【課題】 Ｃ４ボール内の均一な電流密度のための金属配線構造体を提供する。
【解決手段】 １つの実施形態において、金属構造体のサブパッド・アセンブリが、金属パッドの直下に配置される。サブパッド・アセンブリは、金属パッドに当接する上位レベル金属ライン構造体と、上位レベル金属ライン構造体とその下方に配置された下位レベル金属ライン構造体との間の電気的接続をもたらす一組の金属ビアとを含む。別の実施形態において、Ｃ４ボールの信頼性は、Ｃ４ボール内部の均一な電流密度分布を助長するように分割及び分布させた一組の統合された金属ビアを有する金属パッド構造体を用いることによって高められる。複数の金属ビアの断面積の面密度は、金属パッドの中央部分において金属パッドの平担部分の周縁部分よりも高い。 （もっと読む）

【課題】現在のＬＳＩ、すなわち、半導体集積回路装置の製造工程においては、デバイスの組み立て（たとえばレジン封止）後に、高温（たとえば摂氏８５から１３０度程度）・高湿（たとえば湿度８０％程度）の環境下での電圧印加試験（すなわち、高温・高湿試験）が広く行われている。これに関して、高温・高湿試験中に、正電圧が印加されるアルミニウム系ボンディング・パッドの上面端部において、封止レジン等を通して侵入した水分に起因する電気化学反応により、反射防止膜である窒化チタン膜が酸化されて膨張し、上部膜との剥がれや、膜クラックが発生することが、本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系ボンディング・パッドの周辺部において、パッド上の窒化チタン膜をリング・スリット状に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】個片化時に切断部分が欠けてしまうことを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子領域と複数の素子領域を区画する区画領域とを具える上面（第１面）と、上面（第１面）の反対側の裏面（第２面）とを有する半導体ウエハ１０１Ａを準備する工程と、上面（第１面）の各素子領域上に、上層配線１０２をそれぞれ形成する工程と、裏面（第２面）側から半導体ウエハ１０１Ａを例えばＤｅｅｐ−ＲＩＥなどによりエッチングすることで、上層配線１０２を露出する貫通孔Ａ２を形成すると共に、上面（第１面）の区画領域に対応する裏面（第２面）の領域に半導体ウエハ１０１Ａを貫通する溝Ｂ２２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数個のアレイ基板を同時に形成するためのアレイ基板用マザー基板にスピンコ
ーターを用いてレジスト塗布する際、表示領域内に放射状の塗布ムラが生じないような配
線パターンとされたアレイ基板を備えた液晶パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶パネルは、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し
、前記一対の基板の一方の表示領域には複数のサブ画素がマトリクス状に形成されている
と共に、表示領域の周縁部には表示領域からゲート配線３９Ｇ及びソース配線３９Ｓが端
子領域まで延在されている液晶パネルにおいて、前記互いに隣接するゲート配線３９Ｇ及
びソース配線３９Ｓ等の引き回し配線の直近の屈曲点Ｐ１同士を順次結んでなるラインが
、端子領域が形成されている辺と実質的に平行な直線ラインＬ１とされている。 （もっと読む）

【課題】耐湿リングの一部のパターンが剥離するのを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の耐湿リング８ａと第２の耐湿リング８ｂとを有し、第１の耐湿リングは、第１の絶縁層１４２に埋め込まれた第１のパターン１５０ａと、第２の絶縁層１５６に埋め込まれた第１のパターンより幅の狭い第２のパターン１６０ａと、第２の絶縁層上に形成され、長手方向に沿った両側部のうちの少なくとも一方が第１のパターンと平面的に重なり合っていない第３のパターン１６０ｃとを有しており、第２の耐湿リング８ｂは、第１の絶縁層に埋め込まれた第４のパターン１５０ｂと、第２の絶縁層に埋め込まれた第４のパターンより幅の狭い第５のパターン１６０ｂと、第２の絶縁層上に形成され、長手方向に沿った両側部のうちの少なくとも一方が第４のパターンと平面的に重なり合っておらず、第３のパターンと分離された第６のパターン１６２ｂとを有している。 （もっと読む）

この発明は、基板接触、特に半導体基板（２１）の端子面を接触させるためのコンタクト配置（４７，４８，４９，５０，５５，５６，５７）に関し、基板の底部端子面によって基板表面に形成された、コンタクト配置の少なくとも１つの内側コンタクト（２５）と、内側コンタクトの外側端縁領域と周辺部とを少なくとも被覆するパッシベーション層（３４，３５）と、内側コンタクト（２５）から横方向に離れるようにパッシベーション層（３４，３５）の上に延在する少なくとも１つの下側コンタクトストリップ（３６）と、下側コンタクトストリップの上に延在するもう１つの上側のコンタクトストリップ（３７，３８，３９）とを含み、このもう１つのコンタクトストリップは、コンタクトメタライゼーションによって形成されており、このコンタクトメタライゼーションは、ニッケル（Ｎｉ）層からまたはニッケルとパラジウム（Ｐｄ）とを含有する層構造（３８，３９）から実質的に構成される。
（もっと読む）

【課題】電極パッドよりも径の小さな貫通孔を半導体基板自体に設けることなく、上下に積層された半導体チップ間の電気的な接続を行う。
【解決手段】半導体基板Ｓ１の横にはみ出すように電極パッドＰ１を配置し、半導体基板Ｓ１の周囲を取り囲むように配置された樹脂層Ｊ１上にて支持し、電極パッドＰ１が上下に重なるように半導体チップＣ１を積層し、貫通孔Ｔ１内に導電体Ｄ１を埋め込むことで、上下の電極パッドＰ１を電気的に接続し、上下に積層された半導体チップＣ１間の電気的な接続を行う。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの形状に異常を生じず且つサイズの小さい多層配線構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を挟んで互いに対向して形成された上下の配線路の一方の配線幅を大、他方の配線幅を小とし、且つ、同一の配線層において互いに隣接する配線路の配線幅を大小交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における再配線パターンに、段差による断線等の欠陥が生じないような半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】１の絶縁層の上に配線層を形成するのに先立って、当該１の絶縁層の直下の配線層における配線路の配置位置及びビアの配置位置に応じた弱露光部及び強露光部を有するマスクを介して当該１の絶縁層を露光する。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を伴うことなく、寄生容量を抑制できるとともに、高開口率および高透過率を示すアクティブ素子基板の製造方法を実現する。
【解決手段】画素ＴＦＴ７および信号配線上に、コンタクトホール９ａ・１０ａを有する透明な絶縁層９・１０を形成する工程を備え、該工程は、画素ＴＦＴ７および信号配線を覆うように、感光性を有さない第１の絶縁層９を形成する工程と、第１の絶縁層９を覆うように、感光性を有する第２の絶縁層１０を形成する工程と、第２の絶縁層１０を露光および現像により、パターニングする工程と、第２の絶縁層１０をマスクとして上記第１の絶縁層９をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一般的なウエハ・レベル・パッケージ・プロセスでは、メッキ・プロセス中におけるスクライブ領域のアルミニウム系パッド電極の腐食を防止するために、製品領域における有機系保護膜と同層のパッド保護用樹脂膜でパッド電極をカバーしている。しかし、これでは再配線形成後にスクライブ領域のパッド電極に対するプローブ検査が実行できない。
【解決手段】本願発明は、ウエハ・レベル・パッケージ方式の半導体集積回路装置の製造方法において、チップ領域およびスクライブ領域の有機系保護膜を相互に連結した一体の膜パターンとし、ペレタイズ工程においては、スクライブ領域中央部の有機系保護膜を含む表層部分を先ず、レーザ・グルービングで除去することで幅広の溝を形成し、その後、この溝内の中央部をダイシング処理することで、ここのチップ領域に分離するものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上とホール内に形成したカーボンナノチューブを絶縁膜に損傷を与えることなく絶縁膜上から除去すること。
【解決手段】配線１５ａ上方に絶縁膜１７、１８を形成し、絶縁膜１７、１８をパターニングして配線１５ａに達するホール１７ａを形成し、ホール１７ａ内と絶縁膜１７、１８上面にカーボンナノチューブ２２を形成し、カーボンナノチューブ２２の層の上に第２絶縁膜２３を形成し、第２絶縁膜２３をエッチングすることによりカーボンナノチューブ２２を露出するとともに、カーボンナノチューブ２２の層の凹部に第２絶縁膜２３を残し、カーボンナノチューブ２２をエッチングしてカーボンナノチューブ２２の上端の位置を揃え、さらにカーボンナノチューブ２２上の第２絶縁膜２３をエッチングし、カーボンナノチューブ２２をエッチングして絶縁膜１７上面から除去するとともにホール１７ａ内に残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおいて再配線形成後にも電気的特性検査を実施する。
【解決手段】再配線形成後のダイシング工程において、レーザーダイシングとブレードダイシングを行うことで、半導体ウェハのダイシング領域１ｃ上に形成された再配線９ｅ等の厚いメタル層であっても前記メタル層を残すことなくきれいに切断を行うことができるようになり、その結果、再配線形成後にもダイシング領域１ｃ上に配置されたテスト用電極パッド９ｓを用いて半導体ウェハや再配線９ｅ等の電気的特性検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内の再配線層の厚みのばらつきを低減し、所望の電気的特性を得ることのできる多層再配線構造を有するＷＣＳＰ型の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の再配線層を形成する工程において、第１の導電材料をめっき法により成長させて第１の再配線層より厚い第１の導電材料層を形成し、第１のレジスト膜及び第１の導電材料層を主面側から研磨して表面を平坦化して、第１の再配線層を形成する処理、及び、第２の再配線層を形成する工程において、第２の導電材料をめっき法により成長させて第２の再配線層より厚い第２の導電材料層を形成し、第２のレジスト膜及び第２の導電材料層を主面側から研磨して表面を平坦化して、第２の再配線層を形成する処理の少なくとも一方の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電極と配線との接続信頼性の高い半導体装置と、その半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１１の上に設けられた電極１４と、第１の面１１の上に設けられ、電極１４の第１の部分の上に位置する開口部１６ａを有する絶縁膜１６と、を有する構造体１を用意する工程と、電極１４の前記第１の部分の上から絶縁膜１６の上に至るまで第１の金属層１７を形成する工程と、第１の金属層１７を形成する工程の後、電極１４の前記第１の部分の上に位置する第１の金属層１７の第１の部分１９の上、並びに絶縁膜１６の上に樹脂層３０を形成する工程と、樹脂層３０の第１の部分は残し、樹脂層３０の少なくとも第１の金属層１７の第１の部分１９の上に位置する第２の部分を除去して、樹脂突起１８を形成する工程と、第１の金属層１７の上から樹脂突起１８の上に至るまで、電極１４と電気的に接続する第２の金属層２０を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】端子間の接合性に優れ高い信頼性を備えたものにするとともに、端子の狭ピッチ化も容易に対応できる半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された貫通孔７内に設けられるとともに、半導体基板１０の能動面１０Ａと反対側の裏面１０Ｂに部分的に突出する貫通電極５と、を有し、貫通電極５は、樹脂コア９と、樹脂コア９の少なくとも一部を覆う導電膜１５と、を有し、貫通孔７は、内壁面７ａの少なくとも一部が能動面１０Ａ側に向かって貫通孔７の内径を狭めるテーパー形状となっている。 （もっと読む）

【課題】 改善されたはんだバンプ接続を有する構造体及びそのような構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 改善されたはんだバンプ接続を有する構造体及びこのような構造体を製造する方法が、提供される。この構造体は、コンタクト・パッドを露出させるように誘電体層内に形成されたビアと、ビア内及び誘電体層の上に形成されたキャプチャ・パッドとを含む。キャプチャ・パッドは、セグメント化された構造部を形成するように、誘電体層の上に開口部を有する。はんだバンプは、キャプチャ・パッド及び誘電体層の上の開口部上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）