【課題】信頼性や製造歩留まりを向上し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の第１の主面上に、ゲート電極２４とソース／ドレイン拡散層３２とを有するトランジスタ３３を形成する工程と、半導体基板の第１の主面上及びトランジスタ上に第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜に、ゲート電極に達するコンタクトホール４０を形成する工程と、コンタクトホール内及び第１の絶縁膜上に、プラズマＣＶＤ法により導電膜４２，４４を形成する工程と、第１の絶縁膜の表面が露出するまで導電膜を研磨し、コンタクトホール内に、導電膜を含む導体プラグ４４を埋め込む工程とを有し、導電膜を形成する工程の前に、第１の主面の反対側の面である第２の主面に存在する第２の絶縁膜２９のうち、第２の主面の周縁部に存在する第２の絶縁膜をエッチング除去する工程を更に有している。 （もっと読む）

【課題】レジストマスクを用いたフォトリソ工程を追加することなく、微細な容量コンタクトプラグ上部の面積を拡大させることが可能なＣＯＢ型ＤＲＡＭの製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、層間膜８にコンタクトホールを形成後、コンタクトホールに第一の導電材料を埋め込みエッチバックして、第一のコンタクトプラグ１０を形成する工程、層間膜８をエッチングして第一のコンタクトプラグ１０上部を露出させる工程、及び、層間膜８及び第一のコンタクトプラグ１０上に第二の導電材料を成膜しエッチバックして、自己整合的に第一のコンタクトプラグ１０上部周囲に第二の導電材料１１を残すことで、プラグ１０上部を拡大した第二のコンタクトプラグを形成する工程、とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増大させることなく、酸化銅の成長を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、電極１２が設けられた主面に、絶縁層１３、銅薄膜１４、銅再配線（配線）１５、酸化銅１６、塩基性炭酸銅（保護膜）１７、及び、樹脂絶縁層１８が順次形成されており、酸化銅１６の界面を、二酸化炭素の濃度制御によりｐＨ値が６≦ｐＨ＜７に制御された炭酸水に浸漬させることで、炭酸銅ＣｕＣＯ_３及び水酸化銅Ｃｕ（ＯＨ）_２の復塩である塩基性炭酸銅１７を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】減圧状態の空洞を有する半導体装置の簡易な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の上方に絶縁層２０を形成する工程と、絶縁層２０をエッチングして孔部２２を形成する工程と、絶縁層２０の上方に接着層３０を形成する工程と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方の雰囲気中で、孔部２２を密閉するように、接着層３０の上方に封止板４０を積層する工程と、半導体基板１０を減圧雰囲気中で加熱する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成しない半導体装置、その製造方法及び当該製造方法に使用する感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１上に形成された少なくともパッド電極２及び金属配線上に無機絶縁膜３を形成する工程と、前記無機絶縁膜３上に有機絶縁膜４であるフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜３をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極２を露出させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】静電保護素子のクランプ能力を十分に発揮し、内部回路を静電気によるサージから保護することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に、内部回路と、前記内部回路と接続配線及び接地配線により接続される接続パッド及び接地パッドと、前記接続パッドと前記接地パッドとの間に接続される静電保護素子とが設けられ、前記半導体基板と前記接地配線とが、前記接地配線に所定の密度で形成されたコンタクトにより電気的に接続されている半導体装置であって、前記所定の密度は、前記接続パッドから前記静電保護素子を経由して前記接地パッドに至る部分のインピーダンスが、前記接続パッドから前記内部回路を経由して前記接地パッドに至る部分のインピーダンスよりも低くなるように設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置の製造方法において、柱状電極形成用メッキレジスト膜の剥離時間を短縮する。
【解決手段】 柱状電極形成用露光マスク２６は、柱状電極形成領域に対応する部分を遮光部２６ａとされ、遮光部２６ａの周囲を透過部２６ｂとされ、それ以外の領域を半透過部２６ｃとされたものからなっている。露光を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、遮光部２６ａに対応する領域が非露光部となり、その周囲が露光部となり、それ以外の領域が半露光部となる。現像を行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５のうち、非露光部である柱状電極形成領域に対応する部分に開口部が形成され、開口部の周囲部以外であって半露光部である領域における厚さが開口部の周囲部の厚さのほぼ半分程度と薄くなる。これにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５の剥離時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの制約を受け難く、配線抵抗が小さくトランジスタの電力損失が少ない、パッド配置の制約の少ないパワーＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板１に形成されたソース領域２およびドレイン領域３が格子状に形成されたゲート４を挟んで互いに隣接するＭＯＳトランジスタにおいて、半導体基板１上に順次形成された３層のメタル配線５、６、７とを有する。メタル配線は、ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続され、ドレイン領域を第３層メタル配線７に接続する場合、ソース領域を第２層メタル配線６及び第１層メタル配線５に接続する。第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】ビット線間の間隔が狭くなった場合の配線間ショートに対するマージンや耐圧を確保する。
【解決手段】隣接配置される選択ゲートトランジスタのコンタクトプラグを、第１および第２のコンタクトプラグ４、５として交互に配置した構成とし、配線層を２層にして下層側を第１の配線層６、上層を第２の配線層７として形成する。第１のコンタクトプラグ４を第１の配線層６にヴィアプラグ１３を介して接続し、第２のコンタクトプラグ５をヴィアプラグ１３、１６を介して第２の配線層７に接続する構成とする。第１の配線層６、第２の配線層７が共にコンタクトプラグのピッチの倍のピッチで配置できる。ショート不良、耐圧不良、リーク不良、配線間容量の増大を防止できる。 （もっと読む）

【課題】集積回路の電気的性質、特に耐用年数もしくは信頼性が向上するのに好適なビアライナと導電通路ライナとが接触した集積回路を提供する。
【解決手段】特に、ビアライナ２８と導電通路ライナ２０とが接触した集積回路。ビアライナ２８は、接続部分中間材であって、いずれの場合にも、接続部分と該接続部分誘電体の間および／または接続部分とインターコネクトとの間に配置される材料である。導電通路ライナ２０は、電気的に導電性を有するインターコネクト中間材であって、いずれの場合にも、インターコネクトの側面とインターコネクト誘電体との間に配置される材料である。インターコネクト中間材と接続部分中間材は少なくとも１つの接続において接触する。これにより、集積回路１０の電気的性質、特に耐用年数もしくは信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】微細化されたセル構造などの半導体装置において、容量コンタクトの接触抵抗を増大させることなく、ビットコンタクトと容量コンタクトのように２つの高さの異なるコンタクトが近接する場合に、その目合わせずれによるショートを防止する構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の層間膜３を共有し、少なくとも第１のコンタクト４と該第１のコンタクトよりも高い第２のコンタクト６が近接して配置された半導体装置において、前記第１のコンタクト４の上面が該第１のコンタクトの形成される層間膜３に対しリセス構造を成し、該リセス内に前記第１のコンタクトの上面からリセス側壁にかけてシリコン窒化膜サイドウォール９を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤを使用することなく、被覆されたパターンを形成することが可能な被覆パターン形成方法およびこれを利用してより高密度なパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン２を有する熱伝導性基板１に熱重合性組成物を塗布して塗膜３を形成したのち、ベークおよび現像をして被覆パターン７を形成する。このようにして形成された被覆パターン上に無機性組成物膜を形成したのち、エッチングすることによって、より高密度なパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

【課題】 炭化水素含有の多孔質層間絶縁膜を用いた多層配線では、低エネルギプラズマによる放電不安定性と隣接膜との密着性劣化により、低誘電率化と高信頼化を両立することが困難であった。
【解決手段】 本発明の多孔質絶縁膜１０は、有機シロキサンを原料とするプラズマＣＶＤによって形成されたものにおいて、第一の電子エネルギのプラズマを用いてプラズマＣＶＤによって形成された第一層１１と、第一層１１の上に第二の電子エネルギのプラズマを用いて前記プラズマＣＶＤによって形成された第二層１２とを備え、第一の電子エネルギが第二の電子エネルギよりも大きい、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層の電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体素子の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。続いて未反応のニッケル−白金合金膜を除去した後、１回目の熱処理よりも熱処理温度が高い２回目の熱処理を行い、ＰｔＮｉＳｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。１回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば３０〜２５０℃／秒）とし、２回目の熱処理の昇温速度は１０℃／秒以上（例えば１０〜２５０℃／秒）とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板１の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層ＭＨの直下の第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成しない。上記第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下以外の領域には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト孔形状の改善することで配線材料のカバレージの向上を計り、配線材料の第１導電型半導体基板への拡散によるリーク電流の防止を図る。
【解決手段】 第１導電型半導体基板に形成されている第２導電型高濃度拡散層と配線材料を接合させるコンタクト孔を具備し、コンタクト孔形成後にバリアメタル膜と配線材料を堆積後パターニングされていることを特徴とする半導体装置において、第２導電型高濃度拡散層と配線材料の接触面近傍において、単層の絶縁膜あるいは熱膨張係数が同程度の複層の絶縁膜を形成させることで、配線材料カバレージ向上、およびバリアメタル膜の劣化を抑制することで、配線材料の第１導電型半導体基板に拡散することを防止しリーク電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素−炭素結合および炭素−炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素−炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素−炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造に選択的低温Ru堆積を統合することで、バルクCu金属中でのエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、誘電体層(304)中に凹部を有するパターニング基板を供する工程であって、前記凹部は平坦化されたバルクCu金属(322)によって少なくとも実質的に充填されている工程、H₂、N₂、若しくはNH₃、又はこれらの混合気体が存在する中で前記バルクCu金属及び前記誘電体膜を熱処理する工程、並びに、前記の熱処理されたバルクCu金属上にRu金属膜を選択的に堆積する工程、を有する。
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