【課題】コンタクトホール底部における銅配線の電気伝導度低下に起因するＥＭ耐性の劣化を防止し、高信頼性を確保できる配線を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層配線１１上に形成された層間絶縁膜１３に、コンタクトホール２０が形成される。コンタクトホールが形成されると、コンタクトホール底部に露出した下層配線の酸化層２５を除去する洗浄が行われる。洗浄完了後、所定時間内に、導電性バリア膜１４が形成される。導電性バリア膜上には、コンタクトホールを充填するシード膜１５及び銅めっき膜１７が形成される。上記所定時間は、例えば、洗浄完了から導電性バリア膜形成開始までの時間と、コンタクトホールに充填された導電膜を含む配線のＥＭ耐性との関係に基づいて設定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】シリコンと炭素とを含む被エッチング基板に対してプラズマエッチングを行ってホールを形成する場合、ホール同士の端部の間隔が例えば１０μｍ以上に広い場合や０．１μｍ程度に狭い場合であっても、エッチングストップ膜を貫通することなく、更に途中でエッチングが停止することなくエッチングを行うこと。
【解決手段】メインエッチングの後のオーバーエッチングを行う際に、炭素とフッ素とを含む処理ガスをプラズマ化して、更に基板に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを覆う絶縁膜内に形成されて、その強誘電体キャパシタの電極に接続される導電性プラグをコンタクトホール内に埋め込む際に、工程増を抑制しながら、コンタクトホールの下への水素の浸入を防止する構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜２０内であってキャパシタ上部電極１８の上に形成されたコンタクトホール２０ｅ内に埋め込まれる導電性プラグ２１ｅとして、アルミニウム膜３２を有する複数層３１〜３４の構造を採用し、これにより、タングステン膜３４をコンタクトホール２０ｅ内に充填する際に、水素がコンタクトホール２０ｅの下の強誘電体キャパシタ１７ａに侵入することをアルミニウム膜３２によって防止する。 （もっと読む）

【課題】タングステンを埋め込むときのバリア層を形成する際に，チタン膜を形成し，そのチタン膜をすべて窒化して単一の窒化チタン膜をバリア層として形成することで，チタン層の変質によるタングステン膜の剥離を防止しつつ，従来よりもバリア層を薄くして，生産性を向上させる。
【解決手段】層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】銅含有金属膜の表面にＳｉを導入し、その部分を窒化してＣｕＳｉＮバリアを形成する技術を採用する際に、層間絶縁膜へのダメージおよび大気開放による水分吸着の生じ難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程と、銅含有金属膜の表面をラジカルまたは熱化学的手法により清浄化処理する工程と、銅含有金属膜の表面にＳｉを導入する工程と、銅含有金属膜のＳｉが導入された部分をラジカルにより窒化する工程とによって半導体装置を製造する際に、清浄化処理工程、Ｓｉ導入工程、および窒化工程を真空を破ることなく連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 （もっと読む）

自己制限プロセスシーケンスによって窒化アルミニウム層（１０６）を形成することにより、銅系メタライゼーション層の界面特性を大幅に改善できる一方で、層スタックの全体的な誘電率を低いレベルに保つことができる。
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【課題】半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア用ＴｉＮ膜を下地膜として成膜し、この下地膜の上にＣｕ配線膜を成膜する方法であって、前記下地膜の成膜工程とＣｕ配線膜の成膜工程の間に、下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で前記下地膜を２００℃以上の温度で加熱するアニール工程を設ける。このアニール工程ではアンモニア単体またはアンモニアガスを含むガスを用い、該アニール工程の後、前記Ｃｕ膜をＣＶＤ法により成膜することで、前記下地膜とその後の成膜で堆積する上層のＣｕ膜との密着性を高くすることができる。アニール工程は、下地膜の成膜を行うチャンバと同じチャンバで実施することもできる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】 膜強度の強化と、膜中の水分或いはＯＨ基の脱離とを効率的に実行可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 所定の原料ガス雰囲気下で第２低誘電率絶縁膜８を所望膜厚より薄い膜厚分成膜し、その後、大気暴露することなく、第２低誘電率絶縁膜８の成膜工程と同一基板温度、同一圧力下でＯ_２ガス処理を施し、第２低誘電率絶縁膜８中の残存未反応原料の脱離処理、終端化処理、或いは膜中に吸着形成されたＯＨ基の脱離処理を行う。その後、第２キャップ絶縁膜１１を成膜する。以下、第２低誘電率絶縁膜と第２キャップ絶縁膜との膜厚合計が所望膜厚になるまで、第２低誘電率絶縁膜成膜工程、残存未反応原料脱離工程、及び第２キャップ絶縁膜成膜工程を複数回繰り返して行う。 （もっと読む）

【目的】Ａｌ−Ｓｉ膜をスパッタ成膜する場合に、Ｓｉノジュールが形成されない半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】シリコンウェハ１上に形成した酸化膜２に５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さでＴｉ膜３を形成し、シリコンウェハ１の温度を４２０℃〜４８０℃にして、Ｔｉ膜３上に１ｗｔ％のＳｉを含有したＡｌ−Ｓｉ膜４を３μｍ〜７μｍの厚さでスパッタ成膜することで、Ａｌ−Ｓｉ膜４中の余剰ＳｉがＴｉ膜３と反応してＴｉＳｉ_２膜５となり、Ａｌ−Ｓｉ膜４中にＳｉノジュールが形成されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ膜の埋め込み性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供するものである。
【解決手段】制御部は、ビアホールＶＨを有したシリコン基板Ｓの表面に金属膜ＢＭ１（Ｔｉ膜）と金属窒化膜ＢＭ２（ＴｉＮ膜）を被覆させ、金属窒化膜ＢＭ２に被覆されたビアホールＶＨの内部にＣＶＤ法を用いてＡｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を形成させた。そして、制御部は、Ａｌ−ＣＶＤ膜Ｐ１を埋め込む前に、ビアホールＶＨの底部に位置する金属窒化膜ＢＭ２の一部をスパッタし、ビアホールＶＨの底部の側壁に再付着窒化膜ＢＭｒを形成させた。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極用金属膜による基板のストレスを減少させて素子の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を有する半導体層と、前記半導体層を含む基板上に位置するゲート絶縁膜と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極を含む基板上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域に連結されるコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールを介してソース／ドレイン領域に連結されるソース／ドレイン電極と、を備え、前記ソース／ドレイン電極は、第１金属膜、第２金属膜及びこれら間に介在された金属酸化膜を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中に、内壁面で画成された開口部を形成する工程と、前記内壁面をＣｕ−Ｍｎ合金層により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層が、前記内壁面に直接に接するように覆う工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に第１のＣｕ層を堆積する工程と、前記第１のＣｕ層上に第２のＣｕ層を堆積し、前記第２のＣｕ層により前記開口部を充填する工程と、前記内壁面上に、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記絶縁膜との反応により、バリア層を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ層中の未反応Ｍｎ原子を前記第２のＣｕ層の表面より、前記第１および第２のＣｕ層を介して除去する工程と、含む半導体装置の製造方法において、形成されるＣｕ配線層の抵抗を低減する。
【解決手段】前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層の形成の後、大気に露出することなく、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に前記第１のＣｕ層を堆積する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。
【解決手段】基板Ｓを反応室１１内の基板載置台（カソード）１３に設置し、フルオロカーボン系の第１のガスを用いてドライエッチング処理を行った後に、プッシャーピン２１で持ち上げることにより基板Ｓを基板載置台（カソード）１３から離隔させ、第２のガスを用いて反応室１１内のフルオロカーボン系の堆積物を除去するとともに基板Ｓに第２のドライエッチング処理を行う。 （もっと読む）

最終メタライゼーション層のコンタクト領域（２０２Ａ）上にアンダーバンプメタライゼーション層（２１１）を直接形成することによって、アルミニウムおよび対応する密着／バリア層などのほかの終端金属の形成を省略することができる。この結果、得られるバンプ構造（２１２）の熱的挙動および電気的挙動を向上させることができ、プロセスを大幅に簡略化することができる。
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【課題】タングステンを含み、小さな線幅を有する配線パターンを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１の上部に、タングステン層１８を表面に有する配線層を形成するステップと、配線層上に、ハードマスク１９を形成するステップと、ハードマスク１９から露出する配線層の表面上に、窒化タングステン層２１を形成するステップと、ハードマスク１９を残したまま、窒化タングステン層２１をエッチングするステップと、ハードマスク１９をマスクとして配線層をエッチングし、配線パターンを形成するステップとを有する。 （もっと読む）