【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体材料を用いて形成された発光層の発光効率を向上させることができ、狭い帯域の発光スペクトルを得ることが可能となる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】異なるＩＶ族半導体材料からなる、井戸領域と該井戸領域に隣接するバリア領域とを備えたポテンシャル閉じ込め構造の発光層を有する発光素子であって、
前記発光層における前記井戸領域から、該井戸領域と前記バリア領域との界面を越えた該バリア領域の一部に亙る連続した領域が、微結晶によって形成され、
前記バリア領域における前記微結晶によって形成されている領域以外の領域が、アモルファスまたは多結晶領域によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 例えばレーザ発光を極めて効果的に抑制し、インコヒーレントな発光を得ることが可能な半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、
第一の半導体結晶層１１と、第二の半導体結晶層１６とを含み、
前記第二の半導体結晶層１６は、前記第一の半導体結晶層１１の片面側の一部を覆うように形成されており、
前記第一の半導体結晶層１１は、前記第二の半導体結晶層１６で覆われている部分１１Ａが、前記第二の半導体結晶層１６で覆われていない部分１１Ｂよりも結晶欠陥の面密度が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を比較的低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＳｉＯ_２層１３を形成し、層１３を部分的に除去してサファイア基板の露出部を形成し、露出部を持つサファイア基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積し、層１３上の非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、サファイア基板の露出部上に非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成し、核のサイズ増大、合体、結晶成長、層１３上への横方向結晶成長、平坦表面形成などを経て、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層２０を形成し、サファイア基板１０の露出部上の窒化ガリウム系化合物半導体層を除去して分離溝２５を形成する。サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層２０は他の基板に移設される。 （もっと読む）

【課題】結晶性および平坦性に優れた半導体層を備えた光半導体素子を提供することにある
【解決手段】遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。この上に半導体層４，５を形成することにより、高い結晶性と平坦性とを兼ね備えた半導体層４，５を成長させることができる。よって、発光素子として用いた場合には発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素とした高効率な発光素子及び高効率な導波路の構造およびその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】本発明による発光素子は、電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くすし、薄膜部周囲に高屈折率材を配置することで実現できる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード発光装置の平面構造を提供する。
【解決手段】発光ダイオード発光装置の平面構造は、透明可撓性キャリアテープ上に互いに電気的に絶縁する第一透明パターン、及び、第二透明パターンを設置し、複数の発光ダイオードと第一透明パターンが電気的に接続する。透明可撓性キャリアテープの両面を利用するか、或いは、逐次、透明可撓性キャリアテープの両面に、第一透明パターン、及び、第二透明パターンを印刷し、多層の撓性平面発光装置を得る。これにより、平面構造が得られ、各種ディスプレイ装飾と照明に応用できる。 （もっと読む）

【課題】基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体からなる各層を備えるＧａＮ系半導体発光素子１において、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層１２が順に積層され、最上層に金属からなる第１の接合層１４を有する積層体１０Ａと、導電性基板３１上に形成されているとともに、その導電性基板３１が形成されている側とは反対側の面が第１の接合層１４と接合しその第１の接合層１４とは実質的に同一物質からなりかつ接合面直方向の結晶方位が互いに同一である第２の接合層３３と、を有するものである。 （もっと読む）

下部に下部電極層の形成された基板と、基板上に形成されて発光層にキャリアを供給する下部ドーピング層と、下部ドーピング層上に形成され、シリコン半導体層にシリコン量子点やナノドットを有して発光特性を示す発光層と、発光層上に形成され、発光層にキャリアを供給する上部ドーピング層と、上部ドーピング層上に形成された上部電極層とを備え、さらに上部電極層上に形成された表面パターンや、上部電極層及び上部ドーピング層をパターニングして設けられた上部電極パターン及び上部ドーピングパターンや、表面パターン、上部電極パターン及び上部ドーピングパターンを表面構造物として利用し、幾何光学的に発光層から放出される光の放出効率を向上させるシリコン発光素子である。
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【課題】ナノコラムを複数有して成る半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく複数の波長域で同時に発光させるとともに、高い発光効率を実現する。
【解決手段】基板１上にナノコラム１０を成長させるにあたって、通常よりも低い温度によって、非晶質で四角錘状のＧａＮ２ａを成長させる（ａ）。そして、通常の成長温度まで上昇させる際に、通常よりも長い時間を掛けることで、ＧａＮ２ａを多結晶化し、高さのばらつきの大きい核形成層２を形成する（ｂ）。その上に、通常通りの手法でナノコラム１０を形成する。これによって、発光層５（特に量子井戸）の膜厚や組成もばらつき、各ナノコラム１０に異なる波長を割当てることができ、蛍光体を用いることなく複数の波長域で同時に発光させることができる。また、前記構造上に一様に電極７，８を形成する（ｆ）ことで、同時に均一に電流を注入でき、高い発光効率を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を実現する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に発光層を形成するに際しその両方の間に新バッファ層を導入し、これにより発光層を限りなく単結晶に近づけることにより高効率の青色又は赤色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】バッファ層としてＩＩ−ＶＩ、ＩＩＩ−Ｖ、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ、ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の少なくとも二種類の異なった化合物半導体からなる超格子構造を用いることにより、発光層に近づくにつれて徐々に単結晶化させ、ガラス基板上に高効率な青色又は赤色発光ダイオードを成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）、ｎ型ドーピング層、およびｐ型基板構造を備える、高効率のシリコンベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）について開示する。シリコンベースのＬＥＤは、ｐ型メサ基板構造を有する基板、基板上に形成された活性層であって、第１面および第１面に対向する第２面を有する活性層、活性層の第１面に対向する第１反射層、ｐ型基板構造のいずれかの面に位置付けられ、活性層の第２面に対向する第２反射層、活性層と第１反射層との間に挟まれたｎ型ドーピング層、ｎ型ドーピング層に電気的に接続された第１電極、およびｐ型基板構造に電気的に接続された第２電極を備える。
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色光源装置が提供される。装置は、フォトニック結晶構造の欠陥により規定される活性領域に対応する光源を含み、フォトニック結晶構造は周期的な構造に基づく。装置は、導波路、第１の電極及び第２の電極を更に含む。第１の電極と第２の電極との間の電気特性を変更することにより活性領域の放射発生を誘導し、放射は、導波路に少なくとも部分的に結合され且つ導波路により導かれる。
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【課題】シリコン基板上に形成された良質のＧａＮ層を含む窒化物系半導体素子及びその製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたＧａＮ層を含む。 （もっと読む）

【課題】 窒化物エピタキシャル層構造とその製造方法の提供。
【解決手段】 基材とされる基板と、該基材の上に堆積され高温窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）を材料とする第１中間層と、第１中間層の上に堆積され再結晶窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）を材料とする第２中間層と、該第２中間層の上に堆積され窒化物エピタキシャル層材料で形成された窒化物エピタキシャル層と、を具え、低温窒化アルミニウムガリウムインジウムの欠陥密度過多の問題を改善してその装置特性を改善する。 （もっと読む）

導電性または高抵抗の単結晶基板の表面上に、順次、ｎ形の化合物半導体からなるｎ形下部クラッド層と、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ形発光層と、該発光層上に設けたｐ形のリン化硼素系半導体からなるｐ形上部クラッド層とから構成される異種接合構造の発光部を備え、該ｐ形上部クラッド層に接触させてｐ形のオーミック電極とが形成されてなるリン化硼素系半導体発光素子であって、ｐ形上部クラッド層が、該ｎ形発光層との中間に設けた、リン化硼素系半導体から成る非晶質層を介して設けられていることを特徴とする。このリン化硼素系半導体発光素子は、順方向電圧或いは閾値が低く、耐逆方向電圧に優れる。
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