【課題】ＬＥＤに流れる電流を温度によって変化させることでＬＥＤの性能を十分に引き出すこと。
【解決手段】所定の温度Ｔ２以下の温度では、ダイオードＤ１を導通させないようにする。この場合、トランジスタＴＲ１のベース電圧は、ツェナーダイオードＺ１のツェナー電圧の抵抗Ｒ３、Ｒ４による分圧であり、一定であるから、ＬＥＤ電流Ｉ_LED は一定である。一方、所定の温度Ｔ２より大きい温度では、ダイオードＤ１が導通し、ダイオードＤ１からＮＴＣサーミスタＴＨ１の方向に電流が流れる。そのため、抵抗Ｒ４を流れる電流は減少し、トランジスタＴＲ１のベース電圧も減少する。これにより、ＬＥＤ電流Ｉ_LED は温度上昇によって減少する。 （もっと読む）

【課題】静電気対策の施された小型化可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、基板上に形成された配線パターン上に複数の半導体発光素子を備える。配線パターンの封止樹脂部から露出した部分のうち、実装面側から離れる方向に遠い位置に延設された配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子は、他の半導体発光素子より静電耐圧の高いものが選択される。静電耐圧の高い半導体発光素子に接続された配線パターンは、他の半導体発光素子に接続された配線パターンと電気的に独立していることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】焼成の際のセラミック基板とバリスタ層の熱収縮挙動の違いなどから発生する反りを低減し、実装信頼性が向上した薄型構成の静電気対策部品を提供することが課題であった。
【解決手段】この課題を解決するために、セラミック基板１とバリスタ層３とガラスセラミック層２を有する静電気対策部品において、製造時の反り解消用として、セラミック基板のバリスタ層を設けた面と反対側の面にガラスセラミック層４を設けた構成とするものである。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子が駆動される際の駆動電流のオーバシュートの発生を防止することにより、ＬＥＤ素子の劣化を防止する。
【解決手段】ドライバＩＣ４１にはＬＥＤアレイ４２を駆動するＰＭＯＳトランジスタ５２、５３とＰＭＯＳトランジスタ５２に制御電圧を出力する制御電圧発生回路３４が設けられる。制御電圧発生回路３４には演算増幅器６１が設けられ、その非反転入力端子にはアナログスイッチ回路６６を介して基準電圧ＶＲＥＦが入力される。アナログスイッチ回路６６にはＬＥＤヘッドのストローブ信号ＳＴＢ−Ｎが入力され、ＬＥＤ駆動オフ状態では演算増幅器６１の出力電位は電源ＶＤＤと略同電位とされる。 （もっと読む）

【課題】さまざまな直列数のＬＥＤモジュールに対して１種類の点灯回路で対応可能な、汎用性が高く、安全性および信頼性を確保することが可能なＬＥＤモジュール、点灯装置、および照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤモジュール１は、複数のＬＥＤを直列に接続したＬＥＤ直列回路１１と、点灯装置２に対する点灯装置接続用端子１１ｃの接続／分離に応動してＬＥＤモジュール１の接続／分離を報知する報知用端子１５ｃを備える。点灯装置２は、ＬＥＤモジュール１へ直流を出力するＤＣ／ＤＣ変換回路２２と、定電圧部２３と、定電流部２４と、ＬＥＤモジュール１の接続／分離を検出する負荷状態検出部２５と、負荷状態検出部２５がＬＥＤモジュール１の接続を検出したときにＤＣ／ＤＣ変換回路２２を動作状態とし、分離を検出したときに停止状態とする動作制御部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】調光可能で且つ電源電圧が変動した場合などでもＬＥＤに一定以上の電流が流れることを防止し、高効率化することができるＬＥＤ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＬＥＤモジュール３に定電流を供給してＬＥＤモジュール３を駆動する定電流回路Ｂ２１と、サイリスタ４と、サイリスタ４の点弧角を調整する位相角制御回路Ａ１１とを備え、ＬＥＤモジュール３と定電流回路Ｂ２１とサイリスタ４とが直列接続されるＬＥＤ駆動回路。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子と電気的に接続した構造を有する発光装置において、発光素子からの光が保護素子により吸収されることを防ぐことができるとともに、従来の構造の不具合を解消する。
【解決手段】 基板・ハウジング１の上面（光取り出し面）に第１のカップ７が形成されており、第１のカップ７の底面にＬＥＤチップ２が実装されている。また、第１のカップ７の底面のＬＥＤチップ２の実装位置以外の位置に、第２のカップ８が形成されており、第２のカップ８の底面に、ＬＥＤチップ２を静電気衝撃から保護するための保護素子３が実装されている。 （もっと読む）

【課題】ツェナーダイオードの利用なしにも外部から流入可能な静電気から発光ダイオードを保護するために、発光ダイオードの活性層と並列に接続される電流通路を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と；前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層をエッチングする段階と；前記ｐ型半導体層上にｐ-電極を形成する段階と；エッチングされた前記ｎ型半導体層とｐ-電極が形成されていない前記ｐ型半導体層の一部にかけてｎ-電極を形成する段階とを含んで発光ダイオードの製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】逆方向ＥＳＤ電圧に対する高い耐性を有する窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による窒化ガリウム系発光素子は、基板と；上記基板上の第１領域に形成され第１ｐ側電極と第１ｎ側電極を設けるメインＧａＮ系ＬＥＤと；上記基板上の第２領域に形成され第２ｐ側電極と第２ｎ側電極を設けるＥＳＤ保護用ＧａＮ系ＬＥＤとを含む。上記第１領域と第２領域は素子分離領域により互いに分離されている。上記第１ｐ側電極は上記第２ｎ側電極と電気的に連結され、上記第１ｎ側電極は上記第２ｐ側電極と電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化しても発光ダイオードに流れる電流の変化を抑制することが可能な発光ダイオードモジュールを提供する。
【解決手段】複数の発光ダイオードの直列接続からなる発光ダイオード部ＬＥＤｓと電流制限用抵抗体Ｒとを直列に接続してなる直列接続体の両端に定電圧電源Ｖｃｃにより定電圧を印加することで、発光ダイオードを駆動する。この発光ダイオードモジュールは、発光ダイオードの順方向電圧の温度特性により変化する発光ダイオードに流れる電流を補正する電流補償回路を備えている。この電流補償回路は、発光ダイオードの順方向電圧の温度特性に対応する温度特性を持つダイオードＤ１，Ｄ２を含んでおり、これに流れる電流に基づき作成される補償電流Ｉ３を電流制限用抵抗体Ｒに供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は静電気放電から発光ダイオードチップを保護する機能を持つ発光ダイオード素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】陰極リード端子に電気的に連結されたダイパッドにツェナーダイオードの電極のうちの一つを電気的に連結し、ツェナーダイオードの他の電極を正極リード端子に連結することによって発光ダイオードチップが静電気放電により損傷することを防止することができる。また、正極リード端子および陰極リード端子をスタンピング工程によりアップセットして形成することによって、リード端子の製造工程が簡単となり、リード端子製造工程により発光ダイオード素子の内部が損傷することを防止することができる。また、リードフレームカップの底を下方へ突出させてその底面が外部に露出されるようにすることによって、発光ダイオード素子の内部で発生する熱がより効率的に排出され得る。 （もっと読む）

本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に係る発光素子パッケージは、 基板と、上記基板の上に発光素子と、上記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、上記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域を含むツェナーダイオードと、上記第２導電型のドーパント領域及び上記発光素子と電気的に連結される第１電極層及び第２電極層と、を含む。
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【課題】 複数個のＬＥＤ列の中に断線等が原因で電流の流れないＬＥＤ列が含まれていても、全てのＬＥＤ列が完全に消灯せず、尚且つ、定電流回路が異常な発熱状態にならないＬＥＤの灯制御装置を提供する。
【解決手段】 制御回路４ａの内部に、第２の選択検出回路９と切換回路１０を新たに設ける。保護回路７が上昇した出力電圧から過電圧状態を検出した時、誤差増幅回路６に供給する信号を、保護回路７からの保護信号を受け取った切換回路１０によって、第１の選択検出回路５の出力信号から第２の選択検出回路９の出力信号に切り換える。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ回路１の出力電圧を、第２の選択検出回路９で検出された最も小さな順方向降下電圧が現れるＬＥＤ列に接続された定電流回路の端子間電圧に応じて制御する。 （もっと読む）

【課題】電流駆動する半導体発光素子へ一定の電流を供給するために、半導体発光素子の逆電圧以上の出力電圧となる定電圧電源を用いた際、逆電圧防止ダイオード等の付加的電子部品を用いることなく、各半導体発光素子に定格順方向電圧以上の逆電圧がかかることを防止する。
【解決手段】定電圧電源部１０６から出力される電圧が抵抗Ｒ１（及び抵抗Ｒ２）に流れる電流により、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の中点の電圧が降下している。この電圧は、ＬＥＤ２の順方向電圧としているため、ＬＥＤ４にかかる逆電圧も定格順方向電圧を超えない。定電流を維持するために定電圧電源部１０６の出力電圧をＬＥＤの逆電圧以上とし、スイッチングトランジスタＱ１，Ｑ２を共有しても、相関する２以上の基本点灯制御回路間で定格順方向電圧以上の逆電圧がかかることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高いドーピング農度で、かつ結晶性の良いｎ型窒化物半導体層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層；活性層の一側に位置するｐ型窒化物半導体層；活性層の他の側に位置する第１電流拡散層；及び第１電流拡散層と活性層との間に位置し、３０ｎｍを超える第１窒化物半導体層を複数備える第２電流拡散層を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属パッケージにおける構造上の問題点を解消し、安定して製造でき、かつ、信頼性の高い半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】半導体発光装置は、半導体発光素子２と、半導体発光素子２に導通したリード電極１８を有し、半導体発光素子２を収納する金属パッケージ１０と、少なくとも表面が金属から成り、金属パッケージ１０を気密封止する蓋体となるリッド１２とを備えている。金属パッケージ１０の表面は、リッド１２表面を構成する金属よりも導電率の低い金属で覆われており、金属パッケージ１０に設けられた突起部１０ｅとリッド１２の平坦部とが接合することにより、金属パッケージ１０を気密封止する。また、絶縁部材２０を介して固定された導電性台座２２の上に、発光素子２の機能を補助する補助素子４の裏面電極を接合する。 （もっと読む）

【課題】使用者にとって見た目上、発光ダイオードの構成を複雑にさせることなく、簡易な構成で多種多様な色相を演出することができる多色発光ダイオード及びそれを用いた電飾ケーブルを提供することにある。また、家庭用コンセント等の交流電力から電飾ケーブルに給電するにあたり、多色発光ダイオードへの給電方向を間違えることがない電飾ケーブルを提供することにある。
【解決手段】アノード側接続端子８ａと、カソード側接続端子８ｂと、赤色・緑色・黄色の発光が可能な３つの発光チップ２ａ，２ｂ，２ｃが実装されたカソード側リードフレーム５と、３つの発光チップのそれぞれがワイヤーボンド線６ａ，６ｂ，６ｃを介して接続されているアノード側リードフレーム４と、を有し、アノード側リードフレーム４には、３つの発光チップへの給電を制御する制御チップ７が実装されている。 （もっと読む）

【課題】本発明では、ＬＥＤモジュールを含むＬＥＤ照明装置に高い耐電圧を印加したとしてもＬＥＤモジュールには当該高い耐電圧が印加されることを抑制できるＬＥＤ照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】請求項１のＬＥＤ照明装置は、電源トランス、この電源トランスの一次巻線側に設けられたスイッチング手段、前記電源トランスの二次巻線側に設けられた直流回路、及び電源トランスの一次巻線側と二次巻線側とを接続する雑音防止用コンデンサを備え、前記スイッチング手段のスイッチング動作により直流出力を生成する直流出力生成手段１０と；複数の発光ダイオード及び発光ダイオードに接続する接地用コンデンサを含んでなるＬＥＤモジュール２と；前記直流出力生成手段及びＬＥＤモジュールを収容する器具本体１と；を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの数に対応した最大駆動電圧に応じたバックライト装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の背面に配された複数個のＬＥＤを直列に接続し、このＬＥＤを駆動する駆動ＩＣ１８を有し、この駆動ＩＣ１８は過電圧防止回路を有し、過電圧防止回路は、複数の分割回路と、基準電圧発生回路と、コンパレータとＡＮＤ回路とより構成される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し向上の目的で凹凸を有する発光素子を形成するエピタキシャル成長基板に、縦方向成長により凹凸を埋めるようにIII族窒化物系化合物半導体を形成する。
【解決手段】凹凸を設けたサファイア基板にＡｌＮバッファ層を介して埋め込みｎ−ＧａＮ：Ｓｉ層を成長させた。比較のため、凹凸を設けた基板にＳｉを添加せずにｉ−ＧａＮ層を成長させたものと、凹凸を設けない基板にＳｉを添加せずにｉ−ＧａＮ層を成長させたものを用意した。エピタキシャル膜表面を塩化水素（ＨＣｌ）ガスで処理し、貫通転位をピットに変換した。凹凸基板にｎ−ＧａＮ：Ｓｉ層を成長させた場合（１．Ｃ）は、凹凸の無い基板にｉ−ＧａＮ層を成長させた場合（１．Ａ）と同様にピットが多数形成されたが、密度は均一で、集中するようなことは無かった。凹凸基板にｉ−ＧａＮ層を成長させた場合（１．Ｂ）は、基板の凸部の上方に転位が集中し、大きなピットとなった。 （もっと読む）