【課題】高輝度の発光素子に対応して、耐光性、耐熱性が良好な封止部材を用いて、光取出し効率を良好にした発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子に駆動電流を印加して発光させる構成の発光装置において、発光素子を封止する封止部材が透光性を有し、前記発光素子により近接して配置される内側の層と内側の層よりも外側に配置される外側の層が内側から外側に屈折率を低く、内側の層のガラス転移点が外側の層のガラス転移点より低い材料とする発光装置。 （もっと読む）

微傾斜ＩＶ族基板上にエピタキシャル蒸着させたＩＩＩ／Ｖ化合物を有する電子及び光電子デバイス並びにその製造方法。このデバイスは、Ｇｅ基板上にＡｌＡｓ核形成層を含む。ＩＶ族基板は、Ａｓ含有層のエピタキシャル成長時にＡｌＡｓ核形成層によって特性の変化が最小限に抑えられるｐ−ｎ接合を含む。ＡｌＡｓ核形成層は、デバイスの改善された形態を提供するとともに、Ａｓ及び／又はＰの拡散によりＩＶ族基板の表面近く、並びにＩＶ族元素の拡散を最小限に抑えることによりＩＩＩ／Ｖ構造の底部近くのｐ−ｎ接合の位置を制御する手段を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、活性層から基板側への発光光を有効利用して、良好な発光効率を有する発光ダイオードおよびその発光ダイオードを具備したフォトカプラを提供することである。
【解決手段】本発明の発光ダイオード１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１直上に、ｎ型ＧａＡｓ層２とｐ型ＧａＡｓ層３とが、この順に積層され、活性層となるｐｎ接合部が形成され、Ｓｉドープにより、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１のキャリア濃度は、０．５×１０^１７〜１．５×１０^１７ｃｍ^−３の範囲となっている。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）

【課題】 耐光性及び量産性に優れた表面実装型発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子１０と、発光素子１０が載置される回路基板２０と、回路基板２０に形成され、発光素子１０からの光を反射させる壁部５０と、発光素子１０が被覆される透光性封止部材７０と、を有する表面実装型発光装置である。壁部５０は熱硬化性樹脂により成形されており、壁部５０は回路基板２０に密着しており、壁部５０はトランスファーモールドにより成形されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯ成長で形成される半導体光素子の効率を向上させる。
【解決手段】半導体基板１１上に少なくとも一層はＥＬＯで成長が行われる半導体薄層１２〜１４が積層形成されるが、その際用いられるＥＬＯ成長マスク材層１５の内部あるいは下部に光を反射する金属ミラー層を配置できる。この金属ミラー層が、半導体薄層１２〜１４から発生する光を反射して光を素子前面に放射するため発光効率が向上する。入射光が金属ミラー層で反射して再び吸収されるから、受光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い光反射率でエレクトロマイグレーションの大きい材料、特にＡｌを電極に用いる課題に対し、それを改善し得る優れた発光素子が得られるものである。
【解決手段】第１及び第２導電型半導体層１１，１３上にそれぞれ第１及び第２電極２０，３０を同一面側に配置された半導体発光素子であって、前記電極形成面内において、前記第１電極は、第１基点部２３と該第１基点部から延びる第１延伸部２４とを備え、前記第１延伸部の延伸方向側に、第２電極３０の互いに分離された複数の外部接続部３１が、該延伸方向に並置されている （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、光取り出し効率を向上させることができ、大掛かりな装置を必要とせずに低コストで作製することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光素子本体２０からの光は、針状結晶配列体２１に入射し、針状結晶配列体２１を透過して、外部に放射される。針状結晶配列体２１は、液相法によって結晶成長させて形成される。発光素子本体２０のうち光取り出し面が形成される部分の屈折率よりも屈折率が小さく形成され、針状結晶体２２は、光取り出し面に垂直な方向に配向して形成される。複数の針状結晶体２２は、回折格子として機能し、臨界角度以上の角度で前記針状結晶配列体２１と、針状結晶配列体２１から光が放射される側の媒体との界面に入射する光の、＋１次または−１次の回折光を出射することができる。 （もっと読む）

【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

【課題】光学部材の位置精度を向上させて、発光装置の光学特性を向上させること。
【解決手段】基体１と、基体１に搭載された発光素子２と、発光素子２の上方に配置されており、基体１に接した突起３ａを有する光学部材３と、基体１と光学部材３との間に設けられ、発光素子２を覆う透光性部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とし、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】発光効率を低下させることなく解像度を上げた発光素子アレイを提供する。
【解決手段】各発光部サイリスタの発光島１４上に２個の給電点（アノード電極）１６，１８を、主走査方向に発光重心が等間隔に並ぶように配置した。各発光島上の左側の給電点１６は、信号ライン８ａに接続され、右側の給電点１８は、信号ライン８ｂに接続されている。以上のような構成によって、主走方向の分離能２４００ｄｐｉを、１２００ｄｐｉピッチの発光領域上に２点の給電点を設けることによって実現できた。 （もっと読む）

【課題】素子封止樹脂層の切削屑の固着を十分に抑制することができ、信頼性、歩留り、光の取り出し効率の低下を防止し得る発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ２が上面に搭載されて樹脂層３により封止された状態の基板１上の全面に親水化処理を施す第１の工程と、親水化処理後に樹脂層の表面および基板に洗浄水を流しながらＬＥＤチップを避けた位置で樹脂層および基板をダイシング・ブレードにより切断する第２の工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】発光光度のバラツキが少なく、安定して高い輝度が得られる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びそのエピタキシャルウェハを用いた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ｐ型のＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、及びｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次形成すると共に、組成界面４とｐｎ界面５との距離Ｘを０．３μｍ以上かつ１．０μｍ以下として発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１０とし、その両面に電極を形成して発光ダイオードとする。 （もっと読む）

【課題】 観測方向により配光分布又は色度分布に差を有する装飾性の高い発光装置を得ることを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る発光装置は、透光性樹脂により覆われた発光素子を有する発光装置において、前記透光性樹脂は、該透光性樹脂とは材質が異なり、かつ、発光素子より大きい拡散物を前記透光性樹脂内に複数有する。発光素子より大きい拡散物を透光性樹脂内に有することで、観測方向と発光素子との同一直線状に発光素子より大きい拡散物が光学的暗部になる。このような拡散物を複数有することにより発光装置において光学的暗部を複数実現可能となり、観測方向における配光分布に差を設けることが実現可能となる。 （もっと読む）

シリコンナノドットを利用した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。本発明の半導体発光素子は、光を発散する発光層、発光層に形成された正孔注入層、正孔注入層と対向するように発光層に形成された電子注入層、電子注入層に形成された金属ナノドットを含む金属層、及び金属層に形成された透明伝導性電極を備える。発光層として、シリコンナノドットを含む非晶質のシリコンナイトライドを含む。
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【課題】オプトエレクトロニクス及び自動車用のエレクトロニクスにおいて使用される光放射デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの活性層を含み、エピタキシャルに析出された多重層と、該多重層の裏側の上に形成された第１の金属コンタクト層と、ヘテロ基板の表側の上に形成された第２の金属コンタクト層と、第１の金属コンタクト層と第２の金属コンタクト層との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層とを備え、ヘテロ基板はシリコンへテロ基板である。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れた発光素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜１６に形成された第１の凹部又は開口部１６ａと、第１の凹部又は開口部１６ａの周囲に位置する絶縁膜１６上、並びに第１の凹部又は開口部１６ａ内に位置し、第１の凹部又は開口部１６ａと共に第２の凹部１７ａを形成する第１の電極１７と、第１の電極１７上に形成され、第２の凹部１７ａと共に第３の凹部１８ａを形成する第１導電型の半導体層１８と、第１導電型の半導体層１８上に形成され、第３の凹部１８ａと共に第４の凹部１９ａを形成する発光層１９と、発光層１９上に形成され、第４の凹部１９ａと共に第５の凹部２０ａを形成する第２導電型の半導体層２０と、第５の凹部２０ａの底面及び側面を構成する第２導電型の半導体層２０上に形成された第２の電極２１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性であり、接着性に優れ、さらに高い耐熱性を有するダイボンディング用樹脂ペーストを用いて発光素子を固定することで得られる、高信頼性の光半導体装置を提供する。
【解決手段】電極が形成された基板の上面に接着剤層を介して発光素子チップが固定され、該発光素子チップが封止されてなる光半導体装置において、接着剤層は、８５℃×８５％ＲＨ×７２時間の条件で処理し、さらに２６０℃でリフロー処理後において、フレームとの接着強度が１ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であり、熱伝導度が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上かつ電気抵抗率が７×１０^−６Ω・ｃｍ以下である光半導体装置。 （もっと読む）