【課題】半導体基板の欠けや割れが抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面１ａに、外周端部から内側に向かって所定の幅を有して外周端部に沿って延在するパッシベーション膜３を形成する。半導体基板１の外周端部を研削することにより、表面１ａおよび裏面１ｂと直交する外周端面１ｃを形成する。裏面１ｂを研削することにより、半導体基板１の厚みを所定の厚みにまで薄くする。研削された裏面を上方に向けた状態で、半導体基板１を回転させながら裏面上に混酸を吐出することにより、裏面にエッチング処理を施して破砕層を除去する。 （もっと読む）

【課題】樹脂製のバンプコアの上に導電膜を形成したバンプを有する半導体装置の歩留まりを高くしつつ、バンプピッチを狭くする。
【解決手段】保護絶縁膜１２０上に感光性樹脂膜２１０を形成する。次いで、感光性樹脂膜２１０を露光及び現像することにより、保護絶縁膜１２０上に、第１の直線に沿って複数のバンプコアを形成する。次いで、複数のバンプコア上、複数の電極パッド１３０上、及び保護絶縁膜１２０上に導電膜を選択的に形成することにより、複数のバンプ、及び複数のバンプそれぞれをいずれかの電極パッド１３０に接続する複数の配線を形成する。そして複数のバンプコアを形成する工程において、多階調マスク５０を使用して感光性樹脂膜２１０を１回のみ露光することにより、バンプコアの側面のうち配線に面する領域を、第１の直線と交わる領域より傾斜を緩やかにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を貫通する導電性突起体と半導体素子の電極部とが電気的に接続された半導体装置において接続信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子１０１の一面上に電極部１０２が配置されている。電極部１０２を除いて半導体素子１０１の一面を覆うように絶縁層１０７が形成されている。電極部１０２と電気的に接続する導電性突起体１０３を有する配線１０５が絶縁層１０７上に形成されている。導電性突起体１０３と電極部１０２との間に、錫及び銅を含む合金層１０４が介在している。 （もっと読む）

【課題】バンプを介した接合部分の強度を確保可能とすることで高い信頼性を備える半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０に形成された電極パッド１２と、電極パッド１２の位置に形成されたパッド開口を備える保護層を構成するパッシベーション膜１３及び緩衝層１４と、パッド開口に形成され、電極パッド１２に電気的に接続されたバンプ２１と、バンプ２１との間に間隔が設けられ、金属層である通電層１６を介して保護層上に形成された樹脂層１８と、を有し、樹脂層１８は、接着性樹脂材料を用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】 研削屑の付着が抑制されたメッキ下地層上にメッキ層を安定して形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面領域の拡散領域１３に接続された下地メタル１５を有する半導体基板１１に、下地メタル１５を被う絶縁膜１７を形成する工程、少なくとも下地メタル１５の表面露出予定部分に開口を有するように、絶縁膜１７上にパターニングされたポリイミド膜１９を形成する工程、絶縁膜１７及びポリイミド膜１９を被い表面保護テープ２１を貼付する工程、半導体基板１１の裏面を研削する工程、半導体基板１１の表面保護テープ２１を除去し、下地メタル１５と反対側より、半導体基板１１の中にキャリアライフタイム制御用のヘリウム照射２３を行い、アニールを行う工程、ポリイミド膜１９をマスクとして絶縁膜１７をエッチングし、下地メタル１５を露出する工程、及び下地メタル１５上に、Ｎｉ／Ａｕのメッキ膜２５を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】低温で処理できる印刷法を用いて、配線の断線による欠陥を修正する場合に、欠陥修正用の導電性材料が不要な部分まで広がることを防止することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板の欠陥修正方法は、基板２０上に形成された３本の配線２１，２２，２３のうち、配線２２のパターンに生じた断線箇所２４の周辺に絶縁性材料を用いてバンク２５を形成する工程と、そのバンク２５を形成した後で断線箇所２４に導電性材料を塗布することにより、当該導電性材料からなる欠陥修正部２６を形成する工程とを有する。この方法では、配線２２の断線箇所２４に導電性材料を塗布したときに、導電性材料の広がりがバンク２５によって抑制される。 （もっと読む）

【課題】紫外線の暴露により架橋し得る材料で作製された層の基板に対する接着を改善するための方法、およびそれを利用しトランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】紫外線への暴露により架橋し得る材料Ｍで作製された層の基板Ｓの表面に対する接着を改善する際に、ａ）材料Ｍの表面の反応基Ｍ１と反応し得る第１の反応基Ｆ１と、基板Ｓの表面を構成する材料（複数可）と結合を形成し得る第２の反応基Ｆ２とを備える少なくとも１種の分子Ｆを含む未重合の重合性組成物Ｐの堆積ステップ、ｂ）ステップａ）において得られた未重合の組成物Ｐの層上への、未架橋の材料Ｍで作製された層の堆積ステップ、およびｃ）ステップｂ）において得られた３層構造に紫外線を暴露するステップ。 （もっと読む）

【課題】配線構造が積層化された回路基板において、回路特性の劣化を防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下層配線パターン３を形成し、下層配線パターン３を覆う状態で絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５に下層配線パターン３を露出する開口部５ａを形成する。絶縁膜５上に上層配線パターン７を形成し、その後下層配線パターン３と上層配線パターン７とを接続する接続材料パターン９を絶縁膜５の開口部５ａの側壁に形成する。接続材料パターン９は、例えば有機半導体材料を用いて形成する。これにより、有機半導体材料からなる接続材料パターン９の劣化を防止した回路基板１１-1が得られる。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂突起の成型時に導電膜に変形が生じ、導電膜が断線することを防止する。
【解決手段】まず、保護絶縁膜１２０上に選択的に硬化型の樹脂層を形成することにより、複数の外部接続端子それぞれのコアとなる複数の凸部２０２を形成する。次いで、凸部２０２を硬化させる前に、対向面２２（表面）が平坦である成型用治具２０を複数の凸部２０２の上面に押し付けることにより、複数の上面それぞれに平坦部を形成する。次いで、複数の凸部２０２を硬化させる。ついで、複数の凸部２０２、保護絶縁膜１２０、及び複数の電極パッド１３０上に導電膜を選択的に形成することにより、複数の外部接続端子、及び複数の配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上に形成されるＣｕから成るスタッドバンプ２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する
【解決手段】 インプリント法に用いるスタンパ１３のパターン面をバリア膜形成化合物１４で被覆し、スタンパ１３のパターン面を、基板１１上に塗布された樹脂膜１２に押し当てつつ、バリア膜形成化合物１４の分解・転写処理を行う。これにより、スタンパ１３のパターン面のパターンにより樹脂膜１２内に配線溝１６が形成され、配線溝１６に沿ってバリア膜１７が形成される。その後、配線溝１６内にバリア膜１７を介して配線材料を埋め込み、配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】パターン欠陥の発生を抑制、防止して、パターンを歩留まりよく形成できるインプリント方法、それを用いた配線パターンの形成方法、該方法により形成された配線パターンを備えた積層電子部品を提供する。
【解決手段】被転写材領域Ｒ１の重心を通る直線上において、(ａ)被転写材領域内に位置する部分を線分被転写材部Ｌ１とし、(ｂ)モールドパターン領域Ｒ２内に位置する部分を線分モールドパターン部Ｌ２とし、(ｃ)プレス領域Ｒ３内に位置する部分を線分プレス部Ｌ３とした場合において、(イ)線分被転写材部の長さが線分プレス部の長さ以上で、(ロ)線分被転写材部と線分プレス部の重なる部分が線分被転写材部の９２％以上を占め、かつ、(ハ)線分被転写材部の長さが線分モールドパターン部の長さ以上で、(ニ)線分被転写材部と線分モールドパターン部の重なる部分が線分被転写材部の９７％以上を占めるという条件を満たしてインプリントを行う。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増加させずに、信頼性が高く、かつ反射特性に優れる電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス２００は、基板１と、基板１上に形成され、少なくともＭｏ系膜４１と、その上層に形成されたＡｌ系膜４２とからなる導電性反射膜４０とを備える。そして、導電性反射膜４０のＭｏ系膜４１の表面荒さＲａが５ｎｍ以下であり、Ａｌ系膜４２の波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍにおける反射率が８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシロキサン（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される構造単位（ｃ１）を含む重合体（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）と、を含有するネガ型感放射線性組成物。
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【課題】工程数の低減が可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１導電性膜(23b)を形成する工程と、第１導電性膜上に、第１導電性膜を露出する第１凹部（C1b)と、平面視において第１凹部を取り囲むよう配置された第２凹部（G2a,G1b)と、を有する層間絶縁膜を形成する工程と、第２凹部の底面をエッチングし、第２凹部より大きい開口部を有する第３凹部（G3a,G3b)を形成することにより、第２凹部の下方にオーバーハング部(OH)を形成する工程と、第１、第２および第３凹部内を含む層間絶縁膜上に第２導電性膜を堆積することにより、第１導電性膜と電気的に接続され、第２導電性膜よりなる画素電極(33a)を形成するとともに、第３凹部によって画素電極とその外周の第２導電性膜とを電気的に分離し、第３凹部の底部に堆積した第２導電性膜よりなる配線(33c)を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された第１配線１と、半導体基板１１上の第１配線１との交差部において、隙間９を介して第１配線１を跨ぐように形成された第２配線２と、交差部の第２配線２下において、少なくとも第１配線１を覆うように半導体基板１１上に形成された保護膜８と、交差部の第２配線２下の保護膜８上において、保護膜８の端部よりも内側に形成され、交差部の第１配線１を覆うように島状に形成された絶縁膜３と、備えている。 （もっと読む）