【課題】遠紫外線（deep ultraviolet）を用いて、白色光を効率的に生成する。
【解決手段】光生成デバイスは、１６０から２９０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長の光を放射する発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）と、該発光デバイス（１０１〜１０９、１１１〜１２０、１３１〜１３９、１１、５２、６３、７５）の近傍に置かれた、白色光を放射する蛍光体材料（１２、１３、５４、６６、７６、７７）を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップから出射される光を効率よく正面側に反射させて明るい輝度を得ることができると共に、樹脂成形体からの出っ張りを無くして非常に小形化することができる、サイドビュー型の半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 板状体から形成され、先端部に椀状の凹部１ａが設けられる第１のリード１と、第２のリード２とが並設され、第１のリード１の先端部の一部が板状体の面と平行に変位して第１の実装面１ｂとされ、第２のリード２の先端部も板状体の面と平行に変位して第２の実装面２ｂとされている。凹部１ａ内には、ＬＥＤチップ３がマウントされ、その２つの電極は第１および第２のリード１、２と接続手段４により電気的に接続されている。そして、第１および第２の実装面１ｂ、２ｂ並びにリードの切断面を除いて全面が樹脂成形体５により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、フリップチップ型発光ダイオードに供給する電流を多くすることができるような構造にした発光ダイオード組立構造およびその製造方法並びに組立体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、一対の支持リード線が、絶縁部材内に埋設されて、フリップチップ型発光ダイオード支持体となる。前記支持リード線は、フリップチップ型発光ダイオードの電極との間に共晶ハンダが付けられ、加熱されて接続される。前記一対の支持リード線の他方の端部は、導電性熱硬化性接着剤を介して電源電極にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

本発明は、着色光、特に黄色、琥珀色及び赤色の光を発生させるための照明システムであって、放射線源と、該放射線源によって発される光の一部を吸収して、該吸収された光の波長と異なる波長の光を発することができる少なくとも１つの燐光体を含む蛍光物質とを含み、前記少なくとも１つの燐光体は、一般式がＥＡ_２−ｚＳｉ_５−ａＡｌ_ａＮ_８−ａＯ_ａ：Ｅｕ_ｚのユーロピウム（ＩＩ）活性化オキソニトリドアルミノシリケートであり、ここで、０＜ａ≦２、及び０＜ｚ≦０．２であり、且つ、ＥＡは、カルシウム、バリウム及びストロンチウムの群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属である、照明システムに関する。本発明は、黄色、琥珀色及び赤色の光を発生させる、一般式がＥＡ_２−ｚＳｉ_５−ａＡｌ_ａＮ_８−ａＯ_ａ：Ｅｕ_ｚであり、０＜ａ≦２、及び０＜ｚ≦０．２であり、且つ、ＥＡは、カルシウム、バリウム及びストロンチウムの群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属である、ユーロピウム（ＩＩ）活性化オキソニトリドアルミノシリケートにも関する。
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式（Ｉ）、Ｓｒ_１−ｘ３Ｇａ_ｘ３Ｇａ_２Ｓ_４：Ｅｕ：ｘＧａ_２Ｓ_３（式中、ｘは０〜約０．２（又は約０．０００１〜約０．２）であり、ｘ３は０．０００１〜１である）を有する、ユーロピウム成分の微小量が、効率を高めるのに有効な量のプラセオジムで置換されている蛍光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ素子と封止樹脂との界面での応力の発生を防止することにより、ＬＥＤ素子の不点灯及び光度低下を回避する。
【解決手段】 発光装置１は、フリップチップ型のＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２の電極と後述する導電層とを電気的に接続する金属バンプ３と、エポキシ樹脂等の光透過性材料から成る封止樹脂４と、断面形状が逆台形の凹部５になるように形成されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から成る略立体形状のケース６と、ＬＥＤ素子２の半田バンプ２形成面を実装されるセラミックス基板６Ａと、ＬＥＤ素子２の熱膨張係数と略同じ熱膨張係数を有する絶縁性被膜７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

式(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Euを有する蛍光体組成物、及び半導体光源及び上記蛍光体を含む発光デバイス。(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Eu及び1種以上の追加の蛍光体の混合物、及びそれを組み込んでいる発光デバイスも開示される。好ましい混合物は、(Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu及び(Sr,Mg,Ca,Ba,Zn)₂P₂O₇:Eu,Mn;(Ca,Sr,Ba,Mg)₅(PO₄)₃(Cl,F,OH):Eu,Mn;(Sr,Ba,Ca)MgAl₁₀O₁₇:Eu,Mn;及びMg₄FGeO₆:Mn⁴⁺の少なくとも1種;及び一般式(Y,Gd,La,Lu,T,Pr,Sm)₃(Al,Ga,In)₅O₁₂:Ceを有する1種以上のガーネット蛍光体を含む。
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本発明は、半導体ナノ結晶をドーピングされたマトリックスを提供する。特定の実施形態において、この半導体ナノ結晶は、特定波長の光を吸収または放射するようなサイズおよび組成を有する。これらのナノ結晶は、ポリマー類を含む種々のマトリックス物質との混合を可能にする配位子を具備することができるので、最小部分の光がこれらのマトリックスにより散乱される。本発明のマトリックスは、屈折率に適合する用途にも利用されうる。他の実施形態では、半導体ナノ結晶は、マトリックス内に埋め込まれてナノ結晶密度勾配を形成し、それにより有効な屈折率勾配を作る。本発明のマトリックスは、フィルタおよび光学装置上の非反射的コーティングとして、および周波数逓降層としても使える。本発明は、半導体ナノ結晶を含むマトリックスを製造するプロセスも提供する。 （もっと読む）

優れた光特性を有する白色LED装置の製造方法が提供される。この方法は、室温で主剤及び硬化剤を混合して、液状エポキシ樹脂調製し、70℃〜1000℃の温度において、1.3〜40.0hPa（１〜30トール）の圧力で、液状エポキシ樹脂を半硬化し、室温で半硬化した液状エポキシ樹脂に、燐光物質を添加し、混合して、燐光物質を有する母剤樹脂を製造し、LEDチップを含む被モールディング部材に、母剤樹脂を供給し、120℃以上の温度において、周囲圧で、母剤樹脂を完全に硬化する。
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【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ（半導体発光装置）２は、ｐ−ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層１４、ｎ−ＧａＮ層１６からなる多層エピタキシャル構造６を有している。ｐ−ＧａＮ層１６にはｐ側電極１８が、ｎ−ＧａＮ層１６にはｎ側電極２０が形成されている。ｐ側電極１８側にあって、多層エピタキシャル構造６を支持すると共に、前記発光層１４からの熱を伝導するＡｕメッキ層４が設けられている。Ａｕメッキ層４は、ポリイミド部材１０を介して、電気的に２分割されている。分割された一方のＡｕメッキ層４Ａは、ｐ側電極１８と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のＡｕメッキ層４Ｋは、配線２２を介して接続されカソード給電端子として構成されている。 （もっと読む）

【課題】表面全体が均一に発光するＬＥＤを提供する。
【解決手段】
ＬＥＤチップ１と、透明の被覆体２と、接続ピン３とからなる表面全体が均一に発光するＬＥＤであり、透明の被覆体２の上部には凹陥部２１が設けられている。凹陥部２１の光学拡散特性を利用することによりＬＥＤの光線を屈折し、被覆体２の表面全体から均一に光線を放射させることができ、構造が簡単で、容易に製作でき、生産コストも安く、装飾効果も優れ、各種の灯具に幅広く応用できる。また、装飾効果を高めるために、被覆体２を有色材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）