発光デバイス１０が半導体材料の細長い第１のボディ１２を含む。第１のボディの第１のｎ＋タイプ領域１２．１と第２のｐタイプ領域１２．２との間の第１のボディ内に横断接合部１８が形成される。第３のｐ＋タイプ領域１２．３が第１の領域から前記第２の領域によって離隔される。分離材料からなる第２のボディ２２が、前記第２の領域の少なくとも一部に直に隣接して設けられ、第１のボディを少なくとも部分的に封入する。端子配列２８が、第１のボディに接続され、接合部１８に逆バイアスをかけて降伏モードに入れるようになっている。そのデバイスは、接合部１８が降伏モードに入る前に、接合部１８に関連付けられる空乏領域が第２の領域１２．２を貫通して延在し、前記第３の領域１２．３に達するように構成される。
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【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なエルビウム添加酸化スズ発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子２０は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）とエルビウム（Ｅｒ）を含む発光層１２に、ｐ型電流注入層２１が設けられた構造を有している。エルビウム原子が光学的に活性化することで、特に波長１．５μｍ付近の発光強度が増加する。ｐ型電流注入層２１は発光層１２と同等のバンドギャップを有する材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型酸化物発光素子の実現を可能とする。これにより、集禎回路内への発光素子の実装が容易となる。 （もっと読む）

電気的に画素化された発光素子、電気的に画素化された発光素子を形成するための方法、電気的に画素化された発光素子を含むシステム、電気的に画素化された発光素子の使用方法。 （もっと読む）

【課題】 発光素子等の表面にナノメートルサイズの凹凸構造を形成し、発光効率特性を改善する。
【解決手段】 発光素子は、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの自己組織化パターンを用いて凹凸が施された第一主面を有するＡｌ_２Ｏ_３基板と、前記Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面上に設けられた発光層と、を備えたことを特徴とする。発光素子の製造方法はブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの自己組織化パターンを用いて、Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面に凹凸を形成する工程と、前記Ａｌ_２Ｏ_３基板の第一主面上に発光層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＧａＮ薄膜は基板から剥離しやすく、ＧａＮ薄膜の結晶性は低下してしまう。そのためＧａＮ薄膜を有する発光素子の発光輝度は低かった。
【解決手段】第１電極と、前記第１の電極に対向する位置に設けられた第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間に設けられ、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続された、ＧａＮを含む窒化物半導体からなる発光層と、前記発光層と前記第１電極とに囲まれた空洞部と、を備える発光素子。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。
ＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｐ（ｅＶ） …（１） （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２端子型の電子デバイスは、第１電極３１及び第２電極３２、並びに、第１電極３１と第２電極３２の間に設けられた能動層３３を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成り、無機半導体微粒子はｎ型導電性を有し、有機半導体分子はｐ型導電性を有し、能動層２０への光の照射によって電力が生成する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の機能および効率を向上させ、高効率および高電力で動作する特定の能力を有する層状ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】 層状ヘテロ構造発光素子は、少なくとも、基板、ｎ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型酸化亜鉛系正孔注入層領域、およびオーミック接触層領域を含む。あるいは、素子はキャッピング層領域も含んでよく、または反射層領域および保護キャッピング層領域を含んでもよい。素子はオーミック接触層領域に隣接する１つ以上の埋め込み挿入層を含んでもよい。オーミック接触層領域は、酸化インジウムスズ、酸化ガリウムスズ、または酸化インジウムスズ材料といった材料からなり得る。ｎ型窒ガリウム系クラッド層領域と電気的に接触するｎ型電極パッドが形成される。ｐ型領域と電気的に接触するｐ型パッドが形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶薄膜の成長方法を開示する。
【解決手段】ｍ面六方晶系単結晶基板上に半極性窒化物単結晶基底層を形成する段階、絶縁性物質パターン層を形成する段階、半極性窒化物単結晶基底層上に半極性窒化物単結晶薄膜を側方向成長させる段階を含み、半極性窒化物単結晶薄膜の側方向成長段階は、成長面の一部がａ面を有するよう半極性窒化物単結晶薄膜を１次側方向成長させる段階、及び１次側方向成長させられた窒化物単結晶薄膜が合体して（１１−２２）面を有する半極性窒化物単結晶薄膜が形成されるように２次側方向成長させる段階を含む窒化物単結晶薄膜の成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】外部に定電流回路を必要としないＧａＮ系ＬＥＤ。
【解決手段】サファイア基板１０１上に、ＡｌＮバッファ層１０２が形成され、その上にＧａＮ層１１１とＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２とによるＨＥＭＴ構造が形成されている。Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２の上に、ｎ−ＧａＮ層１２１、井戸層をＩｎＧａＮとし、バリア層をＡｌＧａＮとしたＭＱＷ発光層１２２、ｐ−ＧａＮ層１２３が形成されている。露出されたＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２にソース電極１１５Ｓが形成され、対応するドレイン電極とｎ−ＧａＮ層１２１への電子注入電極を兼ね、ＨＥＭＴ／ＬＥＤ接続電極１６５Ｄｎが形成されている。ｐ−ＧａＮ層１２３表面にはＩＴＯから成る透光性電極１２８が形成され、その表面の一部に金から成るパッド電極１２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の領域で異なる特性を有している量子ドットをもつ半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の（平均表面格子）パラメータ値を有する少なくとも１つの第１の領域２と、上記第１のパラメータ値とは異なる第２のパラメータ値を有する少なくとも１つの第２の領域３とを含む半導体表面１上に、半導体層を堆積する工程を含んでいる。上記半導体層は、自己組織化アイランド６および７が形成される厚さまで堆積される。アイランド６および７上には、キャップ層８が堆積される。キャップ層の禁制バンドギャップは上記アイランドよりも大きいため、上記アイランドが量子ドットを形成する。これらの量子ドットは、上記第１の領域アイランドと第２の領域アイランドとの（複数の）差により、上記第１の領域および第２の領域とは異なる特性を有している。 （もっと読む）

【課題】発される放射線の高められた収量を有する放射線を発する装置を提供する。
【解決手段】駆動時に第一の電荷を有する第一の電荷担体を放出する第一の電極と、前記の第一の電極上に配置されている蛍光を発する物質を含む第一の電荷担体輸送層と、前記の第一の電荷担体輸送層上に配置されている燐光を発する物質を含有する第二の電荷担体輸送層と、前記の第二の電荷担体輸送層上に配置されている駆動時に第二の電荷を有する第二の電荷担体を放出する第二の電極とを含み、前記の第二の電荷担体輸送層が、装置の駆動時に、前記の第一の電極から放出される第一の電荷担体を十分に含まないことを特徴とする放射線を発する装置により解決される。 （もっと読む）

【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い取り出し効率を有する半導体チップ及び半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】放射を発生するために設けられた活性領域２３を有する半導体連続層を有する半導体ボディ２を含んでなる半導体チップ１において、コンタクト部４が半導体ボディ２の上に配置され、注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成されることで、コンタクト部４から活性領域２３への電荷キャリアの垂直方向の注入が注入障壁５により減少し、電荷キャリアはコンタクト部４の横に位置する活性領域２３へ大部分が注入される。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置では、発光素子１２０に略矩形状に形成される発光領域と、発光素子１２０の一方側と電気的に接続される第１導電型側電極１２２と、発光素子１２０の他方側と電気的に接続される２導電型側電極１３０とが、発光素子１２０の薄膜の同一の面側に位置されるように形成されている。第１導電型側電極１２２は、対応する発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する２辺の外側を連続して囲む位置に第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂを有し、各第２導電型側電極１３０は、対応する各発光領域の上部に配置されている。第１導電型側電極１２２の第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂの両方に亘って、第１導電型側配線部１３２が設けられている。 （もっと読む）

本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

ＬＥＤのような半導体装置内の電流を制御する技術が提供される。実施例によっては、隣接する高抵抗コンタクト領域と低抵抗コンタクト領域とを含んだ電流誘導構造が提供される。実施例によっては、ｎ型コンタクトと金属基材との間の電流経路に加えて、第２電流経路が提供される。実施例によっては、電流誘導構造と第２電流経路の両方が提供される。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）