【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップＣは、基板８０上に列状に配置された複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８と、それぞれの発光サイリスタＬの光を出射する発光面３１１に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタＬが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタＬに発光のための電流が供給される配線のφＩ端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ９０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光源と、この光源からの出射光に励起されて光源の発光色と異なる色相の光を放出できる蛍光体板とを組み合わせたＬＥＤ発光装置において、点光源に近い微小面積の面光源を作りだす。同時にイエローリングを解消する。また、レンズ等の光学系による効率の良い出射光のコントロールを可能にする。
【解決手段】回路基板８０上にフリップチップ実装されたＬＥＤ素子１０の発光面上に、蛍光体板２０を積層し、さらに拡散板３０を透明接着剤にて積層して接着し、ＬＥＤ素子１０の側面と蛍光体板及び拡散板の側面を反射性の白色部材４０で充填封止する。それにより、点光源に近い微小面積の面光源を得ることができる。同時にイエローリングを解消することができる。さらに、レンズ等の光学系を付加する場合には、レンズに対して一定の範囲内に照射できるので効率の良い出射光のコントロールが可能なＬＥＤ発光装置１００を得られる。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ及びライトユニットを提供すること。
【解決手段】一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層、前記活性層上の第２導電型半導体層を有する発光構造物と、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された第２電極層とを備え、前記発光構造物の表面は互いに異なる方向の曲率を有する複数個の第１面と第２面が互いに交代に配置される。 （もっと読む）

【課題】同じ側に端子を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第１端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第２端子部を、積層方向に切断する第２切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極とを有する発光層と、前記第１主面上に設けられ、透光性を有する透光層と、前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の側面を覆う封止層と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減でき、より均一に発光できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面Ｍ１と第１主面とは反対側の第２主面Ｍ２とを有する半導体積層体１０と、第２主面上に設けられた第１電極１４及び第２電極１５と、を有する。透光部は、第１主面上に設けられる。波長変換部は、透光部の第２主面とは反対側の第３主面Ｍ３と、透光部の側面Ｍ４と、を覆う。第１、第２導電部は、第２主面上に設けられ第１、第２電極にそれぞれ電気的に接続される。封止部は、第１、第２導電部の側面を覆う。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置の製造方法では、基板と、基板に隣接する第１の面と、第１の面とは反対側の第２の面と、発光層とをそれぞれ有する複数の積層体と、第２の面に形成されたｐ側電極及びｎ側電極と、ｐ側電極及びｎ側電極の上に形成され、ｐ側電極に通じる第１の開口と、ｎ側電極に通じる第２の開口とを有する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第１の開口を通じてｐ側電極と接続されたｐ側金属配線層と、ｐ側金属配線層に対して離間して絶縁膜上に設けられ、第２の開口を通じてｎ側電極と接続されたｎ側金属配線層と、を含むウェーハ状態の積層構造における第１の面側に蛍光体を含有する層を形成する。 （もっと読む）

【課題】上面と底面を有する基板と，基板の上面上に少なくとも１つの光活性層を備えた固体光源を提供する。
【解決手段】上面，底面，光活性層及び光活性層上の放出面のうちの少なくとも１つは，高さ（ｈ）を規定する高隆起部及び低隆起部を有する複数の傾斜した表面外観形状を有するパターン面からなり，複数の傾斜した表面外観形状は，最小横寸法を（ｒ）を規定する。複数の傾斜した表面外観形状は，３〜８５度の表面傾斜角を有する少なくとも１つの表面部を備える。パターン面の表面粗さは，１０ｎｍ ｒｍｓ未満であり，ｈ／ｒは，０．０５より大きい。 （もっと読む）

【課題】複数のＬＥＤチップの位置精度を高めることができ且つ各ＬＥＤチップの交換が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤチップ１への給電用の導体パターン２３，２３が一表面側に形成された基板２と、基板２との間に各ＬＥＤチップ１を保持した透光性基台３とを備える。透光性基台３は、各ＬＥＤチップ１それぞれの錐体１１が各別に挿入され各錐体１１を位置決めする複数の六角錘状の位置決め凹所３１が基板２に対向する上記一表面に形成されている。また、基板２が透光性基台３に着脱自在であり、且つ、各導体パターン２３，２３上に固着されたバンプ３０，３０がＬＥＤチップ１のアノード電極１７およびカソード電極１８それぞれに圧接されており、各ＬＥＤチップ１が交換可能となっている。位置決め凹所３１は、三角錘状の形状としてもよい。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０は、ｐ形窒化物半導体層１６に接合されｐ形窒化物半導体層１６よりも平面サイズが大きなｎ形ＺｎＯ基板１１を備え、複数の島状のカソード電極１８がｎ形窒化物半導体層１４に対してオーミック接触となるように形成されるとともに、アノード電極１７がｎ形ＺｎＯ基板１１におけるｐ形窒化物半導体層１６側でｎ形ＺｎＯ基板１１に対してオーミック接触となるように形成され、ｎ形ＺｎＯ基板１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されている。実装基板２０は、ＬＥＤチップ１０から実装基板２０側に放射された光をＬＥＤチップ１０側へ反射する反射膜２５が形成されている。ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型且つ低コストで配光制御が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１は、ｎ形ＺｎＯ結晶からなる六角錘状の透明錐体２の正六角形状の下面２１の中心と当該下面２１の外周線の一部の両端とで囲まれる複数の仮想領域それぞれに、１つの島状のＬＥＤ薄膜部３が形成されるとともに、透明錐体２の下面２１側に、各ＬＥＤ薄膜部３を各別に発光可能とするカソード電極５とアノード電極４との対が形成され、実装基板６は、絶縁性基材６１に、ＬＥＤチップ１のカソード電極５とアノード電極４との対ごとに給電するための導体パターン６５，６４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】モード分散による波形劣化が抑制可能な面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられ、発光層を有する積層体と、前記積層体の主面の外周部と前記発光層の側面とを少なくとも覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に隣接する前記積層体の主面の一部と前記絶縁膜の表面の一部とを覆うように設けられ、発光窓部となる開口部を有する電極と、前記開口部に設けられ、大きさが前記発光窓部の大きさよりも小さく且つ前記発光層からの放出光を集光可能なレンズ部を有する光学部材と、を備えたことを特徴とする面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールが提供される。 （もっと読む）

半導体発光装置34は、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置される発光層を含む半導体発光装置を含む。前記発光層は第１ピーク波長を有する第１光を発するように適合される。第１波長変換材料38は、前記第１光を吸収し、第２ピーク波長を有する第２光を発するように適合される。第２波長変換材料36は、前記第１光又は前記第２光を吸収し、第３ピーク波長を有する第３光を発するように適合される。フィルタ40は、第４ピーク波長を有する第４光を反射する。前記第４光は、前記第２光の一部又は前記第３光の一部である。当該フィルタは、前記第４波長より長い又は短いピーク波長を有する光を透過させるように適合される。当該フィルタは、前記第１、第２、及び第３光の少なくとも一部の経路における前記発光装置にわたり配置される。
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【課題】発光効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０は、透明導電性基体１１の一面側に、ｐ形窒化物半導体層１６と発光層１５とｎ形窒化物半導体層１４との積層構造を有するＬＥＤ部１２と、ｎ形窒化物半導体層１４に電気的に接続されたカソード電極１８と、ｐ形窒化物半導体層１６の側方に配置され透明導電性基体１１を介してｐ形窒化物半導体層１６に電気的に接続されたアノード電極１７とを有し、ｎ形窒化物半導体層１４における発光層１５側とは反対側への光取り出しも可能となるようにカソード電極１７がｎ形窒化物半導体層１４よりも小さな平面サイズに形成され、透明導電性基体１１よりもＬＥＤ部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されてなり、実装基板２０は、ＬＥＤチップ１０の実装面におけるＬＥＤチップ１０の投影領域が粗面化されている。 （もっと読む）

半導体発光ダイオード１、ＬＥＤは、光の生成のために活性領域４の両端に電圧を印加するための第１及び第２電極４０、１１と、光放射面６と、複数のフォトニック結晶１０１、１０２とを有する更に、第１及び第２タイプの少なくとも２つのフォトニック結晶１０１、１０２は、前記活性領域４から光を抽出するよう適合させられ、少なくとも１つの格子定数に関して互いに異なる。前記少なくとも２つのフォトニック結晶１０１、１０２の各々は、各々の遠方場パターンと関連し、前記複数のフォトニック結晶１０１、１０２の配列は、前記少なくとも２つのフォトニック結晶１０１、１０２を配設するよう設けられる。このようにして、前記少なくとも２つのフォトニック結晶１０１、１０２の各々と関連する前記各々の遠方場パターンを組み合わせることによって、遠方場パターンが作成される。
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窒化ガリウム（ＧａＮ）系発光素子であって、第１の表面と、第２の表面とを含み、第１の表面および第２の表面は、厚さ１００マイクロメートル未満、好ましくは、２０マイクロメートル未満だけ分離されている、素子。第１の表面は、粗面化またはテクスチャード加工され得る。銀または銀合金は、第２の表面上に堆積され得る。素子の第２の表面は、永久基板に接合され得る。一実施形態において、ＩＩＩ族窒化物系発光素子は、光を放射する活性領域と、該発光素子の該活性領域と１つ以上の光抽出表面または反射表面との間の１層以上の厚さのＩＩＩ族窒化物であって、該抽出表面における光の強度は、該活性領域における光の強度と比較して、５％よりも大きく減衰されず、減衰は、該ＩＩＩ族窒化物による光の吸収によるものである、ＩＩＩ族窒化物とを含む。
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【課題】光取り出し面からの光取り出し効率を向上させる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光機能がある発光領域３４、及び発光した光を取り出す光取り出し面３０ａを有する発光機能積層体３０と、光取り出し面３０ａ上に配置されている上方向に凸形状のレンズ４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】可視スペクトル（例えば、青色および紫色）の範囲内の比較的高い周波数で放射し、かつ、蛍光体と共に使用される発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、能動部分と、該能動部分の上面上および該能動部分の該上面の周囲における隆起縁と、該縁と該能動部分の該上面とによって画定された空間における樹脂と、該樹脂内の蛍光粒子であって、該蛍光粒子は、該能動部分によって放射された周波数を変換する、蛍光粒子とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】光の取出率を改善するために半導体発光素子の面に形成されたフレネルレンズ及びホログラフィックディフューザの一方又は両方を含む発光デバイス、このような発光デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の面に形成された光学エレメントは、反射損失及び全反射による損失を低減して、光の取出効率を改善する。フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。フレネルレンズ等の形成は、表面に削り加工等を行ってもできる。スタンピング工程を用いても、半導体発光素子の面にフレネルレンズやホログラフィックディフューザを形成できる。スタンピングは、所望の光学エレメントを逆にした形状及びパターンスタンピングブロックを発光ダイオードの面に対してプレスする工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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