第１主表面と、第１主表面に対向した第２主表面とを有する、高熱伝導性の基板を含むディンプル基板およびその製造方法。活性エピタキシャル層が、基板の第１主表面の上に形成される。ディンプルが、第２主表面から基板中を第１主表面に向かって延びるように形成される。低抵抗材料からなる電気コンタクトが、第２主表面の上とディンプルの中に形成される。低抵抗で低損失のバックコンタクトがこのように、基板を効果的なヒートシンクとして維持しながら形成される。
（もっと読む）

【課題】シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にｐｎ接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。
【解決手段】一方の面に導電薄膜２が設けられたｐ型シリコン基板１と、上記ｐ型シリコン基板２の他方の面にｐｎ接合されたｎ型酸化亜鉛薄膜３と、上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３の他方の面に形成された第１の光透過性導電薄膜４とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記ｐ型シリコン基板１の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記ｐ型シリコン基板１と上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３をｐｎ接合させたことを特徴とする酸化亜鉛光デバイス。 （もっと読む）

【課題】Ａｌに富んだＡｌＧａＮ膜をクラックなしでＧａＮ／サファイアテンプレート系上に成長させ得るようにする。
【解決手段】Ａｌ₂Ｏ₃基板１２上にその基板１２と接触するようＧａＮテンプレート層１４を形成し、このテンプレート層１４上にそのテンプレート層１４と接触するようＧａＮ／ＡｌＮ超格子層１６を形成する。超格子層１６は、例えば各０．７ｎｍ厚のＡｌＮ層及びＧａＮ層を交互に形成した構造とし、歪緩衝機能を持たせる。ＬＥＤにするなら例えば超格子層１６の上方に少なくとも２５％のＡｌ分を含むＩｎＡｌＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）へテロ構造２４を形成する。歪緩衝機能を有する超格子層１６があるためその上の各層における欠陥の発生が抑えられ、Ａｌに富んだ膜を形成でき、遠ＵＶ発光型ＬＥＤを含め光学系又は非光学系用途に適した半導体構造が得られる。 （もっと読む）

電気または電子光学デバイス（100）は、第1の組成を有する第1の層（110）を含む。第1の組成は、電気的に接続された複数の粒子を含む。第2の層（130）は第2の組成を有し、第2の組成は電気的に接続された複数の粒子を含む。第1の層および第2の層の間に、複合層（120）が配置される。複合層は、第3の組成および第4の組成が相互に貫通し合う網目構造であり、第3の組成は、第4の組成と異なるものである。電気的に相互接続された第1の網目構造は、複合層（120）の厚み全体にわたって、第1の層（110）中の第1の組成から第3の組成まで延伸し、かつ電気的に相互接続された第2の網目構造が、複合層の厚み全体にわたって、第2の層（130）中の第2の組成から第4の組成まで延伸する。

（もっと読む）

単結晶シリコンおよび単結晶非シリコン材料と、デバイスとをモノリシックに集積化するための方法および構造が提供される。ある構造では、半導体構造は、シリコン基板と、シリコン基板を覆って配置された第１の単結晶半導体層とを含み、第１の単結晶半導体層は、緩和シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有する。半導体構造は、第１の領域内の第１の単結晶半導体層を覆って配置された絶縁層と、第１の領域内の絶縁層を覆って配置された単結晶シリコン層と、第２の領域内の第１の単結晶半導体層の少なくとも一部を覆って配置され、第１の領域には存在しない第２の単結晶半導体層とをさらに含む。第２の単結晶半導体層は、緩和シリコンの格子定数とは異なる格子定数を有する。
（もっと読む）

【課題】ヘテロ構造を形成する方法、ならびによりよい表面粗さ特性および／または埋込み境界面粗さ特性を有する、対応する半導体ヘテロ構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１の面内格子パラメータａ_１を有する基板を提供するステップと、第２の面内格子パラメータａ_２を有するバッファ層を設けるステップと、このバッファ層の上に上部層を設けるステップとを含む、半導体ヘテロ構造を形成する方法に関する。半導体へテロ構造の表面粗さを改善するために、バッファ層と上部層の間に追加層が設けられ、この追加層は、第１および第２の格子パラメータの間である第３の面内格子パラメータａ_３を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のヘテロ接合を有する積層部を形成して半導体素子を形成しても、ｐ形ドーピングを確保しつつ駆動電圧の上昇を引き起こさず、しかも結晶性を良好にして素子特性の優れた酸化亜鉛系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】 Ａ面｛１１−２０｝またはＭ面｛１０−１０｝が−ｃ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなる基板１の主面上に、ＺｎＯ系化合物半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造を提供する。
【解決手段】基材３１を提供し、基材３１に対し表面過熱掃除を実行するステップ４１と
、第一の温度の下で基材３１の上に低温窒化ガリウム緩衝層３２’を形成するステップ４
２と、温度を昇温し、第一の窒化ガリウム緩衝層の表面に結晶核を形成させることによっ
て高温窒化ガリウム緩衝層３２”を形成するステップ４３と、温度を降下し、第二の温度
の下で高温窒化ガリウム緩衝層３２”の上に第二の窒化インジウム・ガリウム緩衝層３３
を形成するステップ４４と、温度を昇温し、第三の温度の下で第二の窒化インジウム・ガ
リウム緩衝層３３の上に窒化ガリウム結晶エピタキシー層３４を形成するステップ４５と
からなる。 （もっと読む）

【課題】より高品質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、ＡｌＩｎＮからなるバッファ層１２０をＭＯＣＶＤ装置を用いて、常圧のもとで基板温度が８５０℃〜９５０℃の範囲となるように制御しつつ形成し、該バッファ層１２０上にＧａＮやＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物を高温でエピタキシャル成長する。これによりＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系半導体層を有するＬＥＤチップを発光装置に適用するにあたって、樹脂封止時に生じる酸化亜鉛系半導体層の劣化を抑制する。
【解決手段】ＬＥＤランプ１０等の発光装置は、発光層等として酸化亜鉛系半導体層を有するＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１から放射された光により励起されて可視光を発光する蛍光体２４とを具備する。ＬＥＤチップ１１は実質的にアミン類、カルボン酸類およびオキシム類を放出しないシリコーン樹脂２３で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く、高輝度で発光する紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 ホウ素が高濃度でドープされたダイヤモンドからなるホウ素ドープダイヤモンド層１の一方の面上に、長軸が一方向に配向した複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ層２を形成する。そして、このカーボンナノチューブ層２上に電極３を形成すると共に、ホウ素ドープダイヤモンド層１の他方の面上の一部に電極４を形成して紫外線発光素子１０とする。 （もっと読む）

【課題】 ナノＳｉの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に、シリコン基板１０から分離して設けられ、このシリコン基板１０と同一の結晶軸を持つナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２と、シリコン基板１０のナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２が設けられた一表面側に形成される透明電極１５と、このシリコン基板１０の他表面側に形成される金属電極１６とを備えた。
（もっと読む）

インジェクションエミッタ（発光ダイオード、スーパールミネッセントエミッタ）は、発光ダイオードが設けられた白色光エミッタを用いる一般的照明を始めとする、広い波長範囲及び広い応用分野に高効率固体放射線源の形で用いられる。また、本発明は、複数の出力ビームの形で放射線を生成するとともに、その外面を介して放射線を発光する新規の独自かつ効率的な方法により特徴付けられる、強力な高効率かつ信頼性の高いインジェクション面発光レーザに関する。
（もっと読む）

【課題】 ゴミや埃が付着し難い封止部材を持つ発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 凹部を有するパッケージ２０に発光素子１０を載置し、パッケージ２０の凹部内にシリコーン組成物５０をポッティングして発光素子１０を第１のシリコーン組成物５０で被覆し、第１のシリコーン組成物５０よりも硬化時の硬度が高い第２のシリコーン組成物６０をインクジェット方式により吐出して第１のシリコーン組成物５０を被覆した後、第２のシリコーン組成物６０を硬化する発光装置１００の製造方法。 （もっと読む）

集積発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。例示的な一実施形態では、この方法は、エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるｐｎ接合を基板に生物学的に形成する工程を含む。別の例示的な実施形態では、発光ダイオードの製造方法を提供する。この方法は、ｐｎ接合材料に対して親和力を有する生物学的材料を基板に堆積する工程と、堆積した生物学的材料を第１のｐｎ接合材料に露出してｐｎ接合のドープ領域を形成する工程とを含む。さらに別の例示的な実施形態では、発光ダイオードを提供する。この発光ダイオードは、基板と、この基板に生物学的に形成し配置したｐｎ接合とを含み、このｐｎ接合にエネルギーを印加すると所定の色の光を発するものである。
（もっと読む）

【課題】隣接する第一及び第二の有機半導体ポリマー層のヘテロ接合を形成する方法を提供する。
【解決手段】初めに第一の有機半導体ポリマーの層１２を基板１０上に形成する。次に、その上に膜形成材料の溶液を堆積する。第一の有機半導体ポリマー１２は、この溶液に対して不溶なので、影響を受けることがない。乾燥することにより、厚さ２０ｎｍを有する仮膜１４が形成される。次に、有機溶媒に溶解された第二の有機半導体ポリマーの溶液１６を前記仮膜１４上に堆積し、乾燥させる。前記仮膜１４の厚みは、前記第二の有機半導体ポリマーの溶液１６が乾燥される時間の間に、厚み分を浸透するように設定される。これによって、前記第一の有機半導体ポリマーの層１２に損傷を与えることなく前記仮膜１４は分解され、前記第二の有機半導体ポリマーの層１９は前記第一有機半導体ポリマーの層１２上に接するように形成される。 （もっと読む）

ｐ型不純物がド−プされ且つ十分な導電性を有するｐ型シリコン基板１を用意する。基板１の上にｎ型ＡｌＩｎＧａＮから成るバッファ領域３、ｎ型ＧａＮから成るｎ型窒化物半導体層１３、活性層１４、及びｐ型ＧａＮから成るｐ型窒化物半導体層１５を順次にエピタキシャル成長させる。ｐ型シリコン基板１とｎ型ＡｌＧａＩｎＮから成るｎ型バッファ領域３とのヘテロ接合における界面準位によってシリコン基板１のキャリアのｎ型バッファ領域３への輸送効率を高め、発光ダイオ−ドの駆動電圧を低くする。
（もっと読む）

【課題】 分散電流を具え発光面積利用率を高めた発光ダイオードの提供。
【解決手段】 基板、基板上方に位置し第１部分と第２部分を具えた第１半導体構造、第１半導体構造の第１部分の上に位置する発光構造、第１半導体構造の第２部分の上に位置し第１形状を具えた第１コンタクト構造、発光構造上方に位置する第２半導体構造、第２半導体構造の上に位置し複数の切断部分を具えて一部の第２半導体構造を露出させ、第２形状を具えた透明コンタクト電極、透明コンタクト電極の切断部分の上方に位置し且つ第２半導体構造に接触し並びに第３形状を具えた第２コンタクト構造を具え、これにより第２コンタクト構造の第３形状と第２形状を具えた透明コンタクト電極、及び第１形状を具えた第１コンタクト構造の相互組合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト構造に至る複数の電流経路が相互に近い経路距離を有するものとされた。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム砒素からなる基板の裏面からの砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】 ガリウム砒素からなる基板を収容するための基板収納載置凹部１６を設けたスライダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、上記スライダ１２の基板収納載置凹部１６の底面に、基板１の底面を下方から部分的に支持する基板ホルダ部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】気温が変化したり点灯後に時間の経過に伴ってＬＥＤが発熱したりした場合に、表示される像の色調が変化して色ズレが少ない画像表示装置を提供する。
【解決手段】赤色の画素として、ＩｎＡｌＧａ系ＬＥＤの代わりに発光素子と、発光素子が発する光を吸収して赤色に発光する高特性の蛍光体（波長変換材料）を組み合わせて構成した赤色画素用素子を用いることで、赤色、青色、緑色の３色の画素の発光強度の温度依存性を揃えることができ、色調の変動の少なく色ズレが小さい画像表示装置を提供する。 （もっと読む）