【課題】リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んだり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んだりすることを防止することが可能な、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームを提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム１０は、枠体１３と、枠体１３内に設けられ、各々がＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含む多数のパッケージ領域１４とを備えている。枠体１３の外周のうち、反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入するランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が設けられている。傾斜面７０により、反射樹脂２３の成形時に、枠体１３外周に樹脂材料２３ｃが回り込んだり、リードフレーム１０と下金型８２との間の隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んだりすることを防止する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率の低下を抑制しつつも、配線の狭ピッチ化に対応することができる基板、発光装置及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１は、複数の外部接続用の電極１１と放熱板１２を有する第１リードフレーム１０と、発光素子搭載用の第１配線２１及び第２配線２２を有し、第１リードフレーム１０上に積層された第２リードフレーム２０と、第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間に充填された樹脂層３０と、を有している。放熱板１２の上方に第１配線２１が配置され、電極１１と第２配線２２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】金型や成形品との剥離性に優れ、しかも、金型の形状が設計寸法通りに成形品へ転写される型形状転写性に優れるとともに、成形品の表面にゲル状粘着物が残ることなく成形品の表面平滑性が得られ、さらには、耐熱性をも備える離型用フィルムを提供する。
【解決手段】融点が１４０℃以上のフッ素含有ポリマーからなり、動的粘弾性での１４０℃における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下である離型用フィルム。なお、フッ素含有ポリマーは、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン・ビニリデンフロライド共重合体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】 密着性、硬度、耐熱性・耐光性に優れた硬化性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ１）不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物の少なくとも１種、ならびに、（ａ２）オキセタニル基を含む不飽和化合物の少なくとも１種を共重合して得られる共重合体（Ａ）と蛍光体（Ｘ）を含む、硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】耐水性に優れた蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ゾル−ゲル法により蛍光体表面にシリカ被覆層を形成する被覆工程、を含む蛍光体の製造方法であって、前記シリカ被覆層はケイ素原子にフェニル基が２個以上結合した構造を有する有機ケイ素化合物を用いて形成されることを特徴とする、蛍光体の製造方法により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】第１の発光体７，２２と、該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発する第２の発光体８，２３とを備え、該第２の発光体として、第１の蛍光体と第２の蛍光体とを備える発光装置であって、該発光装置の発光スペクトルの色度座標がＣＩＥ座標のｘは０．２８５以下、ｙは０．３００以下であり、該第１の蛍光体として、質量メジアン径Ｄ_５０が８μｍ以上２５μｍ以下のβ型サイアロン蛍光体を備え、該第２の蛍光体として、質量メジアン径Ｄ_５０が８μｍ以上１５μｍ以下であり、かつ、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体を備え、該第１の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０が、該第２の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０と等しい、あるいは、該第２の蛍光体の質量メジアン径Ｄ_５０よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】紫外光領域（２５０〜４００ｎｍ）の光を吸収する光学フィルタ、色変換フィルタの提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される色素。
（もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】
蛍光体及びその製造方法、それを用いる発光装置が提供される。
【解決手段】
前記蛍光体の組成式はＩ_ｉ−Ｍ_ｍ−Ａ_ａ−Ｂ_ｂ−Ｏ_ｔ−Ｎ_ｎ：Ｚ_ｒであり、ここで、Ｉは、Ｌｉ、Ｎａ、及びＫを含む群から選択され、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｅ及びＺｎを含む群から選択され、ＡはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＬｕを含む群から選択され、ＢはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆを含む群から選択され、ＺはＥｕ及びＣｅを含む群から選択され；ｍ＋ｒ＝１、０＜ｉ＜０.２５、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜２、１.１５＜ｂ／ａ＜１.４、０≦ｔ≦０.７、２.１≦ｎ≦４.４、及び０.００１≦ｒ≦０.０９５である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とｐ型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとＧａ源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Ｍｇ源を含むドーパントガスを間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記ｐ型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０において、ｐ側電極体１６０は、電極層２００と、絶縁体層２１０と、反射層２２０と、を備える。絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。反射層２２０は、絶縁体層２１０上に形成され、発光層１３０から放出される出射光を反射するＡｌＣｕによって構成される。 （もっと読む）

【課題】新規組成の緑色系蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式［１］で表される組成を有する
ことを特徴とする蛍光体。
（Ａ_１−ｙ，Ｅｕ_ｙ）Ｄ_６−ｘＥ_ｘＮ_８−ｘＯ_１＋ｘ ・・・ ［１］
（但し、前記式［１］において、
Ａは、Ｂａを必須とするアルカリ土類金属元素を表し、
Ｄは、Ｓｉを必須とする４価の金属元素を表し、
Ｅは、Ａｌを必須とする３価の金属元素を表す。
また、ｘ、およびｙは、以下の式を満たす数を表す。
１＜ｘ≦３
０．０００１≦ｙ≦０．１５） （もっと読む）

【課題】 多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１と、該光半導体素子１を設置するためのリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記リードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有する光半導体装置であって、前記リードフレーム２、２は、前記封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域４を有している。 （もっと読む）

【課題】製造工程でのＬＥＤチップの熱劣化を防止すると共に、放熱性を向上させた発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１は、一対のリード線２，３と、ＬＥＤチップ４と、ＬＥＤチップ４を気密に封止するガラスバルブ５とを備える。ガラスバルブ５は、上端部が両リード線２，３に固着されたガラス製内筒５１と、ＬＥＤチップ４を覆うガラス製外筒５２とを備え、ガラス製内筒５１とガラス製外筒５２の各下端部を融着して構成される。一方のリード線２の上端部に、熱伝導率の大きい材料からなるマウント部材６が電気的に接続され、このマウント部材６にＬＥＤチップ４が固着される。ＬＥＤチップ４は、マウント部材６を介して一方のリード線２と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子を用い、使用環境の温度によって発光特性が変動することが無く、また半導体発光素子の発光層の温度上昇を抑える工夫も不要な、車両用標識灯を提供する。
【解決手段】 ３８０〜４２０ｎｍの光を発する半導体発光素子と、該半導体発光素子が発する光を励起光としてアンバー色光を発する蛍光体とから構成される発光モジュール６を有することを特徴とし、蛍光体としては、下記一般式で表されるものが好ましい。
Ｍｅ_xＳｉ_12-(m+n)Ａｌ_(m+n)Ｏ_nＮ_16-n:Ｅｕ²⁺_y
（式中、ＭｅはＬｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ又はＬａとＣｅとＥｕを除くランタニド金属の１種以上であり、ｘ、ｙ、ｍおよびｎは、それぞれ正の数である。） （もっと読む）

【課題】発光領域を構成する半導体積層構造と、その上に形成される透明導電膜との密着性を改善し、これらの接触抵抗を低減することができる発光デバイスを得る。
【解決手段】発光デバイスにおいて、サファイア基板１１上に形成され、発光デバイスの半導体積層構造を形成するｐ型ＧａＮ層１６を、その炭素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜３０％となり、また、その酸素含有比率が該ｐ型ＧａＮ層表面に含まれる全体の元素の含有率に対して１０〜２５％となるように形成し、該ｐ型ＧａＮ層１６上にＩＴＯ膜１７を形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）