【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板１０と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層２０と、その主面の少なくとも一部上に配置されたＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、ＩＩＩ族窒化物層３０ａの主面と、中間層２０の主面の一部および支持基板１０の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第１の複合基板１を準備する工程と、第１の複合基板１の中間層２０の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第２の複合基板２を得る工程と、第２の複合基板２の支持基板１０の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第３の複合基板３を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層に残存する転位の数を少なくする。
【解決手段】第２エピタキシャル層２００は、第１エピタキシャル層１００上にエピタキシャル成長している。第１エピタキシャル層１００は、エピタキシャル成長層１１０及び欠陥層１２０を有している。欠陥層１２０は、エピタキシャル成長層１１０の上、かつ、第１エピタキシャル層１００の表層に位置している。欠陥層１２０の欠陥密度は、５×１０^１７ｃｍ^−２以上である。欠陥層１２０を突き抜けた欠陥は、第２エピタキシャル層２００の内部でループを形成している。 （もっと読む）

【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】高温ＮＨ₃雰囲気下においても耐久性が高い透明かつ導電性の中間膜を有し、半導体デバイスの製造に好適に用いられる複合基板およびその製造方法、ならびにかかる複合基板を用いた半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板１は、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０と、多結晶ＩＩＩ族窒化物支持基板１０上に配置された中間ＧａＮ系膜３０と、中間ＧａＮ系膜３０上に配置された単結晶ＧａＮ系層２１と、を含む。本半導体デバイス２は、複合基板１と、複合基板１の単結晶ＧａＮ系層２１上に配置された少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】特性が高いＧａＮ系半導体デバイスを歩留まりよく製造することができるＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体デバイス５の製造方法は、イオン注入分離法を用いて、ＧａＮの熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の熱膨張係数を有する支持基板１０と、支持基板１０に貼り合わされたＧａＮ層２１と、を含む複合基板１を準備する工程と、複合基板１のＧａＮ層２１上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０を成長させる工程と、複合基板１の支持基板１０を溶解することにより除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。
【解決手段】ダイオードの製造方法は、エピタキシャル層の表面にキャップ層を形成するキャップ層形成工程（Ｓ３）と、キャップ層が形成されている状態でドーパントを活性化させるアニール工程（Ｓ４）と、キャップ層を除去するキャップ層除去工程（Ｓ５）と、エッチング技術を利用してエピタキシャル層の表面を洗浄する洗浄工程（Ｓ６）と、エピタキシャル層の表面に第２エピタキシャル層を結晶成長させる工程と（Ｓ７）と、エピタキシャル層の表面に形成されている第２エピタキシャル層を研磨する研磨工程（Ｓ８）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有するｎ−ｄｏｗｎ型の半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイス５は、支持基板６０と、支持基板６０上に配置された導電層５０と、導電層５０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体層２００のうち導電層５０に隣接する導電層隣接ＩＩＩ族窒化物半導体層２００ｃは、ｎ型導電性を有し、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下であり、酸素濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されずに中間層外に透過する率を低減する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と光透過抑制構造層２７とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交流電源を直接使用し、高発光率を実現させることを可能にする発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されている交流駆動回路ユニットは、第一ダイオード３０１、第二ダイオード３０２、第三ダイオード３０３、第四ダイオード３０を有している。第一ダイオード３０１および第四ダイオード３０４は直列に接続され、第一支流を構成する。第二ダイオード３０２および第三ダイオード３０３は直列に接続され、第二支流を構成する。第一支流および第二支流は並列に接続され、交流を直流に変換させるブリッジ式整流回路を構成し、発光区１０１に直列に接続されている。交流電源に接続された場合、一方の支流を経由して、発光区１０１にあるＬＥＤに給電され、発光する。電流の向きが逆になった場合、他方の支流を経由して電流が流れるため、ＬＥＤユニットは常時発光することとなり、ＬＥＤユニットの利用効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の熱劣化が少なく、光混合性がよく、色むらが少なく、さらに発光強度が強い白色発光ダイオード、それに用いられる発光ダイオード用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子が形成可能な単結晶層と、単一金属酸化物及び複合金属酸化物から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなり、酸化物相のうち少なくとも１つは蛍光を発する金属元素酸化物を含有する光変換用セラミックス複合体層とが直接接合され、前記単結晶層の厚みが０．１００ｍｍ〜０．０００５ｍｍであることを特徴とする発光ダイオード用基板である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板などの支持基板上に窒化物半導体膜を形成し、その窒化物半導体膜上にエピタキシャル層を形成した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、ＧａＮ基板に設けられたイオン注入層を境として上記ＧａＮ基板から剥離されたＧａＮ薄膜であって、上記ＧａＮ薄膜は（０００−１）窒素面側を上記支持基板側に有し、（０００１）Ｇａ面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。 （もっと読む）

【課題】電気的に隔離された発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードは、半導体基板５１と、基板上にあるｎ型ＩＩＩ群窒化物のエピタキシャル層５２と、ｎ型エピタキシャル層上にあり当該ｎ型層と共にｐ−ｎ接合部を形成する、ＩＩＩ群窒化物のｐ型エピタキシャル層５３と、ｎ型エピタキシャル層上にありｐ型エピタキシャル層に隣接し、ｐ−ｎ接合部５８の一部を電気的に隔離する抵抗性窒化ガリウム領域５４とを含む。ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。フォトレジスト・マスク又は十分に厚い金属層を、打ち込みマスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 （もっと読む）

【課題】光抽出が向上したＬＥＤを提供する。
【解決手段】関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。ＬＥＤ（１０）は、さらに光抽出を向上させるために、粗面処理された放射側面（２５）を備えてもよい。 （もっと読む）