【課題】発光効率の向上とコスト低減とを共に図ることができる発光ダイオード照明装置を提供する。
【解決手段】円環状のレンズ本体２ｃ、このレンズ本体の底面２ａに形成された環状溝２ｄ、このレンズ本体の少なくとも外周側の内側面に形成されてこの内側面に入射された光を投光面側へ全反射させる全反射面２ｃ２を有する円環状レンズ２とこの円環状レンズの環状溝に光学的に対向配置されてこの環状溝の周方向に所要の間隔を置いて配置された複数の発光ダイオード装置３，３，３…とを具備している。 （もっと読む）

【課題】活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、ｐ型基板１１と、ｐ型基板１１上に形成された導電型がｐ型である第１クラッド層としてのｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３上に形成された活性層１４と、活性層１４に接触し、活性層１４上に形成された導電型がｎ型である第２クラッド層としてのｎ型クラッド層１５とを備えている。そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 （もっと読む）

【課題】色変換部材の温度上昇を抑制でき且つ光出力の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１が実装された実装基板２と、ＬＥＤチップ１を封止した透光性の封止材からなる封止部３と、ＬＥＤチップ１から放射された光によって励起されてＬＥＤチップ１の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され封止部３の光出射面側に配設された色変換部材４と、色変換部材４よりも熱伝導率の高い材料により椀状に形成され色変換部材４の光出射面から放射される光の配光を制御する反射部材５とを備えている。反射部材５は、平板状の底壁５１の中央部に実装基板２が挿入される窓孔５２が形成され、色変換部材４は、窓孔５２を覆う形で反射部材５の内側に配設されるドーム状に形成され、反射部材５の底壁５１において窓孔５２から離間した部位に固着されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス設計性を向上させた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板２の一面に半導体層３を形成する第１工程と、前記透明基板２の他面側から所定の光Ｌを照射して、前記透明基板２と前記半導体層３とを分離する第２工程とを備えている。第２工程は、所定の光Ｌとして、紫外領域の１ｆｓ〜１０００ｆｓの極短パルスのレーザ光Ｌ３を用いて、半導体層３と透明基板２との界面をアブレーション加工することにより、透明基板２を半導体層３から容易に分離することができる。
【選択図】図２
（もっと読む）

発光ダイオードとその製造方法を開示する。３元系または４元系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光ダイオードは、［０００１］結晶軸方向に配向した基板上に、［０００１］結晶軸を基準に［１１−２２］結晶軸の方向に４０゜〜７０゜傾斜した配向方向に成長して、導電性不純物がドーピングされたバッファ層；バッファ層上に形成される発光層；バッファ層の下部に形成される第１電極；及び発光層上部に形成される第２電極；を含み、発光層は、バッファ層上に形成される第１クラッド層と、第１クラッド層上に形成される活性層と、活性層上に形成される第２クラッド層とを含む。本発明の半導体発光ダイオードは、活性層に引加される応力を相殺させて、自発分極現象を防止することができ、その結果、発光効率を向上することができる。
（もっと読む）

【課題】活性層からのｐ型半導体領域への電子リークを低減可能なIII族窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物系半導体発光素子１１では、ｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１５より大きいので、ｐ型ドーパントがｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９からｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５を拡散して、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍まで到達する。故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を接着層を介して積層した構成において、光取り出し効率を高め、高出力の光源を提供することにある。
【解決手段】 接着層２１の屈折率をｎ１とし、絶縁保護層２６の屈折率をｎ２とし、基板１３の接合層の屈折率をｎ３とすると、屈折率ｎ１，ｎ２，ｎ３が下記式の関係を満たすように、接着層２１、絶縁保護層２６および基板１３の屈折率を選択している。「（ｎ２×ｎ３）^１／２―０．０５≦ｎ１≦（ｎ２×ｎ３）^１／２＋０．０５」 （もっと読む）

【課題】長寿命かつ高出力の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と、発光素子からの光を導く導光部材と、導光部材の少なくとも出射側端部に取り付けられる保持部材と、導光部材の出射側に設けられ、発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長の光に変換する波長変換部材と、を有し、保持部材または導光部材と、波長変換部材と、の間に、波長変換部材からの戻り光を反射するスペーサが取り付けられていることを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率を高めて発光効率を改善した発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２１０上に、ｎ型半導体層２２０と、ウェル層２３１とバリア層２３２とが少なくとも２回以上交互に積層されてなる活性層２３０と、ｐ型半導体層２４０とがこの順に積層され、ｐ電極２５０がｐ型半導体層上に、ｎ電極２６０がｎ型半導体層上にそれぞれ設けられた発光ダイオードにおいて、バリア層の厚さをウェル層の厚さの少なくとも２倍以上とする。 （もっと読む）

活性層及びクラッド層に引加される歪みを最適化することで、活性層内の圧電場及び自発分極を最小化して、発光効率を最大にすることができる化合物半導体発光素子を提供する。バッファ層、第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層が順次積層された構造を有する化合物半導体発光素子において、バッファ層と第１クラッド層間に、ストレイン誘導層及びストレイン制御層が少なくとも１回以上交差して積層され、ストレイン誘導層は、活性層に引加された圧縮歪みがストレイン制御層に分散するように誘導する役割をし、ストレイン制御層に圧縮歪みが作用することによって、活性層に引加される圧縮歪みが減少することを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】初期反射率の高いポリスチレン系ＬＥＤ用反射体及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】下記成分（１）〜（２）を含み、波長４６０ｎｍでの反射率が９５％以上である発光ダイオード用反射体。
（１）高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体：４０〜６０質量部
（２）酸化チタン：３５〜５５質量部 （もっと読む）

【課題】文字板を一様な平面状としつつ文字板と導光板とを密着させて配置させることができる発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】ホルダ３の形状を、上述したような形状、すなわち、発光ダイオード２におけるハウジング４の第１端面４１側の端面である第３端面としての端面２３が、ハウジング４の端面４１と同一平面上にあるように構成した。これにより、本発明の第１実施形態による発光ダイオードモジュール１を導光板１０２の入射面１０２ａへ光を入射可能に配置したときとに、発光ダイオードモジュール１が、入射面１０２ａよりも文字板１０１側に突き出すことがない。以上により、文字板１０１を一様な平面状としつつ文字板１０１と導光板とを密着させて配置させることができる発光ダイオード装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光の放射方向の厚みを増大させることなく、放射面から所定の距離離れた面において均一な照明光を得るようにする。
【解決手段】光学反射ユニット１０−１は、入射する光を所定の割合で反射する反射面１２ａを有する反射部１２、及び反射部１２に形成されて光を通過可能に開口する開口部１４、を有する放射側反射部１１と、この放射側反射部１１と一体的に形成され放射側反射部１１を支持する支持部１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置に発光効率の向上及び均一の指向性が要求されている。
【解決手段】半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有し且つ基板１及び発光半導体領域２を覆っている包囲体５と、光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。基板１の側面に凹凸面１３が形成されている。基板１の側面に凹凸面１３の上に光反射層６が形成されている。光反射層６に光散乱用の凹凸面２３が形成されている。 （もっと読む）

白色発光ダイオード（ＷＬＥＤ）の発光効率を増加する方法であって、該方法は、ＬＥＤダイと蛍光体との間、および、蛍光体と外側媒体との間に光学機能界面を導入し、蛍光体とＬＥＤダイとの間の界面のうちの少なくとも１つは、外側媒体から離れた蛍光体によって放射された光に対する反射率、および、ＬＥＤダイによって放射された光に対する透過率を提供する。従って、ＷＬＥＤは、ＬＥＤダイを囲む第１の材料、蛍光体層、および、少なくとも１つの追加層あるいは材料を含み、追加層あるいは材料は、ＬＥＤ直接放射に対しては透明であり、蛍光体放射に対しては反射的であり、蛍光体層と、ＬＥＤダイを囲んでいる第１の材料との間に配置されている。
（もっと読む）

放射透過面（３）と、放射透過面（３）に与えられた金属製接触用被覆部（２ａ）と、放射透過面（３）に対向しない金属製接触用被覆部（２ａ）の表面に与えられた第１の連続した反射層（２ｂ）と、を有する、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）が、開示される。このようなチップを有するオプトエレクトロニクスコンポーネントも開示される。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】この発光ダイオードは、Ｎ型化合物半導体層５７と隣接する第１障壁層５９ｂ及びＰ型化合物半導体層６３と隣接する第ｎ障壁層５９ｂに比べて相対的に広いバンドギャップを有する中間障壁層５９ｃを含む。中間障壁層は、第１障壁層と第ｎ障壁層との間に位置する。これにより、多重量子ウェル構造内で電子と正孔が結合し、光を放出する位置を調節することができ、発光効率を向上させることができる。さらに、バンドギャップエンジニアリングまたは不純物ドープ技術を利用して発光効率を向上させた発光ダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造を含む窒化物半導体発光素子の内部量子効率を改善することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（１０１）上においてｎ型窒化物半導体層（１０３、１０４）とｐ型窒化物半導体層（１０６−１０８）との間にはさまれた窒化物半導体活性層（１０５）を含む窒化物半導体発光素子の製造方法であって、そのｎ型層、活性層、およびｐ型層の少なくともいずれかは多層膜構造を含み、この多層膜構造を構成する層を結晶成長させる直前、成長中、および成長後のいずれかの時点において、結晶成長表面にサーファクタント材料を供給することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が発した熱の放熱特性を向上させると共に、複数の発光素子が発した光を外部に効率よく取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１は、発光素子をガラス材料で封止して形成される発光部と、発光部が発する光を所定の方向へ反射し又は屈折する光学制御部４０と、光学制御部４０が所定の方向へ反射し又は屈折した光が入射する入射面３００、入射面３００に入射した光を反射する反射領域３０５、及び、反射領域３０５で反射した光を出射する出射面３１５を表面に有する導光部材３０と、発光部を搭載し、発光部からの熱を放熱すると共に、反射領域３０５を導光部材３０の外側から覆い、反射領域３０５を通過した光の少なくとも一部を出射面３１５の方向へ反射する反射部２０と、導光部材３０と反射部２０との間に設けられる中空部５０とを備える。 （もっと読む）