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Fターム[5F041DA18]の内容

発光ダイオード (162,814) | パッケージング (50,429) | パッケージ構造、製法 (39,105) | チップの載置先部材 (9,022) | リードフレーム (1,989) | リード端面にチップを載置 (514)

Fターム[5F041DA18]に分類される特許

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【課題】スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】液状Gaとドーパント元素とを混合する混合工程を備えるスパッタターゲットの製造方法とする。前記混合工程は、前記液状Ga中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。また、前記混合工程が、前記液状Ga中に粒子状の前記ドーパンド元素を分散させた後、固化させる工程としてもよい。 (もっと読む)


【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるIII族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ga元素を含有するGaターゲット47aとドーパント元素からなるドーパントターゲット47bとを用い、前記Gaターゲット47aをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット47bをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するIII族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタ法によって基板上に積層するIII族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるIII族窒化物半導体の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたIII族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板11及びターゲットを配置し、基板11上にMgがドープされたIII族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Mgをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、MgドープIII族窒化物半導体からなるp型半導体層16を形成する方法としている。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】基板と、発光層を含む半導体層とを有する発光層を、樹脂で封止したLEDランプにおいて、発光素子は、基板とこれに積層されている半導体層の屈折率が異なり、該基板の半導体層を積層する面に傾斜側面を有する凹凸を形成させ、該傾斜側面の基板面に対する角度θを30°<θ<60°とし、該発光素子を、電極が下になるようにフリップチップ型に樹脂で封止したことを特徴とするLEDランプ。 (もっと読む)


【課題】発する蛍光が赤色成分を多く含み、半値幅の広い新たな蛍光体を提供する。
【解決手段】蛍光体に式[I]で表される結晶相を含有させる。
3-x-y-z+w2z1.5x+y-w2Si6-w1-w2Alw1+w2y+w111-y-w1 [I]
(RはLa、Gd、Lu、Y及び/又はScを示し、MはCe、Eu、Mn、Yb、Pr及び/又はTbを示し、AはBa、Sr、Ca、Mg及び/又はZnを示し、x、y、z、w1及びw2は以下の範囲の数値を示す。
(1/7)≦(3−x−y−z+w2)/6<(1/2)
0<(1.5x+y−w2)/6<(9/2)
0<x<3
0≦y<2
0<z<1
0≦w1≦5
0≦w2≦5
0≦w1+w2≦5) (もっと読む)


他の光が存在しない場合にx、y座標(0.32,0.40)、(0.36,0.48)、(0.43,0.45)、(0.42,0.42)、および(0.36,0.38)によって定義される領域内の光の混合を発生する、紫外線を放射する1つまたは複数の固体発光体と、430nmから480nmまでの範囲内の光を放射する1つまたは複数の他の固体発光体と、555nmから585nmまでの範囲内の光を放射する1つまたは複数の他の固体発光体とを含む照明デバイス。1つまたは複数の他の発光体はルミホールである。1つまたは複数の他の発光体は固体発光体にできる。この照明デバイスは、1または複数の600nmから630nmの発光体をさらに含み、照明デバイスは、黒体軌跡の10個のマクアダム楕円内にある光を放射することができる。また、パッケージ化された固体発光体および照明の方法も提示される。
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【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】基板と、発光層を含む半導体層とを有する発光層を、樹脂で封止したLEDランプにおいて、発光素子は、基板とこれに積層されている半導体層の屈折率が異なり、該基板の半導体層を積層する面に傾斜側面を有する凹凸を形成させ、該傾斜側面の基板面に対する角度θを30°<θ<60°とし、該発光素子をシリコーン樹脂で封止したことを特徴とするLEDランプ。
上記のLEDランプにおいて、発光素子を、電極が下になるようにフリップチップ型に樹脂で封止したことを特徴とするLEDランプ。 (もっと読む)


他の光が存在しない場合にx、y座標(0.32,0.40)、(0.36,0.48)、(0.43,0.45)、(0.42,0.42)、および(0.36,0.38)によって定義される領域内の光の混合を発生する、近紫外線を放射する1つまたは複数の固体発光体および555nmから585nmまでの範囲内の波長を有する光を放射する1つまたは複数のルミホールを含む照明デバイス。照明デバイスは、さらに、1つまたは複数の600nmから630nmの発光体を含み、照明デバイスから放射される光の混合は、黒体軌跡の10個のマクアダム楕円内にあるものとすることができる。また、パッケージ化された固体発光体および照明の方法も提示される。
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伝導性担体基板上の、III族窒化物の少なくともp型およびn型エピタキシャル層から形成される活性構造を含む、発光ダイオードが開示される。伝導性接着系が、活性構造を伝導性担体基板に結合する。第1の透過性オーム接点は、伝導性担体基板に隣接する活性構造上にあり、第2の透過性オーム接点は、伝導性担体基板と反対側の活性構造上にあり、第3のオーム接点は、活性構造と反対側の伝導性担体基板上にある。本発明の発光ダイオードを含む、発光ダイオードランプと、該ランプを含むディスプレイとがまた、開示される。
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【課題】白色LEDが広く用いられるようになっているが、色の赤み成分が不足しているために光が青白く、照らされたものに冷たく無機質といった印象を与えてしまい、店舗やリビングルームといった高い演色性が求められる環境や色味に暖かみが求められる環境において照明として使用することができなかった。
【解決手段】TaとEuを、Ta:Euの原子数比が0.96:0.04〜0.70:0.30となるように混合し、その混合物を1200℃以上、Ta酸化物の溶融温度以下で加熱する。これにより、Taがホスト酸化物、Euが発光源となった赤色蛍光体を簡便に得ることができる。混合物にZnやTiを更に添加することによって、発光特性を向上させることもできる。また、ベース酸化物をTaに替えてTa+Alとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】 発光ダイオードが搭載されたトップ部から他の部分への熱伝逹を促進し、熱抵抗を低下させることができる発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】 第1トップ部及び前記第1トップ部から延長された脚部を有する第1リード;前記第1リードから離隔して配置され、前記第1リードのトップ部に隣接した第2トップ部及び前記第2トップ部から延長された脚部を有する第2リード;前記第1トップ部上に搭載された発光ダイオード;前記発光ダイオードと前記第2トップ部とを連結するボンディングワイヤー;前記発光ダイオード、前記第1及び第2トップ部を取り囲む透明封止材;及び前記封止材に比べて高い熱伝導率を有する絶縁物質で形成され、前記第1トップ部と前記第2トップ部とを熱的に結合する熱結合部材を含む発光ダイオードランプを構成する。 (もっと読む)


【課題】窒化物系蛍光体を製造する際の加熱時の急速な窒化反応の進行を抑制することができる蛍光体原料用金属材料と、その蛍光体原料用金属材料を用いた蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1種の合金と、該合金とは異なる結晶構造を有する金属及び/又は合金とを含有することを特徴とする蛍光体原料用金属材料。この蛍光体原料用金属材料を、窒化性ガス含有雰囲気下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。蛍光体原料用金属材料が、互いに融点の異なる、少なくとも1種の合金と、該合金とは異なる結晶構造を有する金属及び/又は合金とを含有するため、窒化反応の進行が一度に急激に進むという現象が抑制され、この結果、加熱時の急速な窒化反応の進行が抑制され、高特性の蛍光体を安価に大量生産することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】発光素子を2種類の樹脂で二重に封止する発光装置において、樹脂間での剥離が起こり難く、配光や色度や軸光光度のバラツキの少ない発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム20に固定された発光素子10がシリコン樹脂22で封止され、さらにその上からエポキシ樹脂24で封止されている。シリコン樹脂22とエポキシ樹脂24との間にはSiO皮膜23が設けられる。この皮膜は有機ケイ素化合物を原材料とし燃焼化学気相蒸着によって形成される。 (もっと読む)


【課題】発光層に窒化ガリウム系化合物半導体を用いたLEDチップと新しい蛍光体とを組み合わせた、白色照明用として十分な明るさを有する発光ダイオードとその製造方法を提供する。
【解決手段】360nm〜530nmの範囲にピーク波長がある単色性の発光スペクトルを有する青色LEDチップに、発光中心を添加したオキシ窒化物ガラスからなる蛍光体を組み合わせ、白色発光の発光ダイオードを作製する。特に蛍光体として、発光中心としてEu2+イオンを添加したCa−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラスを用いる。 (もっと読む)


【課題】異種基板上に、安定して良好な結晶性のIII族窒化物化合物半導体層を積層したIII族窒化物化合物半導体積層構造体を得ること。
【解決手段】基板上に、III族窒化物化合物半導体からなる第一の層と、該第一の層に接するIII族窒化物化合物半導体からなる第二の層を備えており、該第一の層は結晶界面が明瞭な結晶集合体であり、その厚さが21nm〜40nmであることを特徴とするIII族窒化物化合物半導体積層構造体。 (もっと読む)


【課題】高い輝度の発光を確保しながら、LEDの発光色を簡単に所望の色に変化させることができる発光ダイオード用透光性被覆材の提供を目的とする。
【解決手段】発光ダイオードに装着する透光性被覆材20であって、該被覆材20が基材中に蛍光物質が分散されたキャップ形状のものであり、該キャップ形状の先端部分に集光機構13を有している発光ダイオード用透光性被覆材を用いる。 (もっと読む)


【課題】従来の蛍光体より長波長の橙色や赤色に発光し、高い輝度を有し、化学的に安定な無機蛍光体を提供する。係る蛍光体を用いた演色性に優れる照明器具、耐久性に優れる画像表示装置、顔料、紫外線吸収剤等を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光体は、ASi(2/3x+4/3y)(0<x<2、y=2−x)(ただし、A元素は、Mg、Ca、Sr、またはBaから選ばれる1種または2種以上の元素)で示される母体結晶に、金属元素M(ただし、Mは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶してなる無機化合物を主成分とし、単斜晶系であることを特徴とする。前記無機化合物は、ASi(2/3x+4/3y):Mで示され、xが0.8≦x≦1.1の範囲の値とすることができる。 (もっと読む)


【課題】 発光素子において、電力効率に優れた発光構造とする。
【解決手段】第1,2導電型半導体層21,23を含む半導体構造20に、発光構造部25と、第1導電型半導体層21が露出された露出部21sと、を備え、前記半導体素子構造の同一面側において前記第1導電型半導体層21、第2導電型半導体層23に各々設けられた第1電極30、第2電極40と、を有し、前記第1電極が、前記第1導電型半導体層21の露出部21sに設けられ、透光性導電膜で第1導電型半導体に導通する第1層31と、該第1層上に第1層に導通するように設けられた第2層32と、を少なくとも有すると共に、前記露出部の第1導電型半導体層と第2層32との間に、第1の透光性の絶縁膜17が前記第2層の少なくとも一部と重なるように設けられている。これにより、好適な電流注入と、外部電源との接続部を備えた構造とでき、光損失を低く抑えた構造とできる。 (もっと読む)


【課題】耐熱着色安定性に優れ、クラックが生じにくい硬化物となりうる発光素子用封止材組成物の提供。
【解決手段】アルキル基が第二級炭素原子を有するアルキル(メタ)アクリレートと、(メタ)アクリロイル基を有するポリシロキサンと、ラジカル開始剤とを含有する発光素子用封止材組成物。 (もっと読む)


【課題】高い発光効率と確かな色合いを具える白色発光ダイオード構造及びその製造工程を提供する。
【解決手段】白色発光ダイオード構造及びその製造工程は、青色発光チップの底層に少なくとも赤色蛍光材を設置し、青色発光チップの周辺より上部位に少なくとも緑色蛍光材を設置する。青色発光チップが通電すると、底層の赤色蛍光材及び周辺より上部位の緑色蛍光材を各々励起して予定した白色光を形成する。この白色光波青色発光チップが異なる位置の赤色蛍光材及び緑色蛍光材を励起することによって構成され、高発光効率及び確かな色合いを形成する。 (もっと読む)


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