【課題】 外部基板へ実装した際に、接続不良を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置１は、一面に電極を配してなる半導体基板２と、 半導体基板１の一面を覆うように配され、かつ、前記電極が露呈するように開口部を有すると共に、厚さが異なる部分を有する中間層２１と、中間層２１を覆い、外部基板との接続領域に配された第一導電部６Ａ、６ａと、前記開口部を通して前記電極と第一導電部６Ａ、６ａとを電気的に接続する第二導電部と、第一導電部６Ａ、６ａに接合されるバンプ９Ａ、９ａと、を少なくとも備え、第一導電部６Ａ、６ａが配された中間層２１の厚さに応じて体積の異なるバンプ９Ａ、９ａを有する。図１に示す構成例は、第一中間層４に第二中間層５を重ねた厚い中間層２１上に配されるバンプ９Ａが、第一中間層４のみからなる薄い中間層２１上に配されるバンプ９ａに比べて、小さな体積を有する場合を示す。 （もっと読む）

【課題】幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、基板１８上に第１バンク層３５と第２バンク層３６とを積層形成する工程と、前記第１バンク層３５及び第２バンク層３６をパターニングすることで、第１のパターン形成領域５５と、該第１のパターン形成領域５５に連続し、かつ該第１のパターン形成領域５５より幅が広い第２のパターン形成領域５６とからなるパターン形成領域１３を有するバンク３４を形成する工程と、を有し、前記パターン形成領域１３に臨む前記第１バンク層３５の側壁３５ｓの接触角が、水を含む機能液に対して５０°未満であり、前記第２バンク層３６の接触角が前記第１バンク層３５の接触角より大きい角度である前記バンク３４を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、導電性の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、複数回のパターニング工程を行うことにより、少なくとも電極パッド１６側が階段状をなす樹脂層４０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層４０をキュアすることにより、樹脂突起４１を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４１の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線材料となるＣｕの拡散を防止し、配線間リークが少なく、又、凹凸が少なく、それだけ信頼性が高く、更には配線プロセスが簡略化され、コストがそれだけ低廉なものになる半導体装置を提供することである。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に設けられたＣｕ配線層８，１９と、前記Ｃｕ配線層８，１９上に設けられた層間絶縁層９，２０とを具備する半導体装置であって、前記層間絶縁層９、２０がＣｕ拡散防止機能を有する塗布型絶縁膜である。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション抵抗が向上し、応力移動が軽減し、ＴＤＤＢを回避する金属相互接続、特に銅相互接続を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハのための相互接続構造上に金属層を堆積するための方法を開示する。この方法において、金属導体を誘電層によって被覆する。誘電層をパターニングして、金属導体を露出させる。次いで、パターン内にライナ層を堆積する。次いで、ライナ層をアルゴン・スパッタ・エッチングして、ライナ層を除去すると共に金属導体を露出させる。アルゴン・スパッタ・エッチングでは、ライナ層はパターンの側壁に再堆積する。最後に、パターン内に追加層を堆積して、再堆積したライナ層を覆う。
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【課題】 その後の加工プロセスとの整合性を有し、層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化方法は、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を層の表面に接触させる工程と、前記（Ａ）反応性シラン化合物を活性化する工程と、前記層を加熱する工程と、を含む。本発明の半導体装置は、上記本発明の表面疎水化方法によって得られた疎水性膜を含む。本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の表面疎水化方法によって、疎水性膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁層の平坦性に優れると共に、配線の導通不良が起こらず、かつ、スルーホール抵抗のばらつきが小さい半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 表面に高さが異なる第１および第２の部分１６,１７を有する下地絶縁膜４と、下地絶縁膜４に形成された下層配線１１,１２と、下層配線１１,１２および下地絶縁膜４上に順次形成された第１絶縁膜６、有機ＳＯＧ膜７および第２絶縁膜８とを備える。第２絶縁膜８の上面から下層配線１１,１２の上面まで延びると共に、側壁が第１絶縁膜６と第２絶縁膜８とで構成された第１、第２スルーホール３１,３２を有する。有機ＳＯＧ膜７は、下層配線１１,１２の夫々の上面の上方に位置する部分を有している。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン多層配線構造の形成においてハードマスクの肩落ちを抑制する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１配線層１０２上に無機系絶縁膜１０４を形成し、無機系絶縁膜上に開口部を有する第１レジストパターンを形成し、無機系絶縁膜をエッチングして無機系絶縁膜にビアホール１０６を形成し、第１レジストパターンを除去する。無機系絶縁膜上及びビアホールの内部を覆うように有機系絶縁膜１０７を形成する。有機系絶縁膜上にハードマスク１０８を形成し、ハードマスク上に開口部を有する第２レジストパターン１０９を形成してハードマスクパターン１０８ａを形成する。第２レジストパターン及びハードマスクパターンをエッチングマスクとしてビアホール内の有機系絶縁膜が除去されるまで有機系絶縁膜をエッチングしてビアホール上に配線溝１１０を形成し、第２レジストパターンを除去する。ビアホール及び配線溝に導電材料を充填する。 （もっと読む）

【課題】様々な材料に適用可能であり、無電解めっき処理を用いて、より簡便にかつ安価に、選択的に形成可能な導電層を有する電子装置と半導体装置、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に形成された易めっき性の第１絶縁膜２０ａと、第１絶縁膜上に形成された難めっき性の第２絶縁膜２０ｂと、第１絶縁膜および第２絶縁膜に連通して形成された凹部２０ｃと、凹部に埋め込まれた導電層７０とを有する構成とする。基板１０に絶縁膜（２０ａ，２０ｂ）を形成し、次に絶縁膜に２０ｃ凹部を形成する。次に、凹部の内壁面の少なくとも一部を選択的に触媒化し、次に凹部に導電層７０を埋め込んで形成する。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、スピネル結晶充填剤に有用な、ポリイミドベースマトリックス中に分散されているポリイミド複合体であって、０．０５と０．６０ミクロン^-1の間およびこれらの値を含む可視−赤外線吸光係数を有する複合体を提供すること。
【解決手段】そこから形成された複合体ポリイミドは、典型的な場合、ポリイミド基板に隣接した微細な導電性経路を有する回路を作製するのに使用される。これらの微細な導電性経路は、典型的な場合、無電解金属メッキステップを使用して、基板上に形成される。まず、ポリイミド複合体の表面を、典型的な場合にはレーザ光線を使用して光活性化し、次いで光活性化した部分をメッキして、細いラインまたは経路を被膜表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｂ）沸点が５０〜３５０℃である溶媒とを含む。
Ｓｉ（Ｒ^１）_２（Ｒ^２）_２ ・・・・（１）
（式中、Ｒ^１はアシルオキシ基、アルコキシ基またはヒドロキシ基を示し、Ｒ^２はアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ポリシランと、（Ｂ）有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物。（Ａ）下記一般式（１）で表わされる化合物の群から選ばれた少なくとも１種のポリシランと、（Ｂ）有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物、および該組成物を用いた表面疎水化方法、半導体装置。


［式中、Ｒ¹，Ｒ²は水素原子、アルキル基、ビニル基、アリル基またはフェニル基を示す（ただし、Ｒ¹，Ｒ²のうち水素原子は１個または０個である）。］ （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリカルボシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。 （もっと読む）

【課題】 ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。
【解決手段】 電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１の下層配線溝１１ａを埋め込むように形成された下層配線１２と、下層配線１２の上に形成されたバリア膜１３と、第１の層間絶縁膜１１及びバリア膜１３の上に形成された第２の層間絶縁膜１４とを備えている。そして、電子デバイスは、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２とが接合している界面を有している。 （もっと読む）

【課題】 微細配線を実現することができる「配線基板の製造方法」を提供すること。
【解決手段】 ダマシンプロセスを用いた配線形成工程を含む配線基板の製造方法において、下層配線層１０上に形成された層間絶縁層１１に、下層配線層１１に達するビアホールＶＨを形成し、その際に生じたスミアＳＭを除去した後、層間絶縁層１１上に、ビアホールＶＨの上方に位置する所要の配線パターンの形状に従う開口部（配線溝）ＯＰを有するように感光性永久レジスト層１２を形成する。次に、全面にシード層１３を形成し、ビアホールＶＨ及び開口部（配線溝）ＯＰの内部を充填するようにしてシード層１３上に導体層１４を形成した後、感光性永久レジスト層１２が露出するまで導体層１４の表面を研磨して平坦化し、配線パターン１５を形成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも８０重量％の式Ｉ：［Ｙ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ａ［Ｚ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｂ［Ｈ_{０．０１−１．０}ＳｉＯ_{１．５−２}］_ｃ［式中、Ｙはアリール、Ｚはアルケニル、ａは式Ｉの１５％−７０％、ｂは式Ｉの２％−５０％、ｃは式Ｉの２０％−８０％を表す］の化合物を含むオルガノシロキサンを提供する。本発明のオルガノシロキサンは、セラミックバインダー、高温カプセル化剤及び繊維マトリックス結合剤として使用し得る。本発明の組成物はまた別の材料と組合わせたときに優れた接着性を示すのでマイクロエレクトロニクス以外の用途またはマイクロエレクトロニクスの用途で接着促進剤として有用である。好ましくは本発明の組成物はマイクロエレクトロニクスの用途でエッチストップ、ハードマスク及び誘電体として使用される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの形成方法および該方法によって形成されたデバイスを提供すること。
【解決手段】第１の誘電材料（１２ａ〜ｆ）と第２の誘電材料（１４ａ〜ｆ）の互層を付着させる。ここで、第１の誘電材料と第２の誘電材料は異なる速度で選択的にエッチング可能である。誘電材料の互層内に第１のフィーチャ（２２、２４）を形成する。誘電材料の互層を選択的にエッチングして、第１の誘電材料を有するそれぞれの層内の第１の誘電材料の少なくとも一部分（２６）を除去し、第２の誘電材料は本質的にエッチングされていないままにしておく。 （もっと読む）

半導体装置を構成する絶縁膜として有効な多孔質絶縁膜の作製方法、該絶縁膜の上下界面に接する半導体材料と高い密着性を有する多孔質絶縁膜の作製方法を提供。
少なくとも一つ以上の、分子中に環状シリカ骨格を有し且つ該環状シリカ骨格に少なくとも一つ以上の不飽和炭化水素基が結合されている有機シリカ化合物の分子蒸気、を含む気体をプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質絶縁膜の成長を行う。 （もっと読む）