【課題】 深さの異なる複数のコンタクトホールを有する構造であって、簡易な製造工程の下、基板に対するエッチングダメージを招来せず製造することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上の一部領域にフィールド酸化膜２を形成し、その後にフィールド酸化膜２の一部領域をエッチング処理して凹部構造３２を形成し、その後に、少なくとも凹部構造３２の底面を覆うように、フィールド酸化膜２の上層に下部電極７、酸化膜８、上部電極９を形成し、ソース・ドレイン拡散領域６を形成し、その後に全面に層間絶縁膜１０を堆積する。そして、拡散領域６の上面が露出するように拡散領域６の上方領域に係る層間絶縁膜１０をエッチングして第１コンタクトホール１１ａを形成すると共に、上部電極９の上面が露出するように凹部構造３２の上方領域に係る層間絶縁膜１０をエッチングすることで第２コンタクトホール１１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗及び寄生容量の低減。
【解決手段】半導体基板１上の第１の絶縁膜３に容量下部電極９ａと容量絶縁膜１１ａと容量上部電極１２ａとからなるＭＩＭ型容量素子１３を設ける。ＭＩＭ型容量素子１３を覆って層間絶縁膜１４を設けて平坦化する。層間絶縁膜１４に、容量上部電極１２ａに接続された第１の接続プラグ１８ｅと、第１の配線層１８ｄと、第１の配線層１８ｄと容量下部電極９ａとを接続する第２の接続プラグ１８ｂと、第２の配線層１８ｃと、第２の配線層１８ｃに接続された第３の接続プラグ１８ａとを設ける。層間絶縁膜１４上に第２の絶縁膜１９を設ける。第２の絶縁膜１９に第１の開口部２０ａと開口部２０ｂとを設ける。さらに、第２の配線層１８ｃよりも低硬度材料からなり第２の絶縁膜１９に設けられて第１の接続プラグ１８ｅと第２の配線層１８ｃとを接続する配線引出し部２２ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に導電性材料を埋め込む接続部において、接続孔の底部に存在するシリサイド層の表面の自然酸化膜を除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜（第１及び第２絶縁膜１９ａ，１９ｂ）に接続孔２０を開口して、接続孔２０の底部にニッケルシリサイド層１８の表面を露出させた後、半導体ウエハの主面上にＨＦガス及びＮＨ_３ガスを含む還元ガスを供給し、還元反応により生成物を形成してニッケルシリサイド層１８の表面の自然酸化膜を除去する。このときのＨＦガスとＮＨ_３ガスとの流量比（ＨＦガス流量／ＮＨ_３ガス流量）は１より大きく５以下とする。また半導体ウエハの温度を３０℃以下とすることが好ましい。その後、半導体ウエハに１５０から４００℃の加熱処理を施すことにより、半導体ウエハの主面上に残留する生成物を除去し、続いてバリアメタル膜２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】高融点金属元素を含むバリアメタル膜と組みあわせてＣｕ配線パターンのバリアメタル構造を形成するＣｕ−Ｍｎ合金層において、ストレスマイグレーション耐性を向上させると同時に、Ｃｕ配線パターンの抵抗を低減する。また、さらには配線中のボイド欠陥を低減する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された凹部と、前記凹部の内壁に形成された銅を含む第１の膜と、前記第１の膜上方であって、前記凹部に埋め込まれた銅を含む第２の膜と、前記第１の膜と前記第２の膜の間にマンガンを含む酸化層と、を有する。さらに、前記構造に対し、電解メッキ法で銅配線を形成し、引き続き８０℃〜１２０℃の温度で短時間の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電気ヒューズを切断する際のショートを防ぐことができる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成され、それぞれ異なる層に形成された第１の配線１２２と、第２の配線１３４と、第１の配線１２２と第２の配線１３４の間の層に設けられ、第２の配線１３４の一端部分に接続されるとともに第１の配線１２２に接続されたビア１２８とを含む電気ヒューズ２００と、第２の配線１３４と同層に形成され、第２の配線１３４の一端部分の周囲を取り囲むように形成されたガード配線部１６０とを含む。平面視において、第２の配線１３４は、他端から一端部分の方向に延在して形成され、ガード配線部１６０は、第２の配線１３４の一端部分を中心として、当該一端部分の周囲三方を取り囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線を有する半導体装置とその製造方法において、配線間リーク及びショートを抑制し且つＥＭ耐性を向上する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上に形成されたトレンチ１０２を有する絶縁膜１０１上及びトレンチ１０２内を覆うように、バリアメタル膜１０３を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、トレンチ１０２を埋め込むようにＣｕ膜１０４を形成する工程（ｂ）と、トレンチ１０２からはみ出た部分のＣｕ膜１０４を除去して配線１０５を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、絶縁膜１０１上のバリアメタル膜１０３を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、配線１０５上を覆うキャップメタル膜１０７を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、絶縁膜１０１上に残存するメタル成分１０８を除去する工程（ｆ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】配線幅の小さい配線層では配線間容量を低減し、同時に配線幅が広い配線層では、層間膜剥離を防止し、組み立て歩留まりの向上された半導体装置を提供する。
【解決手段】デュアルダマシン構造を有する多層配線を有する半導体装置である。半導体基板上に形成された第１の配線層部１５１と、第１の配線層部の上に形成された第２の配線層部１５３と、を具備する。第１の配線層部１５１において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ≧Ｖなる関係を有し、かつ第２の配線層部１５３において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ＜Ｖなる関係を有する。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造工程を提供する。
【解決手段】二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２
個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層にビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第２のマスクは絶縁体層の相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。より好ましくは、凹部はビアあるいはコンタクト開口に先行して形成される。 （もっと読む）

【課題】貫通孔とエアギャップとのミスアライメントが生じた場合においても貫通孔とエアギャップの連通を防止する。
【解決手段】酸化シリコン膜（第１絶縁膜）１０のうち配線頂部を覆うキャップ部位１０ａの側面からエアギャップ１６側にストッパー層１２の翼部位１２ｂが延設されており、エアギャップ１６の上方周縁部上に設けられている。したがって、層間絶縁膜１４、ストッパー層１２および酸化シリコン膜１０を上方から貫いて配線６に繋がるように貫通孔１８を形成する際、貫通孔１８の形成位置が予め設定された基準位置から多少ずれたとしてもストッパー層１２により貫通孔１８のエアギャップ１６への到達が阻止されて両者の連通が防止される。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤサイドウォール形成時に、ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ境界領域の２重エッチングによる不具合を克服する。
【解決手段】ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ境界領域にゲートレベル配線を形成し、ＬＤＤサイドウォール形成時に２重エッチングされるゲートレベル配線の最上層に、サイドウォール絶縁膜層とエッチング選択比のとれる膜１０７をハードマスクとして形成しておくことで、ゲートレベル配線に接続するプラグコンタクト１１２形成時にゲート電極のオーバーエッチによる堆積物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の周囲におけるシリコン基板１の上面には側部絶縁膜１１がその上面が保護膜９の上面とほぼ面一となるように設けられている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体装置における信頼性向上を図るものである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極５３と、前記半導体チップの第１の主面に接着されたガラス基板５６と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極５３の表面に貫通するビアホール８１と、前記ビアホール８１の側壁及び前記半導体チップの側端部に形成されたＣＶＤ膜から成る側壁絶縁膜５９Ａと、前記ビアホール８１を通して、前記パッド電極５３と電気的に接続された配線層６３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 第１の導電体と第２の導電体とのショートを防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板上における複数の第１の導電体上に形成された中間絶縁膜と、中間絶縁膜に形成されかつ複数の第１の導電体上に位置する複数のコンタクトホールと、複数のコンタクトホール内にそれぞれに埋め込まれた複数のコンタクトプラグと、中間絶縁膜上の複数のコンタクトプラグそれぞれの上に形成されかつコンタクトプラグを介して複数の第１の導電体に電気的に接続された複数の第２の導電体と、を有する半導体装置であって、半導体基板には、複数の第１の導電体およびコンタクトプラグを第１の密度で有する第１の素子領域と、第１の素子領域の周囲に近接され複数の第１の導電体およびコンタクトプラグを第１の素子領域より低い第２の密度で有する第２の素子領域と、が形成されていること、第１の素子領域は、コンタクトプラグが中間絶縁膜の途中で終端して埋設された第２の素子領域に近接する最外周領域を有する。 （もっと読む）

【課題】インダクタのＱ値を向上させ、かつ、半導体装置の小型化の要求に応えることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インダクタ１４１を含む配線を有し、絶縁層２１に形成された配線溝に前記インダクタ１４１を含む配線が埋設された銅配線層１４と、インダクタを含まず、他の絶縁層１５，１７，１９に形成された配線溝に埋設された銅配線層１１〜１３とが積層されている。
インダクタ１４１の平均グレインサイズが、インダクタを含まない銅配線層１１〜１３の配線の平均グレインサイズよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのＣｕの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置は、半導体基板（１）と、前記半導体基板上に形成されたＣｕを有する第１の絶縁膜（３）と、前記第１の絶縁膜に形成された溝に設けられた配線（５）と、前記配線と前記第１の絶縁膜との間に形成されたバリア膜（４）と、前記配線の上面に形成されるとともに、前記バリア膜の側部と前記第１の絶縁膜との間の中空部（３２１）に前記配線の厚さ未満の深さまで形成された第２の絶縁膜（６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７が設けられている。パッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は金属膜１４および封止膜１８によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、低誘電率膜配線積層構造部３の側面と封止膜１８との金属膜１４を介在させているのは、耐湿環境からの保護を十分とするためである。 （もっと読む）

【課題】製造工程を減らして生産性を向上させることができると共に開口度が大きくて明るい表示が可能なＦＦＳモード等の横方向電界方式の液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の製造方法は、パッシベーション膜１７の表面にコンタクトホール２１ａの形成予定位置に開口が形成された平坦化膜１８を形成すると共に表示領域の周縁部の平坦化膜は除去し、次いで、フッ素系のエッチングガスを用いて露出しているパッシベーション膜１７を除去する工程を備える。この方法を採用することによって、従来例よりもコンタクトホール２１ａの開口サイズが小さくなると共に製造工程数を減らすことができる。 （もっと読む）