に埋め込み絶縁膜１０を形成した後、ソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂの表面に露出している埋め込み絶縁膜１０、１３および第２半導体層３をパターニングすることにより、開口部７の周囲のソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂの側壁を露出させるコンタクトホール２６を形成し、コンタクトホール２６を介してソース／ドレイン層２５ａ、２５ｂにそれぞれ接続された配線層２７ａ、２７ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】 スパイクや金属配線に含有される析出物による劣化のないゲート絶縁膜と、高い仕事関数を有するゲート電極とを含む半導体装置、及び、少ないレジストマスク形成行程を介して製造可能な該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート酸化膜１６上に、ポリシリコン膜１７を形成する。ゲート酸化膜１６とポリシリコン膜１７との積層体に、ソース・ドレインコンタクトを形成する。その後、該ポリシリコン膜１７上及びソース・ドレインコンタクト中に金属膜１８を形成して、該ポリシリコン膜１７と該金属膜１８とからなる積層体を形成する。その後、この積層体をパターニングして、各々が、ポリシリコン層と金属層との積層構造体からなるゲート電極と、ソース・ドレインコンタクト配線層とを同時に形成する。更に、フィールド酸化膜の形成に代え、チャネルストッパーを高濃度拡散領域と同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極に多結晶Si/金属積層構造を用いつつ、多結晶Si/金属界面の空乏化を抑制することを目的とする。
【解決手段】
ゲート電極が上層に多結晶Si層6、下層に金属層（TiN層7）の積層構造を成して、かつ上部配線とのコンタクト部分は、上部配線がゲート積層構造の下層金属層まで到達させることで、多結晶Siと下層金属（TiN）に電位差が生じないため、空乏層が伸びることなく、ゲートに印加した電圧と同じだけゲート絶縁膜に電圧が掛かり十分なキャリアがチャネル領域に形成され、駆動電流の向上が得られる。また、ゲート加工が基本的には既存技術をそのまま適用できるため、金属ゲート電極を有する半導体装置の製造及びその技術開発が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】効率よく放熱することが可能な薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成された表示部と、基板上の表示部の外側領域に設けられ、表示部を駆動するための駆動回路と、を備える液晶表示装置１０であって、それぞれに切欠部１３２ａを有した一対の拡散層を備えるポリシリコン半導体層１３２と、拡散層のそれぞれの上面及び切欠部に沿った端面に接触する第１電極１３６及び第２電極１３８と、第１電極１３６と第２電極１３８との間の電流をオンオフする電圧が加えられる第３電極１３４と、を備える薄膜トランジスタを具備した液晶表示装置１０。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能で耐水性に優れ、信頼性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】配線となる第１の銅の導電層５を有する第１の絶縁層２０と、配線となる第３の銅の導電層１３を有する第３の絶縁層２２とが、第１の銅の導電層５と第３の銅の導電層１３を連通する第２の銅の導電層１０を有する第２の絶縁層２１を介して半導体基板１表面上に積層され、上記第１の絶縁層２０、第２の絶縁層２１および第３の絶縁層２２の少なくともいずれかが、無機または有機材料の分子中に、ボラジン骨格系構造を有する低誘電率材料を用いた絶縁材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、複数のパッド１２を有する半導体基板１０と、半導体基板１０を貫通する貫通穴２０と、いずれかのパッド１２と電気的に接続されて貫通穴２０の内側を通り半導体基板１０を貫通するように形成された第１の導電体３０と、半導体基板１０及び第１の導電体３０と電気的に絶縁されて、貫通穴２０の内側で第１の導電体３０の側面を囲むように形成された第２の導電体４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜１と、層間絶縁膜１内に形成された下部配線５と、層間絶縁膜１上に形成されたライナー膜１１と、ライナー膜１１上に形成された層間絶縁膜１２とを備えている。下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ₂は上部孔の口径ｄ₁よりも大きくなっている。さらに、下部孔８の内壁面に形成された導電膜１５と、上部孔１０の内壁面に沿って形成されたバリアメタル１３と、上部孔１０内および下部孔８内を埋めるように形成されたＣｕ膜１９とを備えている。導電膜１５はバリアメタル１３と同じ物質を含んでいる。 （もっと読む）

無電解メッキを利用して、半導体基板に関連する電気的相互接続部を形成することができる。例えば、半導体基板は、その上に無電解メッキに適する表面を持つダミー構造を有するように、且つその上にダミー構造とほぼ同じ高さを有するディジット線を有するように形成することができる。層はダミー構造及びディジット線上に形成され、開口はその層を通ってダミー構造及びディジット線の上部表面まで形成される。続いて、導電性材料が開口内に無電解メッキされて、開口内に電気的接続部を形成することができる。ダミー構造まで延びる開口はキャパシタ電極を通ることができ、したがって、そのような開口内に形成される導電性材料を利用して、キャパシタ電極への電気的接続部を形成することができる。
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