【課題】薄膜デバイスと外部配線等との間の電気的接続をより確実に確保すること。
【解決手段】（ａ）配線膜(14)及び薄膜素子を有する被転写体を第１基板(10)上に形成すること、（ｂ）被転写体上にパッシベーション膜(21)を形成すること、（ｃ）配線膜の表面に位置する部分の少なくとも一部と重畳するとともにパッシベーション膜の外縁部まで延びる開口部(21a)と、一端が当該開口部と連通するとともに他端がパッシベーション膜の外縁部に位置する溝(21b)と、をパッシベーション膜に形成すること、（ｄ）被転写体及びパッシベーション膜と第２基板とを接合すること、（ｅ）被転写体及びパッシベーション膜から第１基板を分離することによって被転写体及びパッシベーション膜を第２基板上へ転写すること、（ｆ）開口部に流動体を導入して当該流動体を固化することにより、配線膜と接続された導電体を形成すること、を含む薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１（２）、信号配線３、及び共通配線１０２（１８）をセンサ部１０３よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成されており、信号配線３を走査配線１０１及び共通配線１０２よりも厚く形成した。 （もっと読む）

【課題】 外部基板との熱膨張差により発生する応力を吸収し得る半導体チップを提供する。
【解決手段】 第２絶縁層２３６は、熱膨張率の相対的に低い絶縁膜２３６Ａと、熱膨張率の相対的に高い絶縁膜２３６Ｂとの２層構造からなる。半導体チップ３０と基板９０との熱膨張率は異なり、半導体チップ３０の動作時に発生する熱によって半導体チップ３０と基板９０との間に応力が発生するが、熱膨張率の異なる絶縁膜２３６Ａ、２３６Ｂによりそれぞれ応力を吸収できる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング後にパッドの表面に接続される金属物の密着性を改善することができ
る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法において、半導体基板１０の上方の層間絶縁膜３６
上に金属パッド４０を形成する工程と、酸素含有雰囲気内において熱処理を行い、金属パ
ッド４０の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金を有する金属酸化膜４１を形成する
工程と、半導体基板１０を分割してチップを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビア位置に形成されるパッドの平面寸法を小さくすることにより、上層の導電層における配線パターン形成の設計自由度を向上させることができる半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。
【解決手段】コア基板１０に下層の配線パターン２０を形成し、下層の配線パターン２０を保護する第１の絶縁層３０を形成し、第１の絶縁層３０に第２の絶縁層であるレジスト４０を積層し、レジスト４０に上層の配線パターン８０を形成するためのパターン溝４２を形成した後、レジスト４０に向けてレーザ光を照射し、レジスト４０と第１の絶縁層３０を厚さ方向に連通し下層の配線パターン２０が底面に露出するビア穴６０を形成し、ビア穴６０内面、パターン溝４２内面、レジスト４０表面にシードメタル層７０を形成した後、シードメタル層７０上に電解めっきを行いめっき層７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に与える損傷を抑制できる導電部材の形成方法を提供する。アンダーカットの発生を抑制できる導電部材の形成方法を提供する。
【解決手段】基板を準備する段階と、基板の少なくとも一部を覆うリフトオフ層を形成する段階と、リフトオフ層に、基板の表面の一部を露出させる第１開口部を形成する段階と、リフトオフ層と第１開口部に露出した基板の表面とを覆うシード層を形成する段階と、シード層の表面に、レジスト層を形成する段階と、レジスト層に、少なくとも一部が第１開口部と重なり、かつ、シード層の一部を露出させる第２開口部を形成する段階と、第２開口部の内部に、導電部材を形成する段階と、レジスト層の少なくとも一部を除去する段階と、リフトオフ層をリフトオフ法により除去して、レジスト層とリフトオフ層との間のシード層を除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成せず、金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】半導体装置は、パッド電極２が形成された半導体基板１と、少なくとも前記パッド電極２上に形成された無機絶縁膜３と、無機絶縁膜３上に形成された第１の有機絶縁膜４とを備える。第１の有機絶縁膜４は、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド系樹脂と、複素環状化合物、チオ尿素類及びメルカプト基を有する化合物から選択される少なくとも１種の化合物とを含有する樹脂組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】両面配線相互間の接続の信頼性の高い半導体装置を用い、３次元実装の小形／薄形化に好適な回路配線基板実装体を提供する。
【解決手段】回路配線基板実装体は、その半導体装置１が、個片化され一方の面に形成された素子領域に対する配線層・素子電極を有する半導体チップ２と、前記チップの一方の面に形成され素子電極用コンタクト孔を有する第１絶縁被膜４と、他方の面に形成された第２絶縁被膜６と、素子電極に接続され第１絶縁被膜の表面にパッド部を含んで形成された第１再配線層７と、第１再配線層のパッド部８に設けられた端子電極と、第２絶縁被膜の表面に形成された第２再配線層９と、チップのダイシングラインに沿つた側面に形成され第１及び第２再配線層相互を接続する層間配線層１０とを備え、回路配線基板ＰＣＢのランド部に、端子電極を重ねて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のストリートに合金層を形成すること無く、しかもバリア層の横方向エッチングであるサイドエッチング量が少ない半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の入出力端子となる電極パッド２と、電極パッド２上に順次設けるバリア層および共通電極層６と、この共通電極層６上に設ける突起電極１１を有する半導体装置において、バリア層は、２層からなるとともに、突起電極１１材料または共通電極層６材料と電極パッド２材料とが相互に拡散することを抑制する材料からなり、共通電極層６側の第２のバリア層５は、電極パッド２側の第１のバリア層４より膜厚が薄い半導体装置およびその製造方法により、第２のバリア層５のサイドエッチング量を少なくすることが可能となり、さらに半導体基板のストリートに合金層が形成されることはない。 （もっと読む）

【課題】 耐湿（耐水分、耐水素）性の優れた強誘電体膜を有するキャパシタのパッド構造を備え、パッドに傷が生じても、水素、水分に対する耐性を回復することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上方に電極間に挟まれた強誘電体膜を備えたキャパシタを形成する工程と、半導体基板の上方にキャパシタの電極と電気的に接続されるパッド電極を形成する工程と、半導体基板の上方にパッド電極を保護する保護膜を形成する工程と、保護膜にパッド電極の少なくとも一部が露出する開口部を形成する工程と、パッド電極の表面に測定端子を当てる工程と、測定端子を当てたパッド電極の表面をエッチングする工程と、保護膜とパッド電極の開口部を覆う水素吸蔵膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気・電子材料の製造に有用な塗膜として、銅又は銅合金上で高い解像度の硬化レリーフパターンを与えうる感光性樹脂組成物、並びにこれを用いたパターン形成方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定の構造を有するポリイミド前駆体又は特定の構造を有するポリベンゾオキサゾール前駆体１００質量部と、（Ｂ）感光剤１〜４０質量部と、（Ｃ）特定の構造のフェノール化合物０．１〜２０質量部とを含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】二次配線と半導体チップの電子回路部とが重なり合う場合においても、当該二次配線と当該電子回路部との間の電磁界的干渉を抑制することができると共に、ウエハの彎曲を抑えることができ、かつ、ダイシング工程において、チッピングが発生する危険性を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１ａは、半導体チップ２において、第１の二次配線未形成領域の絶縁層が、第１の二次配線形成領域の絶縁層よりも薄く形成される。また、半導体チップ２における、電極パッド１０が形成された回路形成面が伸びている方向に関し、半導体チップの縁３１が、上層絶縁層１２の縁である側壁部１２ｓよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにおいて、傾斜面を有する樹脂ポストが存在する場合であっても、樹脂ポスト近辺に微細な再配線を設計どおりに高密度に形成することができ、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極３を備えた基板２上の所定位置に、面状をなす第一頂部４ａを備えた突起状の第一樹脂ポスト４を形成する工程αと、前記第一樹脂ポストの第一頂部上に、該第一頂部の一部を少なくとも露出させるように、該第一頂部よりも小さい面状をなす第二頂部５ａを備えた突起状の第二樹脂ポスト５を形成する工程βと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メッキによって厚く形成された端子を有する電子部品において、ダイサーによる切削領域が切削予定領域からズレても、給電ラインの切残しによって、端子同士が電気的に接続されることのない電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の切削が予定されている第１の切削予定領域３４の両側に沿って配列された、電子部品となる複数の領域３６に設けられる複数の第１の端子電極３０と、１つの前記第１の端子電極３０から始まり、その後、第１の切削予定領域３４及び第１の切削領域３４に交差する第２の切削予定領域３４’の何れか一方を孤立した線分で横切り、更に横切って到達した領域に設けられる１つの第１の端子電極３０に達することを繰り返しながら、切削予定領域３４，３４’の一端から他端に達する給電ライン２９を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増大させることなく、酸化銅の成長を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、電極１２が設けられた主面に、絶縁層１３、銅薄膜１４、銅再配線（配線）１５、酸化銅１６、塩基性炭酸銅（保護膜）１７、及び、樹脂絶縁層１８が順次形成されており、酸化銅１６の界面を、二酸化炭素の濃度制御によりｐＨ値が６≦ｐＨ＜７に制御された炭酸水に浸漬させることで、炭酸銅ＣｕＣＯ_３及び水酸化銅Ｃｕ（ＯＨ）_２の復塩である塩基性炭酸銅１７を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成しない半導体装置、その製造方法及び当該製造方法に使用する感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１上に形成された少なくともパッド電極２及び金属配線上に無機絶縁膜３を形成する工程と、前記無機絶縁膜３上に有機絶縁膜４であるフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜３をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極２を露出させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ膜からなる配線層と封止樹脂層との密着性を向上させ、両層間での剥離を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１Ａ（１）は、一面に電極３を配してなる半導体基板２と、前記半導体基板の一面を覆うように配され、前記電極と整合する位置に電極用の開口部αを有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部αを通して前記電極と電気的に接続される配線層５と、を少なくとも備える半導体装置であって、前記配線層は、Ｃｕ膜からなり、該配線層の表面が１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上部パッドの損傷に関係なく、下部パッドの大気露出を防止するボンディングパッド構造物を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド構造物は、パシベーション膜１４０、上部パッド１２０、下部パッド１１０、及びコンタクト部材１３０を含む。上部パッドは、前記パシベーション膜で覆われる第１領域、及び前記パシベーション膜から露出された第２領域を有する。下部パッドは、前記第２領域を通じて露出されないように前記上部パッドの第１領域下部に位置する。コンタクト部材は、前記上部パッドと前記下部パッドとの間に介在され、前記上部パッドと前記下部パッドを電気的に連結させる。従って、下部パッドが大気中に露出されない。 （もっと読む）

【課題】製造工程を減らして生産性を向上させることができると共に開口度が大きくて明るい表示が可能なＦＦＳモード等の横方向電界方式の液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の製造方法は、パッシベーション膜１７の表面にコンタクトホール２１ａの形成予定位置に開口が形成された平坦化膜１８を形成すると共に表示領域の周縁部の平坦化膜は除去し、次いで、フッ素系のエッチングガスを用いて露出しているパッシベーション膜１７を除去する工程を備える。この方法を採用することによって、従来例よりもコンタクトホール２１ａの開口サイズが小さくなると共に製造工程数を減らすことができる。 （もっと読む）