【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層とを有する発光素子の製造方法である。この場合、発光層はＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層とからなり、両端の層を障壁層とする多重量子井戸構造である。そして発光層に接するｎ型層がＩｎＧａＮからなり、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。上記凹凸状に加工した基板表面に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を順次形成し、フリップチップ型の発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色ＬＥＤと、青色ＬＥＤの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色ＬＥＤが放つ青色光を吸収して５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式（Ｓｒ_{１−ａ１−ｂ１−ｘ} Ｂａ_ａ１Ｃａ_ｂ１Ｅｕ_ｘ ）_２ ＳｉＯ_４ （０≦ａ１≦０．３、０≦ｂ１≦０．８、０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成された、発光層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有する発光素子を、樹脂で封止するＬＥＤランプの製造方法である。この場合、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。そして発光素子を電極が下になるようにフリップチップ型にマウントし、発光素子をシリコーン樹脂で封止する。 （もっと読む）

【課題】出射光の回折効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】このＬＥＤチップ１０（半導体発光装置）は、半導体発光素子層４と、半導体発光素子層４の光の出射方向（Ｃ２方向）側の表面上に形成された多孔質膜８とを備え、多孔質膜８は、膜の厚み方向（Ｃ１方向）に延びるように形成された複数の細孔８を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた接合性および耐食性を有する電極を備えた半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】基板１０１と、積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面１０６ｃに形成された一方の電極１１１と、積層半導体層２０の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面１０４ｃ上に形成された他方の電極１０８とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８の少なくともいずれか一方が、上面１０９ｃに接合凹部を有する透光性電極１０９と、接合凹部を覆うように形成された接合層１１０と、接合層１１０を覆うように形成され、外周部１２０ｄに外側に向けて膜厚が漸次薄くなる傾斜面１１９ｃが形成されているボンディングパッド電極１２０とを備えている半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、パッケージ化されたＬＥＤに関する。本デバイスは、表面領域、表面領域を覆って形成される一つ以上のＬＥＤデバイス、基板部材から構成される。本発明では、少なくともひとつのＬＥＤデバイスが、基板を含む半極性あるいは非分極性のＧａＮの上に、形成されている。一つ以上のＬＥＤデバイスは、一つ以上の第一の波長で、実質的に偏光された発光で光を放出している。そして、少なくとも一つのＬＥＤデバイスは、電子波動関数と正孔波動関数によって、特徴付けられる量子井戸領域から構成されている。電子波動関数と正孔波動関数は、予め決められている量子井戸領域の空間的な領域で実質的に重なり合っている。本デバイスでは、一つ以上のＬＥＤデバイスを覆って形成される、一つ以上の構成部材は厚みを有している。一つ以上の構成要素は、実質的に偏光された発光と、一つ以上の第二の波長の電磁気放射の発光により励起されている。 （もっと読む）

【課題】接合性および耐食性を向上させた電極を備えた半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されてなる発光層を含む積層半導体層と、前記積層半導体層の上面に形成された一方の電極１１１と、前記積層半導体層の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面上に形成された他方の電極とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１が接合層１１０と接合層１１０を覆うように形成されたボンディングパッド電極１２０とからなり、ボンディングパッド電極１２０の最大厚みが接合層１１０の最大厚みに比べて厚く、かつ、１または２以上の層からなり、接合層１１０およびボンディングパッド電極１２０の外周部１１０ｄ、１２０ｄに外周側に向けて膜厚が漸次薄くなるような傾斜面１１０ｃ、１１７ｃ、１１９ｃが形成されている半導体発光素子を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード装置の中心軸の周りの狭い範囲ではなく、ある程度の角度まで拡がりを持ち、かつその範囲での光の指向性が強い発光ダイオード装置を提供する。
【解決手段】本発明は、発光ダイオード素子２を砲弾形の透明部材４に被覆し、発光ダイオード素子の発光中心と透明部材の半球部の頂点とを結ぶ中心軸Ｃの周りに円錐状凹部５を形成し、円錐状凹部５の最凹部分６にアール部６ａを設け、また円錐状凹部５と透明部材の半球部との境界部分７にアール部７ａを設けてなめらかに連続させた発光ダイオード装置を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出射光の光強度および色調などの指向性が小さく、かつ、光出力が低下しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】この半導体発光装置（ＬＥＤランプ１０）は、半導体発光素子１と、半導体発光素子１の光の出射方向側に配置されたＡｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＰｄの内の少なくとも１つから構成される薄膜状の光拡散部８とを備え、薄膜状の光拡散部８は、複数の島状の光拡散部８を含むとともに、光拡散部８は、半導体発光素子から離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】素子にダメージを与えることなく正確且つ容易に素子分割を行うことが可能な発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード並びにランプを提供する。
【解決手段】ドライフィルムレジスト層４を形成するレジスト形成工程と、複数の化合物半導体層１１及びドライフィルムレジスト層４の上に形成され、内部に分離用レジスト層２２を包含するメッキ層１に仮貼付基板２４を貼り付ける仮貼付工程と、基板２１を剥離し、ドライフィルムレジスト層４の一部を残しながら、該ドライフィルムレジスト層４を除去する除去工程と、メッキ層１を切断する分割工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】通常の方法でパッケージすることができ、そして更に、広範で様々な商業用途でデバイスを有用なものにするほど充分な時間、常温と高温の両方及び高湿度の条件に申し分無く耐える強固なＬＥＤを提供する。
【解決手段】標準パッケージ中において高い信頼性を提供し且つ高温と高湿度の条件に耐える物理的に強固な発光ダイオードを開示する。前記ダイオードは、ｐ型ＩＩＩ族窒化物コンタクト層を有するＩＩＩ族ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型コンタクト層に対するオーミックコンタクト、及び前記オーミックコンタクト上に存在するスパッタ堆積された窒化珪素組成物パッシベーション層を有するダイオードを含む。発光ダイオードを製造する方法及び前記ダイオードを組み込んでいるＬＥＤランプも開示する。 （もっと読む）

【課題】良好な発光出力を保ったまま駆動電圧を低下させた半導体発光素子、ランプ及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４が順次積層されてなり、ｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がそれぞれＩＩＩ族窒化物半導体から構成されてなる半導体発光素子１において、発光層１３は、井戸層１３ｂと膜厚が２０Å以上７０Å未満の障壁層１３ａとが交互に複数積層された多重井戸構造からなり、井戸層１３ｂに複数の薄膜部１３ｃが設けられていることを特徴とする半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の透明シリカ25が添加されたゾルゲルガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材の気泡及びクラックの発生を防止できる発光ダイオードの製造方法を実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ16を透光性を備えたゾルゲルガラスより成るコーティング材22で被覆して成る発光ダイオード10の製造方法であって、金属有機化合物、水、及びメタノール等の溶媒を含有する溶液状態のゾルゲルガラス材料に表面硬化遅延剤を添加し、該ゾルゲルガラス材料でＬＥＤチップ16を被覆した後、ゾルゲルガラス材料を加水分解、重合反応させることにより、ゾルゲルガラスより成るコーティング材22を形成することを特徴とする。表面硬化遅延剤としては高沸点溶剤、又は、有機ポリマーが該当する。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、透光性を有する短繊維25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の白色系無機顔料25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の透明シリカ25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材の気泡及びクラックの発生を防止できる発光ダイオードの製造方法を実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ16を透光性を備えた水ガラスより成るコーティング材22で被覆して成る発光ダイオード10の製造方法であって、珪酸ナトリウムと、溶媒としての水より成る溶液状態の水ガラス材料に表面硬化遅延剤を添加し、該水ガラス材料でＬＥＤチップ16を被覆した後、溶媒である水を蒸発させて固化させることにより、水ガラスより成るコーティング材22を形成することを特徴とする。表面硬化遅延剤としては高沸点溶剤、又は、有機ポリマーが該当する。 （もっと読む）

【課題】発光素子がダイアタッチ層により支持基板に接着・固定され、発光素子上にボンディングワイヤ接合を有する発光装置において、発光素子へのボンディングワイヤの強固な接合を可能とし、かつ長期使用におけるダイアタッチ材の劣化等に起因する発光装置の発光輝度低下が少ないダイアタッチ層を有する発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、支持基板と、電極端子と、発光チップと、前記発光チップを支持基板上に接着・固定するダイアタッチ層と、前記電極端子と前記発光チップを接続するボンディングワイヤと、前記発光チップを封止するように形成された封止層を備えた発光装置であり、前記ダイアタッチ層が球状シリコーン微粒子を含有・分散したポリオルガノシロキサンから構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く内部量子効率に優れ、高い発光出力が得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物系化合物からなるＡｌＮシード層１２が積層され、該ＡｌＮシード層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６の各層が順次積層されてなり、ｐ型半導体層１６の（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が６０ａｒｃｓｅｃ以下であり、且つ（１０‐１０）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である。 （もっと読む）