【課題】耐光性（特に耐紫外線性）及び密着性に優れると共に、十分な耐熱性及び成膜性を有し、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体発光デバイスを封止できる半導体発光デバイス用部材形成液を提供する。
【解決手段】式（１）で表される構成単位を含有するシロキサン化合物を、（Ａ）２官能ケイ素に結合したシラノール基及び／又はアルコキシ基、並びに、（Ｂ）３官能ケイ素に結合したシラノール基及び／又はアルコキシ基を含有し、液体^２９Ｓｉ−ＮＭＲで測定される前記（Ａ）及び前記（Ｂ）の合計含有量が０．２重量％以上５．０重量％以下であり、液体^２９Ｓｉ−ＮＭＲで測定される｛前記（Ｂ）のモル数｝／｛前記（Ａ）及び前記（Ｂ）のモル数の合計｝が１．０％以上３０％以下となるようにする。
（Ｒ^１ＳｉＯ_１．５） （１）
（前記式（１）中、Ｒ^１は不飽和結合を有しない有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】煩瑣で複雑な従来の基板の精密加工技術などを用いることなく製造でき、発光層からの発光が効率的に発光素子の外部に取り出される高輝度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、緩衝層１２と、緩衝層１２上に設けられた第１障壁層と、第１障壁層上に設けられた発光層と、発光層上に設けられた第２障壁層とを備え、緩衝層１２が、基板１１の表面の垂直方向を長軸方向とした略六角柱状の柱状結晶１１２の集合体からなり、且つ、隣接する柱状結晶１１２の側面１２ａ間に間隙１２ｂを有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光を示し、使用時の劣化の少ない蛍光体を安全に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】付活元素Ｍ１、２価の金属元素Ｍ２、及び４価の金属元素Ｍ４を含む窒化物又は酸窒化物蛍光体の製造にあたり、原料として、付活元素Ｍ１及び２価の金属元素Ｍ２を含有する合金と、４価の金属元素Ｍ４の窒化物とを使用し、該原料を窒素元素を含有する雰囲気中で加熱する蛍光体の製造方法。高輝度の発光を示し、使用時の劣化の少ない、蛍光体を安全に効率よく提供することが可能になる。特に、蛍光体製造時の昇温速度を遅くしたり、原料合金の量を少なくしたりする必要がないため、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】大電流密度条件下においても良好な発光効率（外部量子効率）を維持し得る窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は無極性のＡ面に平行な複数の窒化物半導体層を含み、この発光素子は順次積層された１以上のｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層（１１３）と１以上のｐ型窒化物半導体層（１１２、１１１、１１０ａ）と金属層（１０７、１０６）とを含み、活性層は１以上の量子井戸層を含み、金属層（１０７）とこれに最も近い量子井戸層との距離が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にあることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】近紫外発光の半導体発光素子を励起光源として用いた場合に安定して高い発光強度及び輝度が得られるとともに、温度特性にも優れた蛍光体を提供する。
【解決手段】下記式で表わされる蛍光体を提供する。
Ｍ_３−ｘＥ^１_ｘＡ_{１０−ｙ−ｚ}Ｌ_１＋ｙＥ^２_ｚＯ_２０−ｕＮ_ｕ
（Ｍは２価の元素、Ｅ^１は付活元素、Ａは３価の元素、Ｌは４価の元素、Ｅ^２は共付活元素をそれぞれ表し、ｘ、ｙ、ｚ、及びｕは、それぞれ、０＜ｘ≦３、０＜ｙ≦２、０＜ｕ≦２、０≦ｚ、０＜ｙ＋ｚ≦２、及び０＜ｕ＋ｚ≦２を満たす数を表す。） （もっと読む）

【課題】半導体積層構造の結晶性を実質的に維持できる範囲の基板オフ角を有する成長基板上に成長した半導体積層構造を有し、光取り出し効率を向上させる粗面を形成できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持構造体６と発光構造体５とを備える半導体発光素子１において、支持構造体６は、支持基板２０と、支持基板２０の表面上方に設けられる支持基板側接合層２００とを有し、発光構造体５は、支持基板側接合層２００と接合する発光構造側接合層１７０と、発光構造側接合層１７０の支持基板２０の反対側に設けられる反射層１５０と、反射層１５０の発光構造側接合層１７０の反対側に設けられる発光層１３５を含む半導体積層構造１３０とを有し、半導体積層構造１３０は、反射層１５０の反対側の表面に、｛１００｝面から２２．５±５度の範囲で面方位が傾斜している光取り出し面１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションし易い金属を用いた半導体発光素子において、マイグレーションを抑制し、信頼性の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、第１の層の表面の一部の第１の領域において、第２の層が除去されて第１の層が現われている。ｐ側電極が第２の層の表面上に配置され、第２の層に電気的に接続され、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜８ｎｍである。絶縁膜がｐ側電極を覆う。反射膜が、絶縁膜の上に、ｐ側電極と重なるように配置され、銀を含む合金または銀で形成され、ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされている。ｐ側電極、絶縁膜、及び反射膜が、多層反射膜を構成している。 （もっと読む）

【課題】発光素子を封止する第１樹脂と第１樹脂を被覆する第２樹脂との剥離を的確に抑制することのできる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂主剤及び硬化剤を調合して第１調合物を作製する第１調合工程（Ｓ３０）と、蛍光体及びシランカップリング剤を調合して第２調合物を作製する第２調合工程（Ｓ４０）と、第１調合物及び第２調合物を調合して第１樹脂を作製する樹脂作製工程（Ｓ５０）と、第１樹脂によりＬＥＤ素子を封止する封止工程（Ｓ６０，Ｓ７０）と、ＬＥＤ素子を封止した第１樹脂を第２樹脂により被覆する被覆工程（Ｓ８０）と、含み、シランカップリング剤が蛍光体と予め調合されることで、シランカップリング剤の反応性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率を達成しつつ、耐熱性、耐候性に優れた硬化性ポリシロキサン化合物、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＸ_nＹ¹_4-n（前記式中、Ｘは縮合性官能基を表わし、Ｙ¹は１価の有機基を表わし、ｎはＸ基の数を表わす１以上４以下の整数を表わす。）で表わされる化合物（１）、及び／又はそのオリゴマー（２）を、一種類以上重縮合させて得られる硬化性ポリシロキサン化合物であって、前記硬化性ポリシロキサン化合物の、温度が２０℃における波長５８９ｎｍの光の屈折率が、１．４６以上であることを特徴とする、硬化性ポリシロキサン化合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプから出射される光を可及的に外部反射鏡で受けることを可能にすることよって、迷光を防止し、配光設計が容易である照明装置を提供する。
【解決手段】入射光を反射させる凹型の反射面を有する反射鏡と、発光素子と、前記発光素子を内部にモールドするレンズ体とを有し、前記レンズ体は、前記発光素子の発光面に対向してその中央部分が突出した斜面状のレンズ面を備えており、前記反射鏡の反射面と前記発光素子の発光面とは前記レンズ体のレンズ面を介して互いに対向して配置され、前記発光素子から発光される光は前記レンズ面で反射して前記レンズ体の外部へと射出され、前記反射鏡の反射面に対して入射する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を上げ、且つ輝度を均一にすることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光構造と、磁気源構造とを備える。発光構造は、第１ドープ構造層と、第２ドープ構造層と、２つのドープ構造層の間にある活性層と、第１電極と、第２電極とを備え、第１電極および第２電極は、それぞれ第１ドープ構造層および第２ドープ構造層に電気的に結合される。磁気源構造は、発光構造に隣接して、発光構造で磁場を生成する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置するとともに、反応ガス供給手段５０によってチャンバ４１内に窒素原子含有ガス及び不活性ガスを供給し、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体をプラズマによる反応性スパッタ法で形成する方法であり、チャンバ４１内の圧力を圧力モニタ５１によって検知し、該圧力モニタ５１の検知信号Ａに基づき、反応ガス供給手段５０からチャンバ４１内に供給する窒素原子含有ガスの流通量を流量制御手段５２によって制御する。 （もっと読む）

【課題】ランプの汎用性を維持しながら、高い放熱性と発光特性を有するランプ装置とその製造方法を得ること。
【解決手段】砲弾型ランプのごときＬＥＤを取り付けたリードフレームを樹脂でモールド成型したＬＥＤランプにおいて、ＬＥＤを取り付けるＬＥＤ設置部を有する側のリードフレーム（Ａ）と、前記ＬＥＤとワイヤーにて接続する側のリードフレーム（Ｂ）とを有し、前記リードフレーム（Ａ）と（Ｂ）を繋ぐように、絶縁性の熱伝導担体が設置されている。ＬＥＤを載せていない側（Ｂ）も熱的に接続され、放熱経路としての役割に十分に供されるようになる。絶縁性の熱伝導担体はＡｌＮなどの熱伝導性の高い粉末を含有する。 （もっと読む）

【課題】量産に適したリードフレームタイプのＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】一対の第１電極１１２と一対の第２電極１１４とを有するリードフレーム１１０と、前記リードフレーム上に配置されたＬＥＤチップ１２０と、前記リードフレームの一部とＬＥＤチップを封入する封入材１３０とを備える。前記第１電極と前記第２電極は、前記ＬＥＤチップと電気的に接続される。前記第１電極と前記第２電極とは、封入材の外に配置される。封入材は、上面１３０ａ、底面１３０ｂ、第１側面１３０ｃおよび前記第１側面に対向する第２側面１３０ｄを有し、前記第１電極は、前記第１側面から前記底面へ延在し、前記第２電極は、前記第２側面から前記底面に延在する。 （もっと読む）

【課題】発光波長が狭い範囲に存在し、高輝度に発光し、ペレットを成形することなく容易に製造可能な酸化物蛍光体を提供する。
【解決の手段】酸化物蛍光体を、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素と、２族金属から選ばれる少なくとも一種の２族元素と、４族金属から選ばれる少なくとも一種の４族元素とを含有し、少なくともＥｕで付活されるとともに、ペロブスカイト型結晶相を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法において、基板１０１にＣ面からなる平面１１と複数の凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、該基板加工工程の後、上面１０上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる厚さ０．０１〜０．５μｍのバッファ層１０２をスパッタ法により積層するバッファ層形成工程と、次いで、上面１０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によってエピタキシャル成長させて、凸部１２をＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】発光ダイオードランプＣは、ＬＥＤチップ１００と、ＬＥＤチップ１００がボンディングされるリード２００と、ＬＥＤチップ１００をモールドする透光性樹脂３００と、透光性樹脂３００の内部であって、ＬＥＤチップ１００から発せられる光の一部が透過する位置に封入された透光性膜４４０とを具備している。透光性膜４４０については蛍光体５００が混合されたものである。 （もっと読む）

【課題】紫外光を効率よく出力できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１４を含み、少なくとも紫外領域に発光波長を有する半導体層と、前記ｐ型半導体層１４上に設けられた透光性電極１５とを備え、前記透光性電極１５が、結晶化されたＩＺＯ膜を含むものである半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐光性、成膜性、密着性に優れ、クラックや剥離なく半導体デバイスを封止できる半導体デバイス用部材を提供する。
【解決手段】方法（Ｉ）による加熱重量減を５０重量％以下、方法（II）による剥離率を３０％以下とする。
方法（Ｉ）：部材の破砕片１０ｍｇを用いて熱重量・示差熱測定装置により空気２００ｍｌ／分流通下、昇温速度１０℃／分で３５℃から５００℃まで加熱し重量減を測定。
方法（II）：直径９ｍｍ、凹部の深さ１ｍｍの銀メッキ表面銅製カップに形成液を滴下し硬化させ半導体デバイス用部材を得、該部材を温度８５℃湿度８５％で２０時間吸湿させ、吸湿後の該部材を室温より２６０℃まで５０秒で昇温後２６０℃で１０秒間保持し、該部材を室温まで冷却しカップからの剥離の有無を観察する操作を、該部材１０個につき実施し剥離率を求める。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を均一に分散することが可能な、蛍光体含有組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ微粒子、（Ｂ）蛍光体、及び（Ｃ）液状媒体を含有する蛍光体含有組成物の製造方法であって、
前記（Ｂ）蛍光体と前記（Ｃ）液状媒体とを混合、及び分散した後に、前記（Ａ）シリカ微粒子を混合、及び分散する工程を有し、
前記（Ｃ）液状媒体の粘度を、５００ｍＰａ・ｓ以上、２５０００ｍＰａ・ｓ以下とする。 （もっと読む）