【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線を発生する紫外線光源から発せられる紫外線により蛍光体を励起して可視光を発光する発光装置において、紫外線による劣化が少なく、長期間にわたって安定して発光が可能であり、かつ紫外線の外部への漏れを抑制した発光装置を提供する。
【解決手段】紫外線を発生する紫外線光源と、紫外線光源からの出射光を受けて蛍光を発光する蛍光部材とを具備し、蛍光部材は、シリコーン系樹脂中に少なくとも１種類の蛍光体を分散したものの成型体であり、蛍光部材の光出射面に対向するように紫外線吸収層を設けたことを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率又は受光効率が高く、かつ安価に製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなり、接合部材が光半導体チップの外側に光反射面を有するように形成された光半導体素子の製造方法であって、接合部材を上記基材上に塗布することと、光半導体チップを、溶融した接合部材が光半導体チップの側面の外側にはみ出すように押圧して光半導体チップの外側に光反射面を形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的幅広いブロードな発光スペクトルを有し、色ずれの少ないアンバー色の発光装置を提供する。
【解決手段】紫外から青色の発光素子と、その発光素子が発光する光によって励起されてその励起光より長波長域の第１の光を発光する第１の蛍光体と発光素子が発光する光によって励起されて第１の光よりさらに長波長域の第２の光を発光する窒化物蛍光体からなる第２の蛍光体とを含み、第１の光と第２の光の混色による発光色を有する発光装置であって、窒化物蛍光体は、Ｂを１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下の割合で含む。 （もっと読む）

【課題】ガスや水分によるＬＥＤチップまたはリードの劣化を防ぐことが可能な液状硬化性樹脂組成物、発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部７０と、凹部６１ａの内側に設けられ、導体部７０と電気的に接続される発光素子６４と、発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて発光素子６４を封止する封止樹脂６５とを含む発光装置６０を採用する。 （もっと読む）

【課題】所望の明るさで発光させることができ、実装面積の小さい発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】発光ダイオード装置は、アノード端子とカソード端子とを有する発光ダイオードチップと、カソード端子に接続される第１端子と、発光ダイオードチップを発光させるための電源電圧が印加される第２端子と、アノード端子に接続される第３端子とを有し、第１端子に対する第２端子の電圧が所定電圧となると、発光ダイオードチップを発光させるための駆動電流を第３端子から出力する駆動集積回路とを備え、発光ダイオードチップと駆動集積回路とは一体となるよう透光性樹脂で封止されてなること。 （もっと読む）

【課題】 輝度が高く演色性の高い発光素子、及び、その発光素子を光源とする画像表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】 波長変換材料としての蛍光体と、可視光を発光する半導体発光素子とを含む発光素子であって、該蛍光体が、酸化物、酸窒化物、窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種以上の蛍光体であって、且つ、半導体発光素子からの可視光により励起される際の室温においての発光効率が３５％以上の２種類以上の蛍光体の混合物を使用し、この混合物が、第１の蛍光体と、第１の蛍光体からの発光を吸収し得る第１の蛍光体とは異なる第２の蛍光体を含有し、第１の蛍光体を蛍光体の混合物に対して重量百分率で８５％以上含有させた発光素子。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を含有した透光性樹脂材を充填した基体に、振動を与えることなく、蛍光体を透光性樹脂材の底部付近に略均一な厚さの層状に配置することで、色度のばらつきを抑えつつ、信頼性の低下を抑止することが可能な発光装置の製造方法および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、パッケージ３に設けられた凹部３１に発光素子２が搭載され、この凹部３１に蛍光体５１を含有した透光性樹脂材５２を充填して樹脂封止部５が形成されている、この透光性樹脂材５２を凹部３１に充填したときに、パッケージ３の底面３１１を加熱する。そして、パッケージ３の周囲側面３４を冷却する。そうすることで、凹部３１内に充填された透光性樹脂材に対流が発生するので、傾斜面Ｓに付着した蛍光体５１を沈降させることができる。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】（１）固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、
（ｉ）ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．５ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク、及び、
（ii）ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が１．０ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピーク
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、
（２）ケイ素含有率が２０重量％以上であり、
（３）シラノール含有率が０．１重量％以上、１０重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の劣化を低コストで抑制することが可能な色変換部材およびこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】蛍光体シート１０Ａは、バリアフィルム１３Ａ，１３Ｂ間に、赤色蛍光体１２ａを含む赤色変換層１２と、緑色蛍光体１１ａを含む緑色変換層１１とからなる２層構造を封止したものである。赤色変換層１２と緑色変換層１１との間にはバリアフィルム１３Ｃが設けられている。赤色変換層１２では、バリアフィルム１３Ａ側からの水蒸気等の侵入がバリアフィルム１３Ａ，１３Ｃの２枚のフィルムにより抑制される。緑色変換層１１では、バリアフィルム１３Ｂ側からの水蒸気等の侵入がバリアフィルム１３Ｂ，１３Ｃの２枚のフィルムにより抑制される。 （もっと読む）

オキシオルトシリケート発光体を有する発光物質を用いる発光装置を開示する。発光装置は、紫外光又は可視光線領域の光を発生させる発光ダイオードと、発光ダイオードの周囲に配置され、発光ダイオードから放出された光の少なくとも一部を吸収し、吸収光とは異なる波長の光を放出する発光物質とを含む。発光物質は、アルカリ土類金属オキシオルトシリケートと稀土類金属オキシオルトシリケートとの間の混合相形態の固溶体が発光を起こすＥｕ^２＋活性に対する格子ベースとして用いられるＥｕ^２＋―ドーピングケイ酸塩発光体を有する。発光物質は、発光ダイオードから放出される紫外光放射又は青色光などのより高いエネルギーの一次放射を長波長の可視放射に変換するための放射変換体として用いられ、その結果、望ましくは有色又は白色の光を放出する発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】より高輝度で、長時間の使用環境下においても発光光度及び発光光率の低下や色ずれの極めて少ない発光装置を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造をとると共に、発光層が窒化ガリウム系半導体から成り、４２０〜４９０ｎｍの範囲に発光スペクトルのピークを有するＬＥＤチップと、
ＬＥＤチップを覆う第１の透光性部材と、第１の透光性部材とは別に、ＬＥＤチップと第１の透光性部材とを保護するように設けられた第２の透光性部材と、を有する発光装置において、第２の透光性部材は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍから選択された少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素とを含み、セリウムで付活されたガーネット系蛍光体を含み、ＬＥＤチップから出てガーネット系蛍光体に吸収されずに通過した光の発光スペクトルと、ガーネット系蛍光体から出た光の発光スペクトルとが互いに重なり合い、両発光スペクトルの混合により白色系の光を発光する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光における輝度強さの阻害がなく、また、電光盤に用いた場合でも、電光面における輝度の一様さや光模様の鮮明さが欠けたりすることの生じさせない蓄光型ＬＥＤ発光体、そして、蓄光部が蓄えた光エネルギーを十分に活用できる蓄光型ＬＥＤ発光体とその用途、すなわち、この蓄光型ＬＥＤ発光体を一部に用いるＬＥＤ発光体利用の電光盤を提供する。
【解決手段】本発明にかかる蓄光型ＬＥＤ発光体は、ＬＥＤ発光体の端子側の位置に蓄光部を備えていることを特徴とし、本発明にかかる非常用表示兼用の電光盤は、点状に密に配置されているＬＥＤ発光体のうちの全部または一部が上記本発明の蓄光型ＬＥＤ発光体からなり、停電時、これらの蓄光型ＬＥＤ発光体が蓄えていた光エネルギーにより残発光がなされるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

ヒドロシリル化硬化性組成物は高及び低粘度ポリオルガノシロキサン、シリコーン樹脂、架橋剤、並びに触媒の組み合わせを含有する。組成物、及びその硬化物は電荷結合素子（ＣＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光導体、光学カメラ、フォトカプラー、及び導波管のような光学デバイスにおいて有用である。光学デバイスの製造プロセスはオーバーモールドを含む各種成形技術を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でありながら発光ダイオードチップが発生する光を拡散させることができる発光ダイオード装置および発光ダイオード装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード装置チップ２０を透光性の樹脂封止体１３で封止した発光ダイオード装置１を製造する際に、加圧下で不活性ガスを前記樹脂封止体に含浸させ、その後、圧力開放して常圧高温下で不活性ガスを気化させて、樹脂封止体１３中に複数の気泡４０を生成することで、簡単な構造でありながら発光ダイオードチップ２０が発生する光を拡散させることができる。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供する。
【解決手段】サファイアからなる基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法において、基板１０１の（０００１）Ｃ面上にマスクを形成してドライエッチングを行い、更にウェットエッチングを行うことにより、前記基板１０１上に前記Ｃ面からなる平面１１と、側面を構成する斜面に結晶面が露出された複数の凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、上面１０上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるバッファ層を積層するバッファ層形成工程と、上面１０上に前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させて、凸部１２をＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 青色又は青紫色発光ダイオードを用い、高輝度でコンパクトな白色発光素子を提供しようとするものである。
【解決手段】 青色又は青紫色の発光ダイオードと、該発光ダイオードの発光を吸収して可視域に発光する１種又は２種類以上の蛍光体とを組み合わせた白色発光素子において、前記発光ダイオードの発光色と前記蛍光体の発光色とが互いに補色の関係になり、図１の色度座標中のＷで示した領域内の発光色度点を有する白色に発光するように、前記蛍光体を選択した白色発光素子である。 （もっと読む）

【課題】銀皮膜の光反射性、及びその耐熱性を向上させる最表面を有する光反射材、および該光反射材を反射部に具備する発光ダイオードデバイスを提供する。
【解決手段】光反射材は銀と白金族金属との合金皮膜を最表面に有する。発光ダイオードデバイスは、少なくとも発光ダイオード素子を載置する台座を有し、この台座は前記発光ダイオード素子を囲む光反射部を具備する。この光反射部は前記光反射材を前記台座の表面に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高発光強度の発光デバイスを提供する。
【解決手段】４６０ｎｍ〜６５０ｎｍ間の波長を有する発光チップ、発光チップを封入する封止材料、及び封止材料に散布され、発光チップから放出された光によって励起されて、７００ｎｍ〜１２００ｎｍ間の波長を有する光を放出し、銅ドープされた硫化カドミウム、銅ドープされたセレン化カドミウム、銅ドープされたテルル化カドミウム、またはその組み合わせからなるグループから選択された蛍光体を有する発光デバイス。 （もっと読む）