【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に使用されるシリコン酸化膜の下地依存性を改善することによって、シリコン酸化膜の狭スペースへの埋め込み性やモフォロジーを向上させる。
【解決手段】半導体素子部を有するＳｉ基板１の表面に有機基を含まないＳｉ含有分子を吸着させ、Ｓｉ含有分子による吸着層１２を形成する。あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。吸着層１２またはＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜上から有機シリコン材料ガスとオゾン等の活性化された酸素を含むガスとを供給し、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化物からなる絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンバーにおけるステージ温度の急激な低下を抑制することによって品質異常を抑制することのできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、第１チャンバーと、第２チャンバーと、第３のチャンバーとを具備しており、第３のチャンバーにて処理待ち状態が所定時間経過した後（Ｓ５）、ダミー収容室内のダミー基板を第２チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しながらダミー基板上に金属膜をスパッタリング成膜し、第２チャンバー内のダミー基板を第３チャンバー内にて、ダミー基板を加熱しないで金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ７）。その後、第３チャンバーにおいて、第２チャンバーによって金属膜が成膜された基板を加熱しない状態で金属膜上に第２の膜をスパッタリング成膜する（Ｓ８）。これによって、マルチチャンバーにおけるステージ温度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部を形成する基板処理方法において、マスク層の厚さを増大させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、ＢＡＲＣ膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３はＢＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷを処理する基板処理方法であって、デポ性ガスであるＣＨ_３ＦガスとＳＦ_６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって開口部５４を有するフォトレジスト膜５３の上部表面にデポを堆積して厚さを増大させるマスク層厚さ増大ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、電極の側壁にスペーサを形成するために絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、反応生成物を除去した後、少なくとも絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】ポリマー残渣の発生と、エッチングプロセスの変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面に、パターニングされたハードマスク層ＨＭが形成される。ハードマスク層ＨＭをマスクとしてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２にエッチングが施されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２に配線用溝ＴＲが形成される。配線用溝ＴＲ形成のためのエッチングを行なったチャンバーと同じチャンバー内でハードマスク層ＨＭが除去されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面が露出される。 （もっと読む）

【解決手段】
進歩的なメタライゼーションシステムを製造する間、敏感な誘電体材質上に形成される誘電体キャップ層が、過剰な金属を除去するためのＣＭＰプロセスの間に部分的に維持されてよく、それにより、ＣＭＰプロセスの間に誘電体キャップ材質を実質的に完全に消耗する場合に従来の手法で必要であろうような専用のエッチング停止層を堆積させる必要性が回避され得る。従って、低減されたプロセスの複雑性及び／又は高い柔軟性が低ｋ誘電体材質の高い完全性との組み合わせにおいて達成され得る。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成され、第２溝１１と第１溝３とが対向する部分にビアホール１２が貫通形成された後、スパッタ法により、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。そして、合金膜１８における第２溝１１の底面および第１配線５上に被着された部分が薄くされる。その後、合金膜１８上に、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】工程効率が向上し、かつ、信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線と交差しドレイン電極接続部を含むデータ線と、ゲート電極の周辺に形成される酸化物半導体活性層パターンと、データ線と酸化物半導体活性層パターンの上に形成されドレイン電極接続部を露出する第１開口部、及び酸化物半導体活性層パターンを露出する第２開口部を有するパシベーション層と、第１開口部及び第２開口部によって酸化物半導体活性層パターンとドレイン電極接続部とを電気的に接続するドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層からの配線材料のエレクトロマイグレーションを抑制することができ、且つ配線抵抗の増加を抑制すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に形成された第１絶縁膜３０に溝部３２を形成する工程と、溝部３２に埋め込まれるように、第１絶縁膜３０上にＣｕ膜３８を形成する工程と、第１絶縁膜３０上に形成されたＣｕ膜３８を除去、平坦化し、溝部３２にＣｕからなるＣｕ配線４０を形成する工程と、Ｃｕ配線４０の表面に形成された酸化膜を除去するため、Ｃｕ配線４０の表面にプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理を行う工程の後、半導体基板１０を大気に曝すことなく、半導体基板１０にシラン系ガスを含むガス雰囲気中で熱処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を損なうことなく、ダマシン法により配線層を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられた、溝部２２を有する絶縁膜２１と、溝部２２の内面に沿って設けられたＣｕシード層２６と、Ｃｕシード層２６の表面に沿って設けられたＣｕシリサイド層２８と、溝部２２に埋め込まれるように、Ｃｕシリサイド層２８の表面上に設けられたＣｕ配線層３０と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 膜をパターン形成する方法及びこれらの得られた構造を提供する。
【解決手段】 実施形態において、基板、例えば、ダマシン層の上にアモルファス炭素マスクを形成する。アモルファス炭素マスクの上にスペーサ層を堆積させ、スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともにアモルファス炭素マスクをさらす。アモルファス炭素マスクを選択的にスペーサまで除去して、基板層をさらす。ギャップ充填層がスペーサの周りに堆積されて、基板層を覆うがスペーサをさらす。スペーサを除去して、選択的に基板の上にギャップ充填マスクを形成する。ギャップ充填マスクのパターンは、一実施態様においては、ダマシン層に転写されて、ＩＭＤの少なくとも一部を除去するとともにエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑化することなく、配線の信頼性低下を招かない、配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａ／ＴａＮ積層バリア層１２を介して、ＮｉＦｅ磁性層１３をＰＶＤ装置のＮｉＦｅチャンバを用いたＰＶＤ法によって成膜する。次に、同一のＰＶＤ装置の同一のＮｉＦｅチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔３０及び配線用溝３１の底面上及び層間絶縁膜１１の表面上におけるＮｉＦｅ磁性層１３を選択的に除去する。さらに、同一のＰＶＤ装置のＴａチャンバ及びＣｕチャンバを用いて、接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａバリア層及びＣｕシード層を順次形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｆ添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とＦ添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部４４Ａ内のＦ添加カーボン膜４４の露出表面に、Ｔａバリアメタル膜４７の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Ｆと反応した場合に安定な化合物を形成するＡｌなどの金属元素よりなる金属膜４９を堆積する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。
【解決手段】
銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネルに応力を与えるストレスライナーとして機能するシリコン窒化膜を形成した場合に、クラックの発生を抑えることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成されたｎチャネル型トランジスタ２０を覆い、ｎチャネル型トランジスタ２０のチャネルに対してチャネル長方向の引張応力を作用させるシリコン窒化膜１１、１２を形成する半導体装置の製造方法であって、ｎチャネル型トランジスタ２０の上に一層目のシリコン窒化膜１１を形成する工程と、一層目のシリコン窒化膜１１に紫外線を照射する工程と、紫外線照射の後、一層目のシリコン窒化膜１１の上に一層目のシリコン窒化膜１１よりも薄いシリコン窒化膜１２を少なくとも一層以上形成する工程とを備え、引張応力を作用させるシリコン窒化膜を複数段階に分けて形成する。 （もっと読む）