【課題】光取り出し面における局所的な電界集中を防止して光出力と静電気耐圧を向上できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】カウンタ電極構造の半導体発光素子は、第１半導体層の支持基板側に設けられ、第１半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第１電極片を含む第１電極と、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第２電極片を含む第２電極と、第２の半導体層上に形成された複数の錐状突起と、を有する。第１電極片と第２電極片とは、半導体発光積層体の積層方向に重ならずに配置される。第１電極片と第２電極片とは、上面視において平行に配置される。複数の錐状突起のうち、上面視において、相互に平行に配置された第１電極片と第２電極片との間に位置する錐状突起は、その軸が、いずれも、該第一電極片と該第２電極片の伸長方向との成す角度が、±２６度の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプの接続灯数に対応して閾値が変更されて電源回路を適切に制御するとともに、所定範囲内のランプ電圧に適応するＬＥＤランプ点灯装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤランプ点灯装置は、直流電源装置DCS、第１および第２の電圧検出回路VfD1、VfD2、制御手段CCを具備し、DCSは、定電流制御形の電源回路DOCおよび一対のＬＥＤランプ接続部LCP1、LCP2を備え、VfD1は、La、Lk間の電圧を、VfD2は、L0、Lk間の電圧を検出し、CCは、DCSに対して一対のＬＥＤランプLS1、LS2が直列接続した場合の閾値および１灯のLS1が接続した場合の閾値をそれぞれ有し、点灯条件が変化したときに、VfD1、VfD2からサンプリングし、閾値を都度決定し、出力電圧が閾値を逸脱したときに電源回路に安全動作を行う。 （もっと読む）

【課題】 発光素子とともにツェナーダイオード等の電子部品を搭載しても、輝度を低下させることのない発光素子搭載用基板、および発光装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の発光素子搭載用基板によれば、基板１と、基板１の上面の発光素子５を搭載するための第１搭載部１ａと、第１搭載部１ａの周囲の少なくとも一部に形成された凹部２と、凹部２の底面の電子部品６を搭載するための第２搭載部２ａとを備えたことから、第１搭載部１ａに発光素子５を搭載して、第２搭載部２ａにツェナーダイオード等の電子部品６を搭載した発光装置としても、発光素子５と同じ面上に発光素子５から放射された光を遮る電子部品６がないので、発光装置から放射される光が減少することを低減して、発光装置の光の輝度が低下することを抑制できる。また、発光装置から放射される光の輝度がばらつくことを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧特性を向上させ、かつ発光効率を向上させること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。ＥＳＤ層１２はピット２０を有し、このピット２０を埋めずにｎ型クラッド層１３、発光層１４が形成されている。ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。また、発光層１４の障壁層はＡｌ組成比が３〜７％のＡｌＧａＮである。 （もっと読む）

【課題】静電気の放電電流から保護される発光ダイオードパッケージ及びこれを具備するバックライトユニットの提供。
【解決手段】第１電極及び第２電極を含み、第１電極及び第２電極を通じて印加される駆動電圧に応答して光を発生する発光ダイオードと、第１電極に連結された第１メーンリードと、第２電極に連結された第２メーンリードと、発光ダイオードが実装され、第１メーンリード及び第２メーンリードを固定するボディー部と、一端部が第１メーンリードに連結された第１サブリードと、一端部が第２メーンリードに連結され、他端部が第１サブリードの他端部と所定の距離を置いて対向して第１サブリードと共に静電気を放電する第２サブリードを有する。また、バックライトユニットは、複数の発光ダイオードパッケージを具備する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの回路を応用し、過電圧、過電流、過温度または雷サージ等の原因による製品の損壊を回避し、製品の信頼性と使用寿命を向上する、発光ダイオード保護回路を提供する。
【解決手段】発光ダイオード保護回路は、２つのヒューズエレメント１２，１４がそれぞれ発光ダイオードモジュール１０に接続し、放電保護素子１６が発光ダイオードモジュール１０および２つのヒューズエレメント１２，１４に接続すると、ヒューズエレメント１２，１４上に過電流が流れ保護電流値を超えたとき、開路状態になり、発光ダイオードモジュール１０に流れた大電流を切断して、損壊を回避する。また、例えば開閉サージまたは雷撃発生等、瞬間的に高圧が発生したとき、放電保護素子１６を大電流放電経路として利用し、発光ダイオードモジュール１０の電流バイパス経路を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、表面にめっき層を有し、樹脂成形体を介して設けられる少なくとも一対のリードフレームと、リードフレームと電気的に接続される発光素子と、を有する発光装置であって、めっき層は、下地層と、その下地層の上面の一部が露出するよう積層される表面層とを有し、下地層は、樹脂成形体から離間する位置で露出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より急峻な傾きの温度ディレーティングを実現する。
【解決手段】半導体光源点灯回路１００は、ＬＥＤ９０２に電流を供給するＤＣ／ＤＣコンバータ９０４と、電流検出電圧Ｖ_ＩＳを生成する電流検出抵抗９１０と、電流検出電圧Ｖ_ＩＳと比較電圧Ｖ_ＣＯＭＰとの差を小さくするようにＤＣ／ＤＣコンバータ９０４を制御する制御部９０６と、比較電圧Ｖ_ＣＯＭＰを生成する比較電圧生成部１０２と、を備える。比較電圧生成部１０２は、ＬＥＤ温度に応じたサーミスタ分圧電圧Ｖ_ｄを生成する温度検出部１１０と、サーミスタ分圧電圧Ｖ_ｄを第６抵抗１２２の抵抗値によって定まる係数でサーミスタ分圧電流Ｉ_ｄに変換する電圧電流変換部１０８と、サーミスタ分圧電流Ｉ_ｄと同じ大きさの調整電流Ｉ_ＣＴＬを第１抵抗９４０に流す電流適用部１０６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光度を高めるとともに動作電圧を改善することができる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型半導体層１１０と、前記第１導電型半導体層の上の発光層１２０と、前記発光層の上の電子遮断層１３０と、前記電子遮断層の上の第２導電型半導体層１４０とを備え、前記電子遮断層は厚さの高低差があるパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】発光強度や駆動電圧を悪化させることなく静電耐圧を向上させる。
【解決手段】発光層７のｎ電極１２側に、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜０．３）からなる第１の層とＧａＮからなる第２の層とを交互に積層した多重層６の第１の層に、ｎ導電型不純物がその濃度として５×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲で添加されて、発光層７が受ける静電破壊エネルギ（ｍＪ／ｃｍ^２）が２０以上４０以下とされていることにより、静電破壊の原因となる高電圧の電荷が発光層に印加されるときのエネルギを発光層に印加されないようなインピーダンスとなるような多重層の不純物濃度に制御する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できるとともに、静電耐圧を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｂは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌＧａＡｓ層１１を含む、ＡｌＧａＡｓ基板１０と、ＡｌＧａＡｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層２３を含むエピタキシャル層２０とを備えている。ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度は、１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】 異常発熱が発生しにくい発光ダイオード点灯装置及び該発光ダイオード点灯装置を用いた照明装置を提供する。
【解決手段】 発光ダイオード点灯装置１は、バックコンバータからなり入力された直流電力を降圧して発光ダイオードアレイ３に入力する点灯回路４と、点灯回路４への給電路に挿入されて少なくとも点灯回路４のスイッチング素子がオフされない状態で点灯回路４の出力端間が短絡されたときには溶断するヒューズ５と、点灯回路４の出力電圧が所定の短絡閾値電圧を上回ったときに点灯回路４の出力端間を短絡する保護回路６とを備える。点灯回路４のスイッチング素子に短絡が発生した場合、保護回路６により点灯回路４の出力端間が短絡されることで、確実にヒューズ５が溶断して点灯回路４への給電が停止されるから、保護回路６が設けられない場合に比べて異常発熱が発生しにくい。 （もっと読む）

【課題】過熱が生じたときにある程度の照度を確保しながら発熱量を低減でき、さらに過熱を報知可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】定電流制御により動作するＬＥＤモジュール１は、複数の発光ダイオード１３が電気的に直列に接続された直列ＬＥＤ回路１０と、直列ＬＥＤ回路１０がなす直列の電気経路のうち、一部の発光ダイオード１３を含む特定経路範囲１１に対して電気的に並列をなす保護回路１８と、発光ダイオード１３が発生する熱が作用するように配設された感温部１８６と、を備え、保護回路１８は、感温部１８６の感知温度が所定の閾値温度を超えたときに電気的に短絡し、これにより、一部の発光ダイオード１３を消灯させる。 （もっと読む）

【課題】リップル電流が少なく、昇圧起動時間が短縮される発光ダイオード駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチングレギュレータ型の発光ダイオード駆動回路において、スイッチング素子（２３０）は、インダクタ（２１０）に間欠的に電流を流す。制御回路（１２０）は、発光を指示する昇圧動作制御信号に応答してスイッチング素子（２３０）を制御する。整流素子（２２０）は、間欠的に流れる電流を整流する。第１のコンデンサ（２５１）は、整流素子（２２０）によって整流された電流が流れて発光する発光ダイオード（２４０）のアノードと接地電圧（ＧＮＤ）との間に接続され、電流を平滑化する。第２のコンデンサ（２５２）は、第１のコンデンサ（２５１）に並列に接続される。切替回路（２６０）は、第２のコンデンサ（２５２）と第１のコンデンサ（２５１）との接続を切り換える。切替制御回路（１２０）は、切替回路（２６０）の接続を切り換えるタイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＥＤを光源として用いる液晶表示装置用のバックライトにおいて、突入電流を抑制しつつコスト、消費電力を低減するのに好適な技術を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、光源としての発光ダイオード（ＬＥＤ）と、該ＬＥＤに駆動電流としてのＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号を供給するＬＥＤドライバとを備えた液晶表示装置用のバックライトにおいて、前記ＬＥＤドライバは、前記ＰＷＭ信号のパルスの立ち上がり及び／または立下りの傾きが制御可能に構成されていることを特徴とする。上記ＰＷＭ信号のパルスの立ち上がり及び／または立下りの傾きは、ＬＥＤの調光率に応じて制御可能であり、例えば、調光率が所定値以上のときは突入電流が生じ易くなるため立ち上がりを緩やかにし、調光率が所定値よりも小さいときは立ち上がりを急峻にする。 （もっと読む）

【課題】回路基板にバリスタペーストを塗布し静電気による破壊に対する防御手段を持たせる際、塗布量や塗布配置に対し高い精度が要求されず製造し易くする。
【解決手段】回路基板４２は、導電性のポスト５７，５８を除く上面全体にバリスタ５６を備え、ポスト５７とバリスタ５６の上面が同じ高さになっている。つまりポスト５７，５８の形成後、バリスタ５６を塗布し研磨すれば良い。この回路基板４２にＬＥＤ素子４３をフリップチップ実装する。 （もっと読む）

【課題】安全性が確保される発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】一端に備えられる二つの第１ピン６１、６２と、他端に備えられる二つの第２ピン６３，６４と、中間に備えられる発光ダイオードモジュール部１と、前記二つの第１ピンおよび前記二つの第２ピンのうちの二つ以上と前記発光ダイオードモジュール部とを連結する回路とを含む発光ダイオードランプであって、高電圧の発生時、前記発光ダイオードモジュール部が保護されるようにヒューズ５を備える保護回路部を含む。また、前記保護回路部は、前記二つの第１ピンのうちの一つと前記二つの第２ピンのうちの一つに前記順方向に装着される整流ダイオード２と、前記二つの第１ピンの間と前記二つの第２ピンの間を連結する過度電圧遮断ダイオード３と、前記二つの第１ピンの間と前記二つの第２ピンの間を無極性でそれぞれ連結するブリッジダイオード４とをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安全性が確保される発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明による発光ダイオードランプは、一端に備えられる二つの第１ピンと、他端に備えられる二つの第２ピンと、中間に備えられる発光ダイオードモジュール部と、前記二つの第１ピンおよび前記二つの第２ピンのうちの二つ以上と前記発光ダイオードモジュール部とを連結する回路とを含む発光ダイオードランプであって、高電圧の発生時、前記発光ダイオードモジュール部が保護されるように前記発光ダイオードモジュール部の前端に挿入されるヒューズを備える保護回路部を含み、前記回路は、前記発光ダイオードモジュール部の前端から他端への方向を順方向とする。この時、前記二つの第１ピンのうちの一つと前記二つの第２ピンのうちの一つは、前記発光ダイオードモジュール部の前端と連結され得る。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】逆方向の大電流からＬＥＤを保護可能なＬＥＤ回路の保護回路を提供する。
【解決手段】極性を逆にして並列接続された第１ＬＥＤ及び第２ＬＥＤを含む二端子ＬＥＤ回路と、ツェナーダイオードとこのツェナーダイオードに逆極性で直列接続されたダイオードとをそれぞれ含み、相互に異なる接続方向で前記二端子ＬＥＤ回路に並列接続される２つの二端子保護回路と、を含むＬＥＤ発光装置である。 （もっと読む）