光活性装置は、キャリヤー材料（１２）内に分散した半導体粒子（１０）を含む。第一接触層（１４）を与え、フィールドの適用により、一つの極性を有する帯電キャリヤーが半導体粒子中へキャリヤー材料を通って注入される。第二接触層（１４）を与え、その第二接触層への電場の適用により、反対極性を有する帯電キャリヤーが半導体粒子中へキャリヤー材料を通って注入される。半導体粒子は、有機及び無機半導体の少なくとも一方を含む。半導体粒子（１０）は、有機光活性粒子を含んでいてもよい。
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【課題】 窒化物半導体発光素子を高精度に歩留り良く分割するするとともに、光取り出し効率の良い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板１１上にｐ型伝導型窒化物半導体層２１及びｎ型伝導型窒化物半導体層２０が積層されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１０は、レーザ光遮蔽カバーを被せて窒化物半導体発光素子１０の半導体層２１側へレーザ光を照射し、Ｖ字型断面の溝２３を形成する工程と、エッチングカバー２４を被せてドライエッチングで溝２３周辺の半導体層を除去する工程と、溝２３を起点として窒化物半導体発光素子１０を分割する工程とを備えた製造方法によって作製される。 （もっと読む）

非レージングスーパールミネッセント発光ダイオード（ＳＬＥＤ）は、ＰＮ接合部と光ビーム経路を規定する導波路とを形成する半導体ヘテロ構造を含む。ヘテロ構造は、光ビーム経路において、利得領域と、利得領域と直列の吸収領域とを含む。第１の接触手段によって利得領域におけるＰＮ接合部に電圧が印加されるので、活性領域から光ビーム経路に沿って光の放出が生じる。この発明に従って、第２の接触手段が設けられ、それが吸収領域におけるＰＮ接合部と接触し、吸収領域における吸収作用によって生じる電荷キャリアを除去する働きをする。第２の接触手段は、電圧源に接続されずに、金属面のような電荷キャリア貯蔵器に接続される。好ましい実施例に従って、導波路の２つの端面は、光ビーム経路に対して垂直である。
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光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

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【課題】各発光素子の発光強度を均等にして、高性能かつ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを順次積層し、この一導電型半導体層２を引き出した延在部７の上に共通電極５と絶縁膜６とを並設して成る発光素子を複数個配列して成る発光素子群９にて構成され、この発光素子群９内における各発光素子の延在部７における共通電極５に至る電極間隔ｘが異なるとともに、一方の発光素子の電極間隔ｘと他方の発光素子の電極間隔ｘとを同じにして、双方の共通電極５を通電せしめるように成し、そして、前記延在部７と共通電極５との接触面積ｓを、電極間隔ｘが長くなるにしたがって、大きくしている。 （もっと読む）