【課題】ＡｕＳｎ合金を蒸着源として発光素子の基板対向面へＡｕＳｎ層を蒸着させる際、ＡｕＳｎ合金蒸着源が突沸してＡｕＳｎ層の品質が低下する。
【解決手段】合金化したＡｕＳｎからなる蒸着源を準備し、蒸着源を第１の温度で加熱してＡｕＳｎ合金からＳｎを選択的に蒸発させて半導体発光素子へＳｎリッチな第１の層を形成し、蒸着源を第１の温度より高い第２の温度で加熱して蒸発源を全て蒸発させて第１の層の上へＡｕリッチな第２の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】スタック型透明電極を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、外表面の上方に位置し第一の表面を有する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の上方に位置し第二の表面を有する第二の透光性導電層と、を含む。そのうち第二の透光性導電層の第二の表面の面積は、第一の透光性導電層の第一の表面の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷が窒化物半導体ナノカラム内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体からなる各カラムの長手方向が前記電極間に互いに平行に延在し、各カラムの平均半径及び間隙がナノサイズである複数のカラムで構成された窒化物半導体ナノカラムと、前記カラムの間隙を埋めるように設けられた電子輸送層とを有し、前記カラムと前記電子輸送層の界面の一部にナノサイズの金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】モノリシック発光ダイオードアレイにおいて多様な配線連結構造を容易に実現可能にする。
【解決手段】発光装置１０は、第１及び第２導電型半導体層１１ａ，１１ｂ及び活性層１１ｃを含み、第１及び第２導電型半導体層１１a，１１ｂによりそれぞれ形成される第１及び第２面を有する発光積層体１１と、第１導電型半導体層１１ａに接続するように第１面に形成された第１コンタクト１８と、第２導電型半導体層１１ｂに接続するように第２面に形成された第２コンタクト１３と、第２コンタクト１３が形成された領域を除いた発光積層体１１の第２面及び側面に形成された第１絶縁層１２ａと、第２コンタクト１３に連結され発光積層体１１の側面に沿って延長され、第１面に隣接した部分が第１面と同一の方向に向かって露出した導電層１４と、発光積層体の側面と第２面を囲むよう形成された基板構造物１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ１２に於いて、ＰＮ接合領域に形成される発光領域１３大きくし、発光効率を向上させること。
【解決手段】 Ｎ側コンタクト層５は、Ｎ型半導体層８の半導体基板２０と反対側の面に接して設けられ、Ｐ側コンタクト層１１は、Ｐ型半導体層１０の半導体基板２０と反対側の面に接して設けられ、Ｐ側電極３は、Ｐ側コンタクト層１１の略央部から放射状に延伸し、Ｐ側コンタクト層１１と接する複数の腕状の突起を有するコンタクト部と、該コンタクト部とその放射状の略央部で接続し、絶縁層３を介してＰ側電極配線に接続され、Ｎ側電極６は、Ｐ側電側３のコンタクト部を略々等距離に取り囲む形状を有する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を用いて長波長の発光を実現できる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、窒化物半導体発光素子６１と、半導体レーザ６２とを備えている。窒化物半導体発光素子６１は、III族窒化物半導体からなり、５００ｎｍ以上の長波長の偏光光６５を発生する。半導体レーザ６２は、III族窒化物半導体からなり、誘導放出によって、窒化物半導体発光素子６１の発光波長よりも短波長（４５０ｎｍ未満）のレーザ光６７（誘導放出光）を発生する。レーザ光６７が窒化物半導体発光素子６１に入射されることにより、窒化物半導体発光素子６１の発光層が、光励起され、偏光光６５が生じる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤによって光が生成され、最大のＣＲＩ値と同時に可変の色温度をもつ白色の照明光を提供することを可能にし、式ＣＲＩ_{Beleuchtungsmodul}＞８０が成り立つような、手術用顕微鏡の照明モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの白色光ＬＥＤを有する光源を備えた照明モジュールに関する。本発明では、白色光ＬＥＤに加えて、赤色光のＬＥＤと緑色光のＬＥＤが設けられている。照明モジュール１００は、照明光のための照明モジュールの出力部１１２で白色の照明光を提供するために、白色光ＬＥＤの光を、赤色光のＬＥＤの光及び緑色光のＬＥＤの光と混合する光混合装置１０７を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高効率で寿命の長い有機・無機ハイブリッド型の発光デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１上の透明電極２の上に多数の発光性半導体粒子７が分散して設けられている有機材料から成る正孔輸送層３を積層し、正孔輸送層３上には電子輸送層５及び陰極６を設け、透明電極２と陰極６との間に電圧を印加することにより有機半導体材料による電流注入機能により輸送される正孔及び又は電子により発光性半導体粒子７を発光させるようにした。これにより、発光デバイスの発光効率を高めると共に長寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】無機ガラスのような強度、透明性、耐熱性、耐光性及び寸法安定性を備え、プラスチックのような高靭性及び加工性を備えた封止材を用いて得た発光ダイオードを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される硬化性樹脂を硬化させて得られる封止材で発光素子を封止してなる発光ダイオードであり、上記硬化性樹脂は、下記Ｋｐが０．６８〜０．８の金属酸化物から構成される密な構造単位（Ａ）と、Ｋｐが０．６８未満であって有機物と有機金属酸化物とを含んでなる疎な構造単位（Ｂ）とを有し、（Ａ）／（Ｂ）の重量比が０．０１〜５．００、かつ、少なくとも一つの不飽和結合を有して平均分子量は８００〜６００００である。
−｛(Ａ)−(Ｂ)_m｝_n− (m、nは1以上の整数) ・・・(１)
Ｋｐ＝Ａｎ・Ｖｗ・ｐ／Ｍｗ ・・・(２)
〔An=アボガドロ数、Vw=ファンデアワールス体積、p=密度、Mw=分子量〕 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減可能な埋め込みヘテロ構造の半導体発光素子を作製する方法を。
【解決手段】本実施の形態の方法により作製された半導体発光素子の断面が示されている。ストライプメサ構造の実効幅は、ストライプメサ構造トップの幾何学的幅Ｗ_０に対応する。第１導電型III−Ｖ化合物半導体３１が、第２導電型III−Ｖ化合物半導体２７ａおよび第１導電型III−Ｖ化合物半導体２９ａを覆うように形成されているので、第２導電型III−Ｖ化合物半導体２７ａが、ストライプメサ構造トップよりも高く伸び出すことはない。ストライプメサ構造トップの幾何学的幅Ｗ_０は、キャップ層のエッチングにより形成された第１導電型III−Ｖ化合物半導体３１の開口のサイズに対応している。 （もっと読む）

本発明は、銅ニッケル（ＯＣｕ_ｘＮｉ_ｙ，但し０＜ｘ＜３且つ０＜ｙ＜３）、又は、ＧＳＺＴＣＯとして示される複数成分のガリウム−スズ−亜鉛−銅−チタン酸化物に基づくｐ型及びｎ型酸化物半導体の使用に関する。前記半導体は、異なるモル組成であり、非結晶構造又は結晶構造を備え、ドナー又は電子受容半導体の電気的性質（価数）を備える。本発明は、室温又は１００℃以下の温度の製造工程を含む。光電子分野、電子分野での適用は、補完−金属−酸化物−半導体（Ｃ−ＭＯＳ）、薄膜トランジスタ、ｐ−ｎヘテロ接合、ロジックゲート、Ｏリング発振器等のデバイスを、ガラス、金属箔、ポリマー、セルロース材料等の基板を用いて製造することである。ここでは、フッ化マグネシウムに基づく保護層が使用され、二酸化ケイ素等の誘電体に対するアクティブな半導体のタンタル酸化物の整合層を備えている。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一なウェハが得られるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２を収納するための基板ホルダー３の上部に、原料溶液Ｌを収納するための溶液ホルダー５を対向して設け、基板ホルダー３あるいは溶液ホルダー５をスライドして原料溶液Ｌに基板２を接触させ、基板２上に半導体結晶を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、原料溶液Ｌに基板２側面の上部を接触させる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図ることができる半導体発光装置及びＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１導電型の半導体層１０３と、この上の少なくともオーミックコンタクト層が形成される領域に形成された上部半導体層１０６ａと、上部半導体層内及び第１導電型の半導体層内に第２導電型不純物を選択的に拡散させることによって、第１導電型の半導体層内にｐｎ接合１０９を有するように、かつ、深さ方向拡散フロント１３０ａが第１導電型の半導体層内に位置するように形成された第２導電型不純物拡散領域１３０と、１つの発光部が形成されるように、上部半導体層内の第２導電型不純物拡散領域の横方向拡散フロントと、第１導電型の半導体層内の第２導電型不純物拡散領域の横方向拡散フロント１３０ｂとを含む領域にエッチング溝領域１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応源供給層にクラックが発生することを抑制しつつ、低い駆動電圧を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系基板１上には、ガリウムとインジウムとシリコンとを構成元素に含む金属化合物からなる金属化合物領域２が形成されている。金属化合物領域２上には、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層３が形成されている。ＡｌＮ層３上には、ガリウムとインジウムとを構成元素に含む窒化物系化合物半導体からなる反応源供給層４が形成されている。領域Ｂにおける金属化合物領域２は、領域Ａにおける金属化合物領域２よりも厚く形成され、領域ＢにおけるＡｌＮ層３は、領域ＡにおけるＡｌＮ層３よりも薄く形成されている。 （もっと読む）

【課題】（１−１００）および（１１−２０）面が成長主面であり、所望量のＢおよびＡｌを含む窒化物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体の製造方法の特徴は、キャリアガスの選択にある。（１−１００）または（１１−２０）面を成長主面とした場合にＢが結晶中に取り込まれにくい原因は、キャリアガス中の水素によりＢがエッチングされやすいためであると考えられるので、キャリアガスとして不活性ガスおよび水素の混合ガスを使用し、キャリアガス中の水素の割合を制限することによって、水素によるＢのエッチングを抑制することができる。その結果、所望量のＢおよびＡｌを窒化物半導体に取り込むことができる。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性と光学特性とを有する発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光装置は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上面側に載置された発光素子と、前記発光素子が載置される領域以外の前記上面側から底面側に窪んだ第１の凹状開口部と、前記第１の凹状開口部内に収容された保護素子と、を有する発光装置であって、前記第１の凹状開口部は、前記発光素子からの光を反射することが可能な光反射性部材にて封止されており、前記光反射性部材および前記発光素子は、前記発光素子からの光を透過することが可能な透光性部材にて被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を含むＧａＮ系半導体発光素子における動作電圧の低減。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子（１０）は、複数のＧａＮ系半導体層が積層されてなる積層体Ｌを有し、積層体Ｌには、第１のｎ型層（２）と、発光層（３）と、ｐ型層（４）と、第２のｎ型層（５）とがこの順に含まれている。ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。
一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。
一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】３端子型の電子デバイスは、制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極の間であって絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた能動層２０を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色のばらつきが生じにくい発光装置、およびそれに用いられる白色変換シートを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、紫外ＬＥＤチップを有する複数個の紫外ＬＥＤ光源と、上記複数個の紫外ＬＥＤ光源に対して設けられ、かつ上記紫外ＬＥＤチップに対して、上記紫外ＬＥＤチップから放射される紫外光を可視光に変換し得る間隙をおいて配置され、上記紫外光を互いに異なる波長の可視光に変換する複数種の蛍光体を含有し、上記複数種の蛍光体からの発光の混色により実質的に白色光を得ることが可能な樹脂層を有する白色変換シートとを備えることを特徴とする発光装置を提供することにより、上記目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】反射体金属が発光ダイオードにおいて移行するのを防止するための構造を開示する。
【解決手段】印加電流下で再結合および光子を発生させるためのそれぞれｐ型およびｎ型の半導体エピタキシャル層、所望の方向における光出力を増加させるためのエピタキシャル層のうちの少なくとも１つの近傍にある反射金属層、反射金属層上にあるチタンタングステンの第一層、第一チタンタングステン層上にある窒化チタンタングステンの層、そして第一チタンタングステン層の反対側にある窒化タングステンチタン層上にチタンタングステンの第二層を含む。 （もっと読む）