【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、透光性を有する短繊維25が添加されたゾルゲルガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できると共に、発光均一性の高いＬＥＤを実現する。
【解決手段】ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該ＬＥＤチップ16を、微粉末状の白色系無機顔料25が添加されたゾルゲルガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記ＬＥＤチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。 （もっと読む）

【課題】照明用ＬＥＤユニットにおけるＬＥＤチップの集積度を増大して、面積当たりの発光量を増大する。
【解決手段】複数チップ型ＬＥＤユニット１０は、第１リード線１２及び第２リード線１４と、第１リード線１２の上端部１２Ａに形成されたチップ搭載部１６と、チップ搭載部１６の搭載面１６Ａに設けられたＬＥＤチップ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃと、これらと第２リード線１４の上端部１４Ａとを電気的に接続するボンディングワイヤ２０と、ＬＥＤチップと共にチップ搭載部１６を封止する封止樹脂部２２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるため、長期にわたって安定的に高輝度の発光を行うことができる発光ダイオード装置、かかる発光ダイオード装置を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】発光ダイオード装置１は、第１のリードフレーム２１および第２のリードフレーム２２と、第１のリードフレーム２１に接合された基板３と、基板３の第１のリードフレーム２１と反対側の面に設けられた発光部４と、基板３と第１のリードフレーム２１とを接合する接合膜８とを有する。この発光ダイオード装置１が備える接合膜８は、金属原子と、金属原子と結合する酸素原子と、これらに結合する脱離基とを含み、接合膜８の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８の表面に発現した接着性によって、第１のリードフレーム２１と基板３とを接合している。 （もっと読む）

【課題】発光装置のレンズの内部やレンズの下の発光部の画像検査を可能とする発光装置の検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】発光部５１と、前記発光部５１の上に設けられた透光体５２と、を有する発光装置５０の検査装置であって、前記発光装置５０の光学像を得る光学像形成部６０と、前記発光装置５０と前記光学像形成部６０との間に設けられ、透光性を有する透光板３３と、前記発光装置５０と前記透光板３３との間に設けられ、延伸性と透光性とを有するフィルム３１と、前記透光板３３と前記フィルム３１との間に設けられ、透光性を有するゲル状樹脂３２と、を備えたことを特徴とする発光装置の検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃による発光素子と実装部品との剥離を防止し、かつ、モールド樹脂のクラックの発生もない、高信頼性の発光装置を提供する。
【解決手段】実装部品２と、前記実装部品に実装された発光素子３と、前記発光素子と、前記実装部品の少なくとも一部と、を覆うように設けられたモールド樹脂１と、を備え、前記モールド樹脂により覆われた前記実装部品の表面は、粗面化された第１の部分６と、前記第１の部分よりも平滑な第２の部分と、を有し、前記第１の部分は、前記発光素子の周囲を含むことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い輝度と優れた安定性を示す蛍光体および発光装置を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ（０）_ａＭ（１）_ｂＭ（２）_{ｘ−（ｖｍ＋ｎ）}Ｍ（３）_{（ｖｍ＋ｎ）−ｙ}Ｏ_ｎＮ_ｚ−ｎで示される組成の蛍光材料を有する蛍光体により、上記課題を解決できる。但し、Ｍ（０）はＬｉ、Ｎａ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕから選ばれ、Ｍ（１）はＭｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれ、Ｍ（２）はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒから選ばれ、Ｍ（３はＢｅ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｚｎから選ばれ、Ｏは酸素であり、Ｎは窒素であり、３３≦ｘ≦５１，８≦ｙ≦１２，３６≦ｚ≦５６、３≦ａ＋ｂ≦７、０．００１≦ｂ≦１．２、ｍｅ＝ａ＋ｂ、０．８・ｍｅ≦ｍ≦１．２・ｍｅ、０≦ｎ≦７、ｖ＝｛ａ・ｖ（０）＋ｂ・ｖ（１）｝／（ａ＋ｂ）のすべてを満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】（オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記化学式１の化合物で表示されるオキシナイトライド蛍光体である：


前記式で、Ｍは、アルカリ土類金属であり、０＜ｘ＜１、１．８＜ａ＜２．２、４．５＜ｂ＜５．５、０≦ｃ＜８、０＜ｄ≦８及び０＜ｃ＋ｄ≦８である。これにより、ＵＶ−ＬＥＤ及び青色ＬＥＤ型の白色発光素子に使用するのに優秀な赤色を具現し、優秀な効率を具現する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を向上させながら、信頼性の低下を抑制することが可能であり、かつ、発光特性の低下を抑制することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】この表面実装型ＬＥＤ（発光装置）１００は、第１部分２と、この第１部分２と分離された第２部分３とを含む金属板からなる基板１と、基板１の第１部分２上に固定され、基板１の第１部分２および第２部分３と電気的に接続されたＬＥＤ素子２０と、金属材料から構成されるとともに基板１上に固定され、開口部１３の内側面１３ａがＬＥＤ素子２０からの光を反射する反射面とされる反射枠体１０とを備えている。そして、上記基板１は、平面的に見て、第２部分３の側端面３ａが反射枠体１０の側端面１４の内側に位置するように構成されている。また、基板１の第２部分３は、絶縁性の接着剤（絶縁性接着層４２）により反射枠体１０に絶縁固定されている。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を製造することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層１２を積層し、該バッファ層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、バッファ層１２を、少なくとも金属Ｇａ原料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）なる組成で形成し、バッファ層１２上に下地層１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、容易に位置決めすることができ、反りや曲がりを矯正した状態を保つことができる位置決め治具の提供。
【解決手段】端部に素子固定部を有するリードと、前記リードを複数連設するタイバーとを備えてなるリードフレームの位置決め治具であって、前記リードが直立した状態で挿入され、前記リードフレームが狭着固定されるリードフレーム挿入用溝が形成された支持部材を有し、前記支持部材は、その上面が前記素子固定部の外側底部と当接する上部当接面を有することを特徴とするリードフレームの位置決め治具。 （もっと読む）

【課題】ラッピング後に結晶に残留した硬質砥粒を除去して結晶表面の不純物を低減することができるＩＩＩ族窒化物結晶の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の表面処理方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶の表面をモース硬度が７より高い硬質砥粒を用いてラッピングする工程と、ラッピングされたＩＩＩ族窒化物結晶１の表面を砥粒を含まないポリシング液２７を用いてポリシングする無砥粒ポリシング工程とを備え、砥粒を含まないポリシング液２７のｐＨが１以上６以下または８．５以上１４以下である。 （もっと読む）

【課題】矩形のサファイアＡ面基板上に形成されたＺｎＯ系半導体層を備えるＺｎＯ系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
Ａ面｛１１−２０｝を主面とするサファイアＡ面基板１０上に形成されたＺｎＯ系半導体層１５を備えるＺｎＯ系半導体発光素子１は、該基板１０が５０〜２００μｍの厚さを備え、ｃ軸に直交するｍ軸に対して５３．７±１．０°の角度をなし、互いに平行な２本の第１の辺と、該第１の辺に直交し、互いに平行な２本の第２の辺とで囲まれている。ＺｎＯ系半導体発光素子１は、サファイアＡ面基板１０のＺｎＯ系半導体層１５が形成された面の反対面に、ｍ軸に対して５３．７±１．０°の角度をなす第１のスクライブ溝Ｌ_１と、第１のスクライブ溝Ｌ_１に直交する第２のスクライブ溝Ｌ_２とを形成し、該基板１０を第１のスクライブ溝Ｌ_１でブレーキングし、続いて第２のスクライブ溝Ｌ_２でブレーキングすることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れる化合物半導体発光素子及びその製造方法、ランプ、電子機器並びに機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極１５及び導電型電極からなる負極１７を備えてなり、正極１５をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜である。 （もっと読む）

【課題】従来の蛍光体よりもさらに高い輝度を示す蛍光体および製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】Ｍ（０）元素（ただしＭ（０）は、Ｓｒ、Ｌａから選ばれる一種または二種の元素である）と、Ｍ（１）元素（ただし、Ｍ（１）は、Ｍｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる一種以上の元素である。）と、Ｓｉと、Ａｌと、窒素とを少なくとも含み、α型窒化珪素結晶と同一の結晶構造を持つ、α型サイアロン結晶構造からなる蛍光体を採用する。 （もっと読む）

【課題】 毒性がなく、必要以上のコストアップをもたらすこともなく、演色性に優れたＬＥＤ、並びにこのようなＬＥＤに用いられる被覆材を提供する。
【解決手段】 青色〜緑色発光素子と該発光素子から発光される光の波長を変換する蛍光物質とを有する発光ダイオードであって、前記蛍光物質には、Ｅｕで付活したＣａＳ蛍光物質、あるいは一般式ＡＥｕ_(1-x)Ｌｎ_xＢ₂Ｏ₈（ＡはＬｉ，Ｋ，Ｎａ，及びＡｇよりなる群から選ばれる１種、ＬｎはＹ，Ｌａ，及びＧｄよりなる群から選ばれる１種、ＢはＷ又はＭｏであり、ｘは０以上１未満の数である。）で表される蛍光物質が含まれている。 （もっと読む）

【課題】 耐光性（特に耐紫外線性）及び密着性に優れると共に、十分な耐熱性・耐水熱性及び成膜性を有し、さらに硬化する際に発泡が少なく、長期間使用してもクラックや剥離、着色、発泡を生じない硬化性ポリシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】 特定のヒドロシリル基含有ポリシロキサン化合物、特定のシラノール基を一分子中に２個以上含有するポリシロキサン化合物、並びに、脱水素縮合反応触媒を含むことを特徴とする硬化性ポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】半値幅の広い新たな蛍光体を提供する。
【解決手段】式［Ａ］で表される結晶相を含有する蛍光体を、この結晶相に含有される金属元素を２種以上含有する合金を原料の少なくとも一部として用いて製造する。
Ｒ_3-x-y-z+w2Ｍ_ｚＡ_1.5x+y-w2Ｓｉ_6-w1-w2Ａｌ_w1+w2Ｏ_y+w1Ｎ_11-y-w1 ［Ａ］
（ＲはＬａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃを示し、ＭはＣｅ、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｙｂ、Ｐｒ及びＴｂを示し、ＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎを示し、ｘ、ｙ、ｚ、ｗ１及びｗ２は、（１／７）≦（３−ｘ−ｙ−ｚ＋ｗ２）／６＜（１／２）、０≦（１．５ｘ＋ｙ−ｗ２）／６＜（９／２）、０≦ｘ＜３、０≦ｙ＜２、０＜ｚ＜１、０≦ｗ１≦５、０≦ｗ２≦５及び０≦ｗ１＋ｗ２≦５を満たす数である。） （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させるとともに出力を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、積層半導体層と、透明電極層１７と、ｐ型電極パッド１８と、ｎ型電極パッド１９とを具備してなり、平面視形状が四辺形であり、透明電極層１７がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれか一種以上を含む透明導電性酸化物から構成され、ｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の端間距離ｍが０．７Ｌ＜ｍ（Ｌはｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の重心Ｏ_１、Ｏ_２同士を結ぶ直線ｎ上における透明電極層１７の長さからｐ型電極パッド１８の外径ｄを引いた長さ）を満たすとともに、長辺の長さをＸとし、短辺の長さをＹとしたときに、１．５≦Ｘ／Ｙを満たすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】標準パッケージ内で信頼性が高く、そして高温と高湿度の条件に耐えることができる物理的に強固な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。原光出力の少なくとも50％を発光し、85℃の温度で85％の相対湿度の環境において10ミリアンペアで少なくとも1000時間動作させた後の動作電圧が実質的に変化しない特徴を有する。このダイオードを包含するLEDランプも開示される。 （もっと読む）