【課題】高い信頼性を有し且つ高輝度に発光することが可能である薄型の表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子と、発光素子を収容された凹部と少なくとも１つの貫通孔を有するベース部とからなる金属パッケージと、絶縁部材によって前記金属パッケージと電気的に分離されかつその先端部がベース部の底面から突出するように貫通孔内に挿入されたリード電極とを有する発光装置であって、発光素子が載置された面に対向する外表面である凹部底面には、金属パッケージを構成する金属の表面が露出されており、実装基板に実装されたときに、露出された金属の表面が前記実装基板に接している。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有し且つ高輝度に発光することが可能である薄型の表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、発光素子を収容された凹部と少なくとも１つの貫通孔を有するベース部とからなる金属パッケージと、絶縁部材によって金属パッケージと電気的に分離されかつその先端部がベース部の底面から突出するように貫通孔内に挿入されたリード電極とを有する発光装置であって、発光素子が載置された面に対向する外表面である凹部底面には、金属パッケージを構成する金属の表面が露出されており、かつその金属表面が露出した凹部底面とリード電極の底面とが同一平面上に位置している。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させること。
【解決手段】
半導体デバイスの性能を向上させる材料および構造には、ＺｎＢｅＯ合金材料、ＺｎＣｄＯＳｅ合金材料、格子整合のためにＭｇを含有し得るＺｎＢｅＯ合金材料、および、ＢｅＯ材料が挙げられる。ＺｎＢｅＯ合金系、すなわち、Ｚｎ_１−ｘＢｅ_ｘ０におけるＢｅの原子分率ｘは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも大きな値になるまで増加するよう変化させることができる。ＺｎＣｄＯＳｅ合金系、すなわち、Ｚｎ_１−ＹＣｄ_ＹＯｉ_−ｚＳｅ_ｚにおけるＣｄの原子分率ｙとＳｅの原子分率ｚは、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップが、ＺｎＯのエネルギーバンドギャップよりも小さい値になるまで減少するよう変動させることができる。形成された各合金は、選択されたドーパント元素を用いることによって、アンドープ、または、ｐ型ドープ、またはｎ型ドープされることができる。これらの合金は、単独または組み合わせて用いられて、一定の波長値の範囲にわたって放射可能な活性フォトニック層、単一および多重量子井戸のようなヘテロ構造、並びに超格子層またはクラッド層を形成し、光半導体デバイスや電子半導体デバイスを製造することができる。このような構造は、半導体デバイスの機能、能力および性能を向上させるために利用できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜を、ボンディングにより基板に接着して形成した半導体複合装置では、ボンディングによる位置精度が低いため、半導体薄膜に形成される光学素子を設計上の所定の配列位置に形成するのが困難であった。
【解決手段】
Ｓｉ基板１１上に形成した第１メタル層１３上に、発光素子領域のｐ型不純物拡散領域２０を複数形成した半導体薄膜１４をボンディングし、このボンディング後に、半導体薄膜１４を覆う遮光膜としての第２メタル層１５に、例えばフォトリソグラフィ技術によって導体薄膜１４の発光素子領域に対向する位置に、光を通過させる開口部１５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】青色発光ダイオードや紫色発光ダイオードと組み合わせて白色光とすることができる蛍光体、ならびにその製造方法の提供。
【解決手段】一般式MO・Si_２N_２Oで示されるのMの一部をEuで置換したものからなる酸窒化物系蛍光体（Mは、Be，Mg，Ca，Sr，Baから選ばれた一種または二種以上の金属である）。該蛍光体は、Be，Mg，Ca，Sr，Baの少なくとも一種及びEuの酸化物、酸化珪素、窒化珪素を混合し、真空もしくは非酸化性雰囲気中１２００〜１９００℃で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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【課題】ＧａＩｎＮ層などのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でＩｎを含まない別の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の劣化を防止し、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を高品質とする。
【解決手段】Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にこの層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でＡｌＧａＮからなる保護膜を成長させ、その上にＩｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる場合に、Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および保護膜を成長させる際のキャリアガスとしてＮ₂ を用い、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる際のキャリアガスとしてＨ₂ とＮ₂ との混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光領域に関する技術を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む。発光層は、少なくとも５０オングストロームの厚みを有するウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とすることができる。発光層は、発光層とｐ型領域の間の界面にわたってウルツ鉱ｃ軸が発光層の方向に向くように、従来のウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とは極性形成を逆転させることができる。ｃ軸のこのような配向は、ｐ型領域の縁部内の界面で又はｐ型領域の縁部で負のシート電荷を作り出し、発光層内の電荷担体に対する障壁をもたらすことができる。 （もっと読む）

【課題】 高い発光効率を実現可能な半導体基板を容易に製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 p型基板１を多孔質化して多孔質層２を形成する基板多孔質化ステップと（ステップｂ）、ｐ型基板１の多孔質層２上に被処理層３を形成するステップと（ステップｃ）、被処理層３の少なくとも表面側を多孔質化するステップと（ステップｄ）、多孔質化された被処理層３をアニーリングすることによりｎ型半導体層４を形成するステップと（ステップｅ）を備える半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 液相エピタキシー法において使用する基板の面内の転位密度の最大値を適正範囲に設定することで、安価で且つ結晶性が良い高品質なエピタキシャルウェハを提供することにある。
【解決手段】 ボート法によりＧａＡｓ基板３上に液相エピタキシャル成長された積層構造（シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造・基板除去タイプのいずれか）を有するＬＥＤ用エピタキシャルウェハにおいて、上記ＧａＡｓ基板３の面内の転位密度の最大値を５，０００〜２２，０００個／ｃｍ²の範囲に定める。 （もっと読む）

【課題】 反射溝から漏れる光を低減し、ｐｎ間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化に優れる発光素子を提供する。
【解決手段】 Ｒｈコンタクト電極１５を設けたｐ側電極１０１に格子状にＶ溝１０１Ａを設け、ＧａＮ系半導体層１００内を伝搬する青色光を短い距離でＬＥＤ素子１の外部に取り出せるようにしたので、ＧａＮ系半導体層１００内を層方向に伝搬する青色光が減衰する以前に速やかに外部放射させることができる。また、ｐ側電極のエッジ部分が４５゜の傾斜角を有して形成されており、かつ、ＳｉＯ_２膜１０１ＢおよびＲｈコンタクト電極１５による絶縁反射面を有しているので、ｐ側電極のエッジ部分から横方向に漏れていた光についてもサファイア基板１０側に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
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白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

一実施形態においては、有機組成物のための閉じ込め構造を提供する。この閉じ込め構造は、アンダーカット層と上層とを含み、アンダーカット層および上層が、液体形態の有機組成物を収容するための容積を画定している。
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【課題】 高効率、低環境負荷で、高演色性を有する発光装置を提供する。
【解決手段】第１の発光体２と第１の発光体２からの光を吸収し光を発する第２の発光体１を有する発光装置において、第２の発光体１がIII−Ｖ族物質を含み、該発光装置の発光色の色度座標値が、（Ｘ，Ｙ）＝（０．１８，０．３０）、（０．２２，０．５０）、（０．４０，０．４０）、（０．４５，０．３０）及び（０．２２，０．２０）の５点により囲まれる領域に存在することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

ＧａＰ基板上に直接成長させた直接バンドギャップＡｌＧａＩｎＮＳｂＡｓＰ材料系を用いて製造される高効率ＬＥＤ。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

【課題】 間接遷移型ではあってもバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の光を放射することができ、ダイヤモンドの発光を実用のレベルまで引き上げることができるようにする。
【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体発光素子は、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３に接して形成されたダイヤモンド以外の材料からなるｎ型半導体層２４と、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４との間の界面に形成された活性化領域層２９と、を備え、ｐ型ダイヤモンド半導体層２３とｎ型半導体層２４とのそれぞれに形成した電極２５，２６に電流を注入したとき、ダイヤモンド材料が有するバンドギャップから予測される発光波長よりも短い波長の発光が活性化領域層から出力する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、エネルギバンドギャップが電気的に変化されることができる半導体装置に関する。本発明の発想は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような圧電材料のように、適切にアドレス指定された場合に変形を呈する材料３０７に埋め込まれたナノワイヤ３０６に基づく装置を提供することにある。ナノワイヤ３０６は、圧電材料３０７に電圧を印加することによって圧電材料３０７に局所的な変形を生じさせることにより、可逆的に歪まされることができる。得られるバンドギャップの変化は、例えばＬＥＤ又はレーザから、発せられる光の色を調整するのに利用されることができる。このことは、前記バンドギャップが、前記発せられる光の周波数に比例している事の結果である。他の分野の用途においては、半導体接合における接触抵抗が制御されることができ、このフィーチャは、メモリ及びスイッチにおいて非常に有利である。
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本発明は、エネルギバンドギャップが可逆的に変化されることができる半導体装置に関する。本発明の発想は、例えば、相変化材料３０７のような、適切にアドレス指定された場合に体積の可逆的変化を呈する材料３０７と機械的に接触状態にある半導体材料３０６に基づく装置を提供することにある。前記装置は、例えば、発光、スイッチ及びメモリの用途において実施されることができる。前記半導体材料は、前記相変化材料に局所的な体積の変化を生じさせることにより、可逆的に歪まされることができる。前記半導体材料の得られるバンドギャップの変化は、例えばＬＥＤ又はレーザから、発せられる光の色を調整するのに利用されることができる。他の分野の用途においては、半導体接合における接触抵抗が制御されることができ、このフィーチャは、メモリ及びスイッチにおいて非常に有利である。
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【課題】
高い静電破壊耐性を示す素子を与える窒化物系化合物半導体を提供する。
【解決手段】
（１）ｐ型コンタクト層と発光層とｎ型コンタクト層とを備えた窒化物系化合物半導体であって、発光層とｐ型コンタクト層との間に発光層側から順に、一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１）で表されるｎ型の第１の層と、該第１の層より空間電荷密度の低いＩｎ_dＧａ_eＡｌ_fＮ（ただし、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１）で表されるｎ型の第２の層とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。
（２）第２の層がｎ型不純物ドープ層であることを特徴とする上記（１）の窒化物系化合物半導体。
なし （もっと読む）