【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に傷が付かないようにすることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１６に応力緩和層２０を形成し、応力緩和層２０及び電極１２を覆うように導電膜２２を形成し、導電膜２２上に導電膜２２の一部が露出する開口２４を有するようにメッキレジスト層２６を形成し、導電膜２２に電流を流して行う電解メッキによって導電膜２２のメッキレジスト層２６からの露出部上に金属層２８を形成する。その後に、メッキレジスト層２６を除去する。その後に、金属層２８をマスクとして、導電膜２２の金属層２８からの露出部をエッチングして除去する。その後に、金属層２８上にソルダレジスト層３０を形成する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面３２に保護層３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】巨大配線を有する半導体装置において下地の段差に応じて発生する絶縁膜の段差を軽減する。
【解決手段】平坦な基材上に形成された高さＨの下部段差上に形成された貫通孔を有する半導体装置用絶縁膜において、基材上の膜厚Ｄ１が１０μｍ以上２０μｍ以下であり、下部段差上の膜厚に該下部段差の高さを加えた値をＤ２とし、表面粗さを（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１×１００で表したときに、表面粗さが１０％以下であることを特徴とする半導体装置用絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と絶縁層との密着性を高め、半田バンプシア強度、半田バンププル強度を高め、半導体装置の基板実装後の信頼性を向上し得る半導体装置とその製造方法及び半導体装置を使用した電子装置の提供。
【解決手段】本発明は、半導体基板２１の表面に絶縁層２３が設けられ、該絶縁層上に導電層２４，２５が設けられ、該導電層上に半田バンプ２６が設けられた半導体装置において、前記導電層に、前記絶縁層側に突出する楔部２８Ａを少なくとも１箇所有することを特徴とする半導体装置２０Ａを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に第１材料層、第２材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第１材料層に吸収される第１のレーザビームと、第２材料層に吸収される第２のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い配線を形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の、集積回路に電気的に接続された電極１２を有する面に、凹部２４を有するように樹脂層２０を形成する。樹脂層２０及び電極１２を覆うように導電膜３０を形成する。樹脂層２０の凹部２４の内側面及び底面上方で導電膜３０の一部が露出する開口４２を有するようにメッキレジスト層４０を導電膜３０上に形成する。導電膜３０に電流を流して行う電解メッキによって導電膜３０のメッキレジスト層４０からの露出部上に金属層５０を形成する。メッキレジスト層４０を除去する。金属層５０をマスクとして、導電膜３０の金属層５０からの露出部をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤ接合部及びはんだ接合部を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 一実施形態において、この方法は、ワイヤ接合部のためのワイヤ接合金属領域及びはんだ接合部のためのはんだ接合金属領域を含む構造体を準備するステップであって、両領域がシリコン酸化物層の上のシリコン窒化物層で覆われたステップと、ワイヤ接合金属領域の上のシリコン酸化物層に至る第１の開口部と、はんだ接合金属領域を露出する第２の開口部とを材料内に形成するステップと、ワイヤ接合金属領域が覆われた状態を保ちながら、はんだ接合金属領域に対するはんだ接合部を形成するステップと、シリコン酸化物層をワイヤ接合金属領域に至るまで除去するステップを含む、ワイヤ接合金属領域を露出させるステップと、ワイヤ接合金属領域に対するワイヤ接合部を形成するステップとを含む。ワイヤ接合部及びはんだ接合部は、必要に応じて、単一のマルチパート・ウェハ（ＭＰＷ）上又は単一チップ上でアクセス可能にすることができ、実質的に同時に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線溝とビアホールの深さ方向の長さを制御し易い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に第１の絶縁膜１００１を有する部材１９９９を用意し、前記第１の絶縁膜上に層１００２を設け、配線溝と第１の接続孔とに対応したパターンを有するモールドを前記層にインプリントする。そして、配線溝１００３と該第１の接続孔１００４とを有する第２の絶縁膜１００２を形成する。その後、前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の接続孔に連結する第２の接続孔を該第１の絶縁膜に形成する。 （もっと読む）

最終メタライゼーション層のコンタクト領域（２０２Ａ）上にアンダーバンプメタライゼーション層（２１１）を直接形成することによって、アルミニウムおよび対応する密着／バリア層などのほかの終端金属の形成を省略することができる。この結果、得られるバンプ構造（２１２）の熱的挙動および電気的挙動を向上させることができ、プロセスを大幅に簡略化することができる。
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【課題】実装信頼性を向上することができる半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第一絶縁膜２２と、第一絶縁膜２２上に設けられた電極パッド１２と、電極パッド１２の表面から延設された配線層３５と、電極パッド１２の形成位置に対応し、基板１０および第一絶縁膜２２に形成された貫通孔Ｈ３と、貫通孔Ｈ３の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜２３と、第二絶縁膜２３の内側で、貫通孔Ｈ３に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極３０と、を備えた半導体装置１の製造方法において、基板１０の能動面１０ａ側に配線層３５を形成した後に、基板１０の裏面１０ｂ側から貫通孔Ｈ３が形成される。 （もっと読む）

【課題】積層パッケージの製作時絶縁膜形成費用を節減し、かつ、絶縁膜の絶縁特性を確保し、さらに、絶縁膜の均一度及び低い荒さを確保し、そして、絶縁膜自体の欠陥による素子不良発生を防止する構造を提供する。
【解決手段】多数の半導体チップで構成されたウェハ１１０の各チップに溝を形成するステップと、前記溝を埋め込むようにウェハ１１０上に液状のポリマーを形成するステップと、前記ポリマーをパタニングして溝の側壁にポリマーからなる絶縁膜１４０ａを形成するステップと、前記側壁に絶縁膜１４０ａが形成された溝を埋め込むように金属膜１７０を形成するステップと、前記溝内に埋め込まれている金属膜１７０が露出されるようにウェハ１１０の後面をバックグラインディングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な絶縁膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）基材上に、カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を塗布、乾燥する工程、および（２）電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波を照射する工程、を有する絶縁膜の製造方法、該製造方法により形成される絶縁膜、並びに該絶縁膜を有する電子デバイスであり、該膜形成用組成物が電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波に感光性を示す化合物を含有することが好ましく、該カゴ型構造を有する化合物が電子線もしくは波長が２００ｎｍよりも大きい電磁波に対して感光性を示す官能基を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を使用せず、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、前記レーザビームを被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記光学系と前記被照射体との間に設けられたマスクと、を有し、前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記被照射体に照射される。 （もっと読む）

【課題】微細化された層パターンを、精度よく安定して形成できる製造方法を提供するこ
と。
【解決手段】層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置
する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領
域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材
料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。そして、前記液状の材料に対する前記第１の層
の撥液性は、前記材料に対する前記第２の層の撥液性よりも低い。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に第１の開口を形成し、第１の開口を有する絶縁層をマスクとして光吸収層を選択的に除去し、絶縁層及び光吸収層に第２の開口を形成し、第２の開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように第２の開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを有する半導体装置においてグランドメッシュを使用することなくシールド化が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１ａに素子が形成されている素子領域の下層に、半導体基板１ａ中全面に第１分離領域２が形成されており、第１分離領域と接続され、半導体基板１ａの側面に埋め込まれるように第２分離領域３が形成されており、第２分離領域と接続され、半導体基板１ａ上の周縁部全周に導電性壁１１ｂが形成されており、導電性壁１１ｂの上面部全面にバンプ１３ｂが形成されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】平坦化を考慮することなく絶縁層の形成が行われる半導体装置においても、絶縁層に形成された凹凸状の段差の影響を受けることなく絶縁層に確実に開口を形成して導通不良の発生を抑制可能なワイヤーレスＣＳＰタイプの半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の電極１１が設けられた半導体チップ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上面に前記の各電極１１とそれぞれ電気的に接続した再配線１７ｃを形成する工程と、再配線１７ｃと電気的に接続した外部接続端子を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法及びこの方法で製造された半導体装置であって、外部接続端子が接続される再配線１７ｃは、絶縁膜上にポリイミド膜を製膜する工程と、製膜されたポリイミド膜を所定パターンにパターンニングする工程と、パターニングされたポリイミド膜の上面を炭化させて導電層を形成して再配線１７ｃとする工程とにより形成する。 （もっと読む）