【課題】本発明は、入力バイパスコンデンサの音鳴りを低減することが可能なＤＣ／ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＤＣ／ＤＣコンバータは、入力電圧の印加端と接地端との間に接続される入力バイパスコンデンサを用いて前記入力電圧を平滑化し、これを所望の出力電圧に変換して負荷に供給するＤＣ／ＤＣコンバータであって、前記入力バイパスコンデンサは、複数個のコンデンサが並列接続されたものである構成とされている。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを高精度に過熱から保護することができる発光ダイオード駆動回路を提供する。
【解決手段】定電流源を備えた定電流設定制御ブロックによって、発光ダイオード２０ａに定電流ＩＬが流れるようにしておくことにより、順方向電圧検出回路部３００にて順方向電圧Ｖｆを高精度に検出できる。この順方向電圧Ｖｆに対応する電圧Ｖａが基準電圧Ｖｒｅｆよりも小さくなった場合には、電流設定抵抗３０の抵抗値Ｒｉと上記電圧Ｖａとによって定まる定電流ＩＬ（＝Ｖａ／Ｒｉ）が発光ダイオード２０ａに流れるようにする。この場合、Ｖａの低下により定電流ＩＬも低下するので、発光ダイオード２０ａの過熱が抑制されることになる。 （もっと読む）

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う半導体発光素子は、電子を放出する第１半導体層、ホールを放出する第２半導体層、前記電子とホールとの結合により光を出す活性層を含む発光構造層を含み、前記発光構造層のうち、少なくとも１層は少数キャリヤを含む。
（もっと読む）

【課題】 ＬＥＤモジュール側の要求に電源部が適切に対応することができる照明装置を提供する。
【解決手段】 モジュールソケット１に装着されるＬＥＤモジュール２、３に接続状態検出部１０、１３が設けられ、各ＬＥＤモジュール２、３がモジュールソケット１に装着されている状態で、電源部１４の接続監視部１４２により接続状態検出部１０、１３からの検出信号を監視しモジュールソケット１に装着されるＬＥＤモジュールの個数を判断するとともに、この個数に見合った出力（定電流）を電源部１４より発生させるように主電源部１４１の出力調整を行う。 （もっと読む）

【課題】熱を効率良く放散することが可能なサージ吸収素子を提供すること。
【解決手段】サージ吸収素子ＳＡ１は、第１及び第２の主面１１，１２を含むと共に、電気絶縁性材料（例えば、ガラス物質）からなる素体１０と、所定のギャップを有して素体１０の第１の主面１１に配置された第１及び第２の電極２０，３０と、素体１０より熱伝導率が高く且つ素体１０の第２の主面１２と熱的に接続されるように配置された放熱部４０と、を備えている。放熱部４０は、金属（例えば、Ａｇ）及び金属酸化物（例えば、ＺｎＯ）の複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を向上できると共に、順電圧の上昇を抑制可能な半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層と、該層上に設けられた透光性の導電性酸化物膜とを有し、導電性酸化物膜は、部分的に柱状構造部を有する半導体発光素子。
（もっと読む）

【課題】ＬＥＤ等の負荷の異常を容易に判定して発煙又は発火を防止することができる駆動装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】各ＬＥＤ１〜４のアノードには、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３で構成される基準電圧検出部４０を接続してある。ダイオードＤ１のアノードには、抵抗素子Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３で構成される電圧検出部４１を接続してある。ダイオードＤ２〜Ｄ４のアノードにも電圧検出部４１と同等の構成を有する電圧検出部４２〜４４を接続してある。マイコン５０は、電圧検出部４１〜４４から出力される電圧と基準電圧検出部４０から出力される電圧に基づいて、ＬＥＤ１〜４のショート又はオープンを判定する。 （もっと読む）

【課題】
ＬＥＤ部分の異常に係らず電力損失を抑制し、回路の発熱を抑えたＬＥＤ駆動回路を提供する。
【解決手段】
スイッチング電源１と、複数のＬＥＤ直列回路２１を並列に接続したＬＥＤ回路部２と、ＬＥＤ直列回路２１毎の順方向電流を電圧に変換するとともにＬＥＤ直列回路２１の順方向電流を均一にする電流制御回路３と、帰還電圧Ｖｆｂを択一的にＰＷＭ制御回路１４に供給させる帰還電圧選択スイッチ５と、帰還電圧Ｖｆｂ及び未接続検知電圧Ｖｏに基づいて帰還電圧選択スイッチをオンする帰還電圧選択回路４と、計数回路６と、を備える。
計数回路６の出力がＨレベルのときは帰還電圧Ｖｆｂの最大値をもつ電流制御回路３に接続される帰還電圧選択スイッチ５をオンし、計数回路６の出力がＬレベルのときは未接続検知電圧Ｖｏを下回るものを除いて帰還電圧Ｖｆｂの最小値をもつ電流制御回路３に接続される帰還電圧選択スイッチ５をオンする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードが短絡した場合に短絡電流が流れるのを防止するとともに、アレイ状に配列されたＬＥＤを個々に点灯制御する方法と回路を提供する。
【解決手段】発光ダイオード４の端子間電圧によってオン・オフする第１の電圧制御スイッチ１と、電圧制御スイッチ１によってオン・オフする第２の電圧制御スイッチ２を発光ダイオード４に直列に接続し、発光ダイオード４が短絡してその端子間電圧が規定電圧以下になると電圧制御スイッチ１をオフとし、これによって電圧制御スイッチ２もオフとして発光ダイオード４を実質的に電源５から切り離す。
また、第３の電圧制御スイッチ３によって電圧制御スイッチ２をオン・オフさせることによって発光ダイオード４の点灯・消灯を外部信号６によって制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ側半導体領域と、上記ｎ側半導体領域上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ側半導体領域と、上記ｎ側半導体領域に接続されるように配置されたｎ側電極と、上記ｐ側半導体領域上に形成されたｐ側電極と、上記ｎ側半導体領域とｐ側半導体領域のうち、少なくとも一つの領域内に形成され、上記ｎ側電極より上に配置された少なくとも一つの中間層と、を含む。上記中間層はバンドギャップが相互異なる３層以上が積層された多層構造で、上記多層構造は順次積層されたＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮの積層物を含む。 （もっと読む）

発光デバイスパッケージ用のサブマウント（３０）が矩形の基板（３２）を備える。第１のボンドパッド（３６）および第２のボンドパッド（３４）が、基板の第１の表面上に存在する。第１のボンドパッドは、基板の第１の端部（３２Ａ）の方向にオフセットされ発光ダイオードを受容するように構成されたダイ装着領域（３６Ａ）を備える。第２のボンドパッドは、第１のボンドパッドと基板の第２の端部との間のボンディング領域（３４Ａ）と、ボンディング領域から基板の側面（３２Ｄ）に沿って基板の第１の端部に位置する基板の角部（３５Ａ）の方向に延在する第２のボンドパッド拡張部（３４Ｂ）とを備える。第１（４６）および第２（４４）のはんだパッドが、基板の第２の表面上に存在する。第１のはんだパッドは、基板の第１の端部に隣接しており、第２のボンドパッドに接触する。第２のはんだパッドは、基板の第２の端部に隣接しており、第１のボンドパッドに接触する。関連するＬＥＤパッケージ及びＬＥＤパッケージを形成する方法が開示される。
（もっと読む）

【課題】ノイズを低減し、ＬＥＤに流れる電流波形を安定化できる発光ダイオード駆動装置、及び照明装置を提供する。
【解決手段】１個以上の発光ダイオードで構成されたＬＥＤ光源２と、発光ダイオード２ｎのカソード端子と接続されたチョークコイル５と、アノード端子をチョークコイル５に接続され、カソード端子を発光ダイオード２ａに接続されて、チョークコイル５に生じる逆起電力をＬＥＤ光源２に供給するためのダイオード４と、発光ダイオード２ａのアノード端子に接続され、ＬＥＤ光源２及びチョークコイル５に電圧を印加するための電源部１と、チョークコイル５とダイオード４のアノード端子の共通接続部と回路基準電位の間に接続され、ＬＥＤ光源２に流れる電流を定電流制御するためのスイッチング駆動回路８と、ＬＥＤ光源の両端子間に接続された容量素子、を備えた発光ダイオード駆動装置。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード素子と電子回路が内蔵されたサブマウントとが積層された半導体装置において、無駄な領域を無くしてコンパクトなチップサイズとして、量産性に優れた半導体装置を得ること。
【解決手段】発光層１３に対して垂直方向に光が取り出される発光ダイオード素子１０と、基板内に受光素子を内蔵したサブマウント２０とが積層されてなり、前記受光素子の受光部が、前記発光ダイオード素子１０の前記発光層１３と平面視において重複する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた小型で高強度の静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基板１２とこの上に形成したバリスタ部１０とさらにこの上に形成したガラスセラミック層１４とを備えたセラミック焼結体と、このセラミック焼結体の表面に設けた一対の端子電極１３ａ、１３ｂと、一対の外部電極１６ａ、１６ｂと、セラミック焼結体の上下を貫通する熱伝導体部１５とを有する静電気対策部品であり、また、この静電気対策部品の熱伝導体部１５に発光ダイオード素子を搭載実装した発光ダイオードモジュールであり、熱伝導体部１５を設けることにより、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができる静電気対策部品および発光ダイオードモジュールとなる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた小型で高強度の静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基板１２とこの上に一部の非形成部分１８を除いて形成したバリスタ部１０とさらにこの上に形成したガラスセラミック層１４とを備えたセラミック焼結体と、このセラミック焼結体のガラスセラミック層１４の表面に設けた一対の端子電極１３ａ、１３ｂと、一対の外部電極１６ａ、１６ｂと、セラミック基板１２の上下を貫通する熱伝導体部１５とを有する静電気対策部品であり、また、この静電気対策部品の非形成部分１８の熱伝導体部１５に発光ダイオード素子を搭載実装した発光ダイオードモジュールであり、熱伝導体部１５を設けることにより、搭載した部品が発する熱を効率的に放熱することができる静電気対策部品および発光ダイオードモジュールとなる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有しており、素子の静電破壊耐圧を向上させるとともに、活性層よりも後に成長させるｐ型ＧａＮ系半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層されている。活性層４は、井戸層をＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｙ１Ｇａ_Ｚ１Ｎ（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１＝１、０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１）、バリア層をＡｌ_Ｘ２Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_Ｚ２Ｎ（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２＝１、０≦Ｘ２＜１、０≦Ｙ２＜１、Ｙ１＞Ｙ２）で構成し、井戸層のＡｌ組成比率を５％以下にする。また、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８とｐ型ＧａＮコンタクト層５との合計膜厚を０．４μｍ以上に構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体光源にオーバーシュート電流が流れるのを抑制するとともに、減光を規定するオンデューティと減光光量との関係のリニアリティを保つこと。
【解決手段】 発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の通電時に、スイッチング信号１０１をその論理レベルに従って信号変換器２６で電圧Ｖ２または０Ｖに変換し、変換された電圧と抵抗素子Ｒ１両端の電圧Ｖ１とをオペアンプ２０で比較して、ＮＭＯＳトランジスタ２２により出力ループの開閉を行うとともに、出力ループが閉じている間は、最大電流を超えないよう発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の電流Ｉｆを電流Ｉｆ１に制限するとともに、スイッチング信号１０１のオンデューティによって規定される電流を平均電流として発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４に流し、発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４にオーバーシュート電流が流れるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの調光制御にＰＷＭ制御を使用している際に、ＬＥＤが開放状態となっても他のＬＥＤに影響が生じないこと、雷サージなどの外部ノイズを受けても通常状態に戻った際に、ＬＥＤも定常状態に戻り元の正常な点灯状態に復帰させることができるＬＥＤ点灯装置及び照明装置システムを提供することである。
【解決手段】ＬＥＤユニットをＰＷＭ定電流駆動するＰＷＭ定電流駆動回路と、ＬＥＤユニットに保護回路が並列接続され、ＬＥＤユニットのＬＥＤが開放状態の場合に保護回路の動作によってそのＬＥＤユニットを短絡させる保護回路と、ＬＥＤユニットのＬＥＤが開放状態になったときに対応する保護回路をオンさせる動作電圧を発生する電圧発生回路と、保護回路がオンしているときにそのオン電流に基づき、ＰＷＭ制御のオフ期間であっても保護回路のオン動作を持続させる電圧を発生する充電回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子と一体化（１チップ化）され、構造上、化合物半導体層の再成長工程が不要であり、しかも、順・逆方向の過電流が流れることによって生じる破壊に対して有効な防護手段を有する発光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子組立体は、基板１０上に形成されたバイパス・ダイオード２０、その上に形成された発光素子３０、及び、基板１０の上方に発光素子３０と分離して形成された逆方向ダイオード４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置を提供する。
【解決手段】プラスチックハウジング（２）をキャリア素子（１）上に配置する。プラスチックハウジング（２）は、内部にオプトエレクトロニクス部品（１２）が配置された凹部（３）を有する。凹部（３）は、キャリア素子（１）から離れた側に、外側に透明カバーを配置可能な開口（９）を有する。カバー及び／又は光部品がオプトエレクトロニクス部品に対して正しく向くように、１以上の構造（５、６）をプラスチックハウジング（２）上に設けてもよい。 （もっと読む）