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Fターム[5F041AA23]の内容

発光ダイオード (162,814) | 目的 (29,379) | 電気的 (2,317) | 過電流保護 (272)

Fターム[5F041AA23]に分類される特許

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【課題】 電源の正極側が地絡した場合に正極側からグラウンド側へ大きな地絡電流が流れることを防止して車両の走行時における安全性の向上を図ること。
【解決手段】 車両用灯具の点灯制御装置1は、昇圧チョッパー回路2と、電源電圧とLED20−1〜20−Nへの供給電圧の少なくとも一つに基づき正極側出力の異常を検出して異常信号を出力する異常検出部5と、前記異常信号に応じてLED20−1〜20−Nに供給される供給電流をバイパスさせるバイパス部4とを有して構成されている。 (もっと読む)


【課題】光源モジュールに過電流が流れることを防止することができ、安全性を向上することができる発光装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】複数のLEDモジュールと、複数のLEDモジュールに一定電流を供給する定電流回路71とを備える発光装置100において、所定数のLEDモジュール10,20,30を電源部70に連結したときのみ、閉回路が形成されるように構成してある。所定数のLEDモジュール10,20,30が接続されないときは閉回路が形成されないから、LEDモジュール10,20,30に電源部70の定電流回路71から電流が供給されない。この結果、LEDモジュール10,20,30に過電流が流れることを防止することができ、安全性を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】逆方向電圧の印加に起因する発光ダイオードの発光不良の発生を抑制する。
【解決手段】発光装置20は、基板30上に実装され、極性が揃えられた状態で直列接続される青色LED40および保護ダイオード50を備える。そして、青色LED40に連続して印加することが許容される逆方向電圧の絶対最大定格を保護ダイオード50単体に印加した際に保護ダイオード50に流れる逆方向電流の値が、この逆方向電圧の絶対最大定格を青色LED40単体に印加した際に青色LED40に流れる逆方向電流の値より小さくなるよう、保護ダイオード50を選択する。 (もっと読む)


【課題】LEDユニット2と電源ユニット1とが別置された電源別置型のLED点灯装置において、電源ユニット1が接続された交流電源ACにコモンモードのノイズ電圧(対地ノイズ電圧)が重畳された場合でもLEDの破壊が生じない構成を提案する。
【解決手段】整流回路DBとDC−DCコンバータ回路5を金属ケース6内に収納した電源ユニット1から、一対の電源線3a,3bを介してLEDユニット2に直流電流を供給し、DC−DCコンバータ回路5の2次側グランドG2を金属ケース6に接続する対地ノイズ電圧バイパス用のコンデンサC5を設けるとともに、金属ケース6とLEDユニット2の導電部4とを接続するアース線7を設けた。コンデンサC5の静電容量は、LEDユニット2の各LEDと導電部4との間の合成浮遊容量Cyよりも大きく設定する。 (もっと読む)


【課題】発光素子から出射される光の取り出し効率を向上させること、小型化できること、発光効率を高くすること、色むら、輝度むらを抑えた発光特性とすること、が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】光反射性材料を含有する被覆部材30と、発光側の表面と、前記被覆部材の表面に対向し、該表面内に配置された光入射側の表面とを有する光透過部材20と、前記光透過部材の光入射側表面において、外側の反射領域に囲まれた入射領域に結合し、前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子10と、該発光素子の前記入射領域側に結合され、該発光素子に励起される波長変換部材40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させること。
【解決手段】ESD層102は、n型コンタクト層101側から第1ESD層110、第2ESD層111、第3ESD層112の3層構造である。第1ESD層110は、Si濃度1×1016〜5×1017/cm3 、厚さ200〜1000nmピット密度1×108 /cm2 以下のn−GaNである。第2ESD層111は、厚さ50〜200nm、ピット密度2×108 /cm2 以上のノンドープのGaNである。第3ESD層112は、Si濃度(/cm3 )と膜厚(nm)の積で定義される特性値が0.9×1020〜3.6×1020(nm/cm3 )のn−GaNである。 (もっと読む)


【課題】 小型で光取り出し効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 導電部材に載置された保護素子と、前記導電部材上に設けられる台座部と
を有し、前記保護素子の少なくとも一部が前記台座部により覆われ、前記台座部の上面に発光素子が載置されていることを特徴とする発光装置。 (もっと読む)


【課題】従来のLED照明装置は、LEDを複数直列に接続したLED直列体を上下に配置した2組のカレントミラー回路により2組並列接続して使用されているが、カレントミラー回路による損失が大きく、また、いずれかのLED点灯ブロックでLEDが断線した場合、正常なLED点灯ブロックに影響が及ぶという問題があった。
【解決手段】本LED照明装置は、共通のバイアス電流が流れるバイアス電流回路を備えた第1及び第2のカレントミラー回路と、電源投入時の起動時に前記バイアス電流を流すことができるように接続された起動抵抗R5と、第1のカレントミラー回路の出力端子側に接続された第1のLED直列体LED11〜LED1nと、前記第2のカレントミラー回路の出力端子側に接続された第2のLED直列体LED21〜LED2nとを備えるようにした。これにより損失が半減し、正常なLED点灯ブロックに影響が及ばないようにできる。 (もっと読む)


【課題】直列に接続された灯具の一つが開放しても全灯消灯になることを防止でき、灯具の接続及び離脱があっても安全性を確保できる照明システムを提供することである。
【解決手段】端子台11a〜11nは、半導体発光素子であるLED19が複数直列接続された灯具14を接続する接続端子15、接続端子15に並列に接続されるスイッチ16、及び制御部17を有し、制御部17は、灯具14が接続端子15に接続された場合は定電流源13からの電流が灯具14に流れるようにスイッチ16を開き、灯具14が接続端子15から離脱した場合はスイッチ16を閉じ、下流側の端子台11にそのまま定電流源13からの電流を流す。 (もっと読む)


【課題】発光素子を保護することができ、かつ回路設計を簡略化することができる発光装置を提供する。
【解決手段】リード線2の一端は、ワイヤ5によりLEDチップ3の電極31(LEDチップ3のカソード)に接続してある。また、LEDチップ3の電極32(LEDチップ3のカソード)は、ワイヤ5により半導体素子4の電極41(ツェナーダイオードのアノード)に接続してある。また、LEDチップ3の電極33(LEDチップ3のアノード)は、ワイヤ5により半導体素子4の電極42(ツェナーダイオードのカソード及び抵抗素子の一端)に接続してある。 (もっと読む)


【課題】電圧の供給開始時点での過電流の発生を抑制し、発光部に流れる電流の急激な変化を抑え、定常点灯時での電力損失を抑制する。
【解決手段】本発明による発光ダイオード駆動装置は、互いに並列に接続された複数の限流抵抗R4a〜R4cとこれら複数の限流抵抗に電流が流れる経路を各別に開閉する複数のスイッチ要素Tra〜Trcとからなる、限流抵抗部7を備えている。上記スイッチ要素は、電圧供給開始時点ではTraの経路のみを閉じ、その後経過時間に応じて順次他の経路を閉じるよう制御される。すなわち、電圧供給開始時点では限流抵抗部7の合成抵抗Rlが大きいため、過電流の発生が抑制される。その後、各々の経路の閉成に伴って合成抵抗Rlは順次減少し、発光部3に流れる電流も徐々に増加する。最終的には、全ての経路を閉じることによって限流抵抗部7の抵抗値Rlを小さくし、定常点灯時での電力損失を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】光量低下や素子全体の大型化等を招くことなく、従来構成よりも絶縁耐圧を向上させてESD耐量を十分に確保できるようにする。
【解決手段】基板11上に、第1導電型半導体層12、発光機能層13および第2導電型半導体層14が順に積層され、前記第1導電型半導体層12上の露出部分には第1導電型用電極15が導通し、前記第2導電型半導体層14には第2導電型用電極16が導通し、前記発光機能層13、前記第2導電型半導体層14および前記第2導電型用電極16と前記第1導電型用電極15との間が絶縁層17によって絶縁されてなる発光素子において、前記絶縁層17に付設絶縁層18を付設する。そして、前記付設絶縁層18の付設によって、前記第2導電型半導体層、前記発光機能層および前記第1導電型半導体層が構成するダイオードとは逆方向の整流作用の仮想ダイオードが構成されるようにする。 (もっと読む)


【課題】電流、電圧又はパワーを安定させることにより、発光ダイオードが発光輝度の不安定さによって焼損するのを回避する発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置1は、発光ダイオードモジュールL11〜L1N及び周波数変調制御式コンバータ10を備える。周波数変調制御式コンバータ10は、駆動信号11により発光ダイオードモジュールL11〜L1Nを駆動する。周波数変調回路101は、発光ダイオードモジュールL11〜L1Nの複数のフィードバック信号12に基づき、周波数変調信号13をスイッチ駆動回路102に出力する。スイッチ駆動回路102は、周波数変調信号13に基づき、スイッチ駆動信号14を発生させる。エネルギー変換回路103は、スイッチ駆動信号14及び直流信号17に基づき、駆動信号11を出力することで、各発光ダイオードモジュールL11〜L1Nの電流を実質的に一定値にする。 (もっと読む)


【課題】パッケージの熱抵抗が改善された発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う発光素子パッケージは、上部にキャビティーを含むパッケージ本体と、上記パッケージ本体の表面に絶縁層と、上記絶縁層の上に複数の金属層と、上記キャビティーに発光素子と、上記発光素子に対応する上記パッケージ本体の下面に第1金属プレートと、を含む。 (もっと読む)


【課題】ESD耐性を向上させるとともに、光抽出効率を向上させることのできる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板110と、基板上に形成され、上面に複数のV‐ピット120aが形成されたn型窒化物半導体層120と、n型窒化物半導体層上に形成され、複数のV‐ピット120aによって形成された屈曲を含む活性層130と、活性層上に形成され、上面に複数の突出部140aが形成されたp型窒化物半導体層140とを含むことを特徴とする。本発明によれば、n型窒化物半導体層120上に複数のV‐ピット120aが形成されており、これによってp型窒化物半導体層140上にはインシチュー(in‐situ)工程で突出部140aを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】インバータ式の点灯装置を用いた照明器具において、蛍光灯型LEDランプを点灯可能とする。
【解決手段】電源投入後の所定期間に蛍光灯7の定格電圧よりも低い出力電圧をランプ出力端子a−c間に印加することにより、蛍光灯型LEDランプの装着を検知する機能を有し、蛍光灯型LEDランプの装着を検知すると蛍光灯型LEDランプに適した電圧を出力し、電源投入後の所定期間に蛍光灯型LEDランプの装着を検知しなかった場合には、蛍光灯7に適した予熱・始動・点灯の動作を行う。 (もっと読む)


【課題】容易に製作でき、発光装置の外部への光の取り出し効率が高い発光装置を実現する。
【解決手段】本発明の発光装置70は、絶縁性の基部10と、上記基部10の一方の側に載置された発光素子1と、基部10に発光素子1と同じ側に載置され発光素子1を保護する保護素子2とを備え、保護素子2は、光を反射するフィラー含有樹脂5によって覆われ、フィラー含有樹脂5は、硬化前に軟性を有するシリコーン樹脂に、発光素子1が発する光の波長より大きい粒径の、光反射性あるいは光散乱性を有するフィラー5aを含有させたものである。これにより、発光素子1から出射された光はフィラー含有樹脂5によって反射され、保護素子2に吸収されることなく発光装置70の外部へ放出されるので、発光装置70は高効率で外部へ光を取り出すことができる。また、所望の形状および配置に容易に形成することが可能である。 (もっと読む)


LED性能及び/又は寿命の熱起因の劣化を低減又は取り除く熱管理システム。システムは、LED動作条件に応答するべく構成された熱制御部を含み、LEDにおける温度を制限してもよい。一実施形態における熱制御部は、バリスタ、ツェナーダイオード又はアンチヒューズデバイスのようなバイパス制御要素を含み、LEDを流れる電流を分岐するバイパス回路を含み、LEDを、例えば、75℃未満といった冷却状態に保つことができる。システムは、(I)LEDで発生する熱を低減し、動作時のLEDの温度を閾値温度未満に維持するべく、LEDに供給される電力を少なくとも部分的に減衰させる、及び/又は(II)動作時のLEDを閾値温度未満に維持するべく、LEDから熱を取り除くべく構成されてもよい。 (もっと読む)


放射放出半導体チップ(1)は、キャリア(5)と、半導体積層体を有する半導体ボディ(2)と、を備えている。半導体積層体を有する半導体ボディ(2)には、放出領域(23)および保護ダイオード領域(24)が形成されている。半導体積層体は、放射を発生するために設けられている活性領域(20)を備えており、この活性領域は、第1の半導体層(21)と第2の半導体層(22)との間に配置されている。第1の半導体層(21)は、キャリア(5)とは反対側の活性領域(20)の面に配置されている。放出領域(23)は、活性領域を貫いて延在する凹部(25)を有する。第1の半導体層(21)は、放出領域(23)においては、第1の接続層(31)に導電接続されており、この第1の接続層は、第1の半導体層(21)から凹部(25)の中をキャリア(5)の方向に延在している。第1の接続層は、保護ダイオード領域(24)においては、第2の半導体層(22)に導電接続されている。さらに、放射放出半導体チップの製造方法も開示する。 (もっと読む)


【課題】発光構造のための半導体積層体のアレイと配線構造とを利用した多様な機能。
【解決手段】第1及び2導電型半導体層及び層間に活性層を有する第1及び2半導体積層体と、第1及び2導電型半導体層に接続され、第1及び2半導体積層体の両面に形成された第1及び2コンタクトと、1面を介して第1導電型半導体層が露出するように、第1及び2半導体積層体が互いに分離されて埋め込まれた基板構造物と、第2コンタクト形成領域を除いた領域に形成された絶縁層と、第1及び2半導体積層体の第2コンタクトに接続されるように形成され、基板構造物の1面に露出した領域を有するように、絶縁層に沿って延びた導電層と、基板構造物の1面に形成され、第2及び1半導体積層体に関連の導電層の露出領域と第1及び2半導体積層体の第1コンタクトとを接続する配線層と、第1半導体積層体の第1及び2コンタクトに接続されるように形成された外部接続端子とを含む。 (もっと読む)


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