【課題】端子間の接合性に優れ高い信頼性を備えたものにするとともに、端子の狭ピッチ化も容易に対応できる電子装置、電子装置の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された貫通孔７内に設けられるとともに半導体基板１０の能動面１０Ａ側に部分的に突出する貫通電極５と、を有し、貫通電極５は、樹脂コア９と、樹脂コア９の少なくとも一部を覆う導電膜１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】能動素子、受動素子等の損傷や特性変化を防止しつつ、より小型化が図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の層２〜４が積層された半導体装置において、最上部に位置する第１配線層５９と、最上部から下方の２番目に位置する第２配線層５４と、第１配線層５９と第２配線層５４の間に形成された金属膜５６と、金属層５６の外周に形成され、第１配線層５９と第２配線層５４を接続する第１導電性プラグ５８と、金属膜５６及び第１配線層５９の上方に形成されたパッド６２と、パッド６２と第１配線５９を接続する第２導電性プラグ６１とを有する。 （もっと読む）

【課題】一対の電極間に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールによって露出される導
電層と電極とのコンタクト抵抗が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法では、共通電位配線１７および画素電極
１９を覆うように有機膜からなる層間絶縁膜２０を形成する工程と、層間絶縁膜２０の共
通電位配線１７に対応する領域にコンタクトホール２０ａを形成する工程と、コンタクト
ホール２０ａによって露出された共通電位配線１７および層間絶縁膜２０の表面をエッチ
ングする工程と、共通電位配線１７にコンタクトホール２０ａを介して接続され、層間絶
縁膜２０を挟んで画素電極１９と対向するように設けられる共通電極２１を形成する工程
とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた半導体部品等の電極パッドとそれに接続されるべくインクジェット法により形成される配線との電気的な接続を好適に確保することのできる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の第２電極パッド１５に電気的に接続される金属配線膜１９が、銀微粒子を分散媒に分散させた導電性インクからなる液滴（液層２５Ｌ）の配置及び乾燥により形成される。このとき、第２電極パッド１５の表面のメッキ層２１に銀微粒子の結合層からなる中間層２３Ｄを形成した後、中間層２３Ｄを覆うかたちに上記分散媒を撥液する撥液材料を含む撥液層２４を積層する。これにより、金属配線膜１９は、その乾燥焼成を通じて中間層２３Ｄと物理的に接続するようになり、撥液層２４を間に挟みつつ第２電極パッド１５と物理的に接続され、すなわち電気的にも接続されるようになる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

本発明の方法は、基板（２０１）の選択的領域メッキを可能とする方法であり：前記基板に第一の電気的伝導層を形成し；前記第一の電気的導電性層（３０１）を抗−無電解メッキ層（４１０）で覆い；前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層とを通して延長する構造（５１０、５２０）を形成するために、前記基板をパターン化し；前記第一の電気的伝導層に隣接してかつ電気的に結合された、第二の電気的伝導層（６１０）を形成し；前記第二の電気的伝導層の上に第三の電気的伝導層（７１０）を形成し；及び前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層を除去することを含む。
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【課題】窒化珪素膜でＣｕ配線を挟み込むことによりＣｕによりＴＦＴが汚染されるのを防ぐ。
【解決手段】結晶性半導体膜と、結晶性半導体膜上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上のゲート電極と、結晶性半導体膜及びゲート電極上の第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜に設けられた第１のコンタクト部を介して結晶性半導体膜に電気的に接続される第１の配線と、第１の層間絶縁膜及び第１の配線上の、第１の配線の一部を露出させた第２のコンタクト部が設けられた第１の窒化珪素膜及び第１の窒化珪素膜上の第２の層間絶縁膜と、第２のコンタクト部により露出させた第１の配線上に設けられたＣｕの拡散を防ぐバリア層と、第２のコンタクト部に設けられたバリア層上のＣｕでなる第２の配線と、第２の配線を被覆して設けられた第２の窒化珪素膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の使用時において熱による反りを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】縦型ＭＯＳトランジスタを構成する半導体基板１０の表面上に、ソース領域と接続したソースパッド電極１８が形成されている。ソースパッド電極１８には、メッキ法により形成された表面電極２３が形成されている。表面電極２３にはバンプ電極３１が接続されており、表面電極２３は、バンプ電極３１を露出する保護膜２６に覆われている。一方、半導体基板１０の裏面上には、ドレイン領域と接続した裏面電極３０が形成されている。表面電極２３と裏面電極３０は、同じ線膨張係数を有した金属、好ましくは銅からなる。また、表面電極２３と裏面電極３０は、好ましくは同じ厚さ、あるいは略同じ厚さを有している。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスを実現する積層チップパッケージにおいて、チップ間の電気的接続を行う配線を容易に形成でき、且つ配線の信頼性を高めることができるようにする。
【解決手段】積層チップパッケージ１は、本体２と、本体２の側面に配置された配線３Ａ，３Ｂとを備えている。本体２は、それぞれ第１の種類の半導体チップを含む複数の第１の種類の階層部分１２〜１８と、第２の種類の半導体チップを含む第２の種類の階層部分１１とを含んでいる。第１の種類の半導体チップは、複数のメモリセルを含んでいる。第２の種類の半導体チップは、複数の第１の種類の階層部分に含まれる複数のメモリセルに対する書き込みと読み出しを制御する回路を含んでいる。各階層部分は、半導体チップの少なくとも１つの側面を覆う絶縁部と、半導体チップに接続された複数の電極とを含んでいる。各電極の端面は、本体２の側面に配置され、配線３Ａ，３Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セル１６０は、基板１０４と、基板１０４上に形成されるドレイン電極１８０、ソース電極１８２、及びゲート電極１８４と、基板１０４及び各電極上に形成され、ドレイン電極１８０の表面を露出する開口部２２０が形成された絶縁層１４２とを含む。開口部２２０は、ドレイン電極１８０の表面から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら所定高さまで立上がる壁面２２２と、基板１０４の表面から当該所定高さで基板１０４の表面に平行となった踊り場状の平坦面２２４と、平坦面２２４から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら立ち上がる壁面２２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】第１の再配線層のビア部内にレジスト膜を残存させることなく、第１の再配線層とビア部を介して電気的に接続される第２の再配線層を所望のパターンで形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２のレジスト膜３４の第２の再配線層２２が形成される領域に対応する領域Ａに、露光光３８を照射する。続けて、第２のレジスト膜３４の第２の開口部２０ａが形成された領域に対応する領域Ｂに、露光光３８を照射する。領域Ａの内側に在る領域Ｂの第２のレジスト膜３４は多重露光され、露光が深さ方向まで行き渡ることになる。現像処理により露光された第２のレジスト膜３４を除去して、第２のレジスト膜３４を所望の再配線パターンにパターニングする。第２の開口部２０ａ内のレジスト膜３４や、第１のビア部１８ａの凹部内のレジスト膜３４も除去される。 （もっと読む）

【課題】 配線の引き回しに制約を受けにくいようにする。
【解決手段】 第１の保護膜５上には複数の配線７が設けられている。配線７を含む第１の保護膜５上には、配線７の接続パッド部７ｃに対応する部分に開口部１１を有する第２の保護膜１０が設けられている。第２の保護膜１０の開口部１１を介して露出された配線７の接続パッド部７ｃ上面およびその周囲における第２の保護膜１０上には柱状電極１３が設けられている。これにより、配線７の接続パッド部７ｃの平面サイズが柱状電極１３の平面サイズよりも小さくなり、配線７の接続パッド部７ｃ間の間隔を広くすることができ、ひいては配線７の引き回しに制約を受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトの剥がれ、絶縁膜表面の段差、及び、コンタクトの両端に発生する気泡を防止し、信頼性が高く、拡散工程の短い高周波デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の高周波デバイス２００は、Ｓｉ基板２０１上に形成された能動素子と、前記Ｓｉ基板２０１上に積層して形成されている１０ＧＨｚ以上の周波数における誘電正接が０．０２以下で膜厚が１０μｍ以上の絶縁膜２０５と、前記絶縁膜２０５上に形成されている受動素子を主に形成する配線層２０７と、前記能動素子と前記受動素子を主に形成する配線層２０７とを前記絶縁膜２０５を介して、前記Ｓｉ基板２０１に対して垂直方向に接続する金属であるコンタクト２０６とを備え、前記コンタクト２０６は、無電解メッキによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】正常に動作しないチップに接続された配線に起因する問題を低減しながら、正常に動作しないチップを使用不能にする。
【解決手段】積層チップパッケージ１は、複数の階層部分１１〜１８を含む本体２と、本体２の側面に配置された配線３Ａ，３Ｂとを備えている。複数の階層部分は、第１の種類の階層部分１１〜１６，１８と、第２の種類の階層部分１７とを含んでいる。第１の種類の階層部分と第２の種類の階層部分は、いずれも、半導体チップを含んでいる。第１の種類の階層部分は、それぞれ半導体チップに接続され、配線３Ａ，３Ｂが配置された本体２の側面に配置された端面を有する複数の電極を含むが、第２の種類の階層部分は、半導体チップに接続されると共に配線３Ａ，３Ｂが配置された本体２の側面に配置される端面を有する電極を含んでいない。配線３Ａ，３Ｂは、複数の電極の端面に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で画素電極とコンタクトホールとを形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続するにあたって、貫通孔底部の角部におけるリーク電流の発生や絶縁膜のクラック等を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と、ホトダイオードの出力を半導体基板の一方の主面側から他方の主面側に導く導電性部材との間の電気絶縁性を確保することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１０５には、隣接するｐ型不純物拡散領域１０９間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔１０５ｃが形成されている。貫通孔１０５ｃは、ｐ型不純物拡散領域１０９それぞれに対応して設けられている。貫通孔１０５ｃを画成するｎ型半導体基板１０５の壁面上には、熱酸化膜１１３が形成されている。貫通孔１０５ｃ内には、熱酸化膜１１３の内側に導電性部材としての貫通配線１１５が設けられている。貫通配線１１５の一端側の部分は、電極配線１１７の一端側の部分に電気的に接続されている。電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、パターニング特性を備え、しかも比較的高い塗膜強度と比較的低い比誘電率を有し、さらには表面平坦性や耐クラック性などに優れたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液およびその調製方法に関する。
【解決手段】 パターニング特性を備えたシリカ系塗膜を形成するための液状組成物からなるシリカ系塗膜形成用塗布液であって、塩基性触媒成分を含有するシリカ系微粒子、特定の有機珪素化合物を加水分解して得られる珪素化合物および紫外線照射により酸を発生する酸発生剤を少なくとも含むシリカ系塗膜形成用塗布液および該シリカ系塗膜形成用塗布液の調製方法。 （もっと読む）

【課題】パッドと半導体チップとの接続部分への応力の集中を防止することをができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２の最表面には、パッシベーション膜４が形成されている。パッシベーション膜４には、その下層に設けられた配線３の一部を露出させる開口５が形成されている。半導体チップ２上には、ポリイミド層６が積層されている。ポリイミド層６には、配線３における開口５を介してパッシベーション膜４から露出する部分と対向する位置に、それを厚さ方向に貫通する貫通孔７が形成されている。ポリイミド層６における貫通孔７の周辺部分８上および貫通孔７内には、その表面上に外部接続端子１２が配置されるパッド９が形成されている。ポリイミド層６は、貫通孔７の周辺部分８が局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）