【課題】第二ｎ型半導体層の格子緩和に起因する発光層の結晶性の低下が生じにくく、高出力、かつ、低動作電圧の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎなる組成（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）の下地層、第一ｎ型半導体層および第二ｎ型半導体層を順次積層した後に、前記基板温度を４００℃以下に降温する第一工程と、前記第二ｎ型半導体層上に、前記第二ｎ型半導体層よりもＩｎ組成の高い、前記第二ｎ型半導体層の再成長層を形成した後に、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】基板のＣ面上に凸部を有し、しかも高温環境下での出力低下が少ないランプの得られる半導体発光素子、これを備えたランプを提供する。
【解決手段】Ｃ面１１からなる主面上に複数の凸部１２が形成されてなる単結晶基板１０１と、単結晶基板１０１の主面を覆うように形成され、凸部１２上の膜厚ｔ_２は、前記Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１よりも小さく、Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１に対する凸部１２上の膜厚ｔ_２が６０％以上であり、Ｃ面１１上において単結晶相であるとともに凸部１２上において多結晶相であるＡｌＮからなる中間層１０２と、中間層１０２上に積層されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層２０とを具備してなる半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】波長600〜680nmの領域において高輝度な蛍光体が得られる。
【解決手段】式(１)：Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Z_r〔Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選ばれ、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選ばれ、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれ、Zはユーロピウム及びセリウムから選ばれ、0＜p＜1、0＜q＜1、0≦m＜1、0≦t≦0.3、0.00001≦r≦0.1、a＝1、0.8≦b≦1.2、2.7≦n≦3.1〕で表される蛍光体であって、該蛍光体の正規化ストロンチウム溶出含量が１〜20ppmの範囲にある蛍光体。 （もっと読む）

【課題】波長600〜680nmの領域において高輝度の蛍光体および該蛍光体を用いる発光装置の提供。
【解決手段】蛍光体は組成式(１)：Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Z_r〔Mはマグネシウム、バリウム、ベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択され、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択され、Zはユーロピウム及びセリウムから選択され、0＜p＜1、0≦q＜1、0≦m＜1、0≦t≦0.3、0.00001≦r≦0.1、a＝1、0.8≦b≦1.2、2.7≦n≦3.1〕を有する組成物を含有し、該蛍光体の正規化カルシウム溶出含量が１〜25ppmの範囲にある。 （もっと読む）

【課題】新規組成の炭窒化物系蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌａ、Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、およびＣｅを含有し、かつ、３９０ｎｍ以上、４９０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することを特徴とする、蛍光体。以下の式［１］で表される組成を有することが好ましい。
Ａ_ｗＳｉ_ｘＮ_ｙＣ_z：Ｃｅ_v ・・・ ［１］
（但し、前記式［１］において、Ａは、Ｌａを必須とする希土類金属元素を表す。また、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、およびｖは、それぞれ以下の範囲の数を表す。
１．６≦ｗ≦２．４
３．６≦ｘ≦４．４
５．６≦ｙ≦６．４
０．６≦ｚ≦１．４
０＜ｖ≦０．２） （もっと読む）

【課題】600〜680nm区域において高輝度に達せる蛍光体、該蛍光体を用いる高輝度を有する発光装置の提供。
【解決手段】蛍光体は式(１)：Ca_pSr_qM_m-A_a-B_b-O_t-N_n：Eu_r〔Mはベリリウム及び亜鉛から選択され、Aはアルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択され、Bは珪素、ゲルマニウム、錫、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選択され、0＜p＜1、0＜q＜1、0≦m＜1、0≦t≦0.3、0.00001≦r≦0.1、a＝1、0.8≦b≦1.2、2.7≦n≦3.1〕の組成式で示されるものを含有する組成物を有し、且つ該蛍光体はマグネシウム20〜1500ppm及び/またはバリウム40〜5000ppmを含有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の上面からの直接放出光と、発光素子の側面光の反射光と、を含み、光強度分布を均一にすることが容易な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる発光装置は、発光素子と、光反射体と、封止樹脂層と、を有する。前記発光素子は、第１の主面および側面を有し、前記第１の主面に対して垂直方向に直接放出光の光軸を有する。前記光反射体は、前記発光素子の前記側面からの放出光を反射可能な光反射面を有する。前記封止樹脂層は、前記発光素子および前記光反射面を覆う。また、前記封止樹脂層は、前記光軸上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第１の曲面と、前記光反射面を通り前記光軸に平行な直線上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第２の曲面前記直線が前記光出射面を通るように移動させて生成された包絡面と、を含む。 （もっと読む）

【課題】緑色蛍光体およびその製造方法、ならびにそれを含む白色発光素子を提供する。
【解決手段】下記化学式（１）で表される組成を有し、かつＣｕのＫα１で回折させたＸ線回折パターンで、第１強度ピークが回折角（２θ）３０．５°±１．０°に位置し、第２強度ピーク〜第６強度ピークが、回折角（２θ）２４．８°±１．０°、３２．０°±１．０°、３５．０°±１．０°、３９．３°±１．０°および４８．５°±１．０°に順序なしに位置する緑色蛍光体、その製造方法および該緑色蛍光体を含む発光素子である。
（もっと読む）

【課題】金属層の耐硫化性を優れたものとし、金属層の腐食（例えば変色）を抑制することができる金属層の腐食防止方法。
【解決手段】第１１族の金属から得られる金属層を、（Ａ）エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を１分子中に少なくとも１つ以上有するオルガノポリシロキサン１００質量部と、（Ｂ）亜鉛化合物０．０１〜５質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物から得られるシリコーン樹脂層で覆い、前記金属層の腐食を防止する、金属層の腐食防止方法。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）からの外部光抽出を改善し、より具体的には、ＩＩＩ族窒化物材料系において形成された白色発光ダイオードからの光抽出を改善すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、ＩＩＩ族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】透明基板に成長した発光器具の光出力を増強すること
【解決手段】
片側にLED構造が形成され、反対側に透明層が形成された透明基板を発光器具において、透明層の屈折率は基板の屈折率より大きい。更に、当該発光器具には、反射側壁と発光表面を含むパッケージカップが含まれ、当該パッケージカップには透明基板と基板に形成された基板透明層を含むLEDが設置されている。反射側壁はパッケージカップの中心に位置する第１の部分とパッケージカップの周囲に位置する第２の部分を有する。第１の部分により、透明層からの光は第２の部分に反射され、さらに、第２の部分により、光はパッケージカップの発光表面に反射される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードが搭載されたトップ部から他の部分への熱伝逹を促進し、熱抵抗を低下させることができる発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】長い四角形状を有する上部面、狭い面積を有する側面、広い面積を有する側面、及び前記側面に連結された下部面を含む第１トップ部と、前記第１トップ部の下部面から延長された脚部とを有する第１リード；前記広い面積を有する側面のうち一つに隣接して配置された第２トップ部及び前記第２トップ部から延長された脚部を有し、前記第１リードから離隔して配置された第２リード；前記第１トップ部の上部面上に搭載された発光ダイオード；前記発光ダイオードと前記第２トップ部とを連結するボンディングワイヤー；及び前記発光ダイオード、前記第１及び第２トップ部を取り囲む透明封止材を含む発光ダイオードランプを構成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率および演色性が高く、発光色の色ずれの少ない発光装置を提供する。
【解決手段】駆動電流を流通して発光する光源３と、該光源からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長の光を発する少なくとも１種類の波長変換材料４とを備える発光装置１であって、該発光装置の効率が３２ｌｍ／Ｗ以上、平均演色評価数Ｒａが８５以上であり、１７．５Ａ／ｃｍ^２の駆動電流密度で得られる発光の色度座標値ｘをｘ_１（１７．５）、ｙをｙ_１（１７．５）とし、７０Ａ／ｃｍ^２の駆動電流密度で得られる発光の色度座標値ｘをｘ_１（７０）、ｙをｙ_１（７０）としたとき、色度座標値ｘおよびｙのずれ量、［ｘ_１（１７．５）−ｘ_１（７０）］と［ｙ_１（１７．５）−ｙ_１（７０）］が下記式（Ａ）および（Ｂ）を満足する。−０．０１≦ｘ_１（１７．５）−ｘ_１（７０）≦０．０１・・・（Ａ）、−０．０１≦ｙ_１（１７．５）−ｙ_１（７０）≦０．０１・・・（Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】β型サイアロン蛍光体の輝度を向上させることを目的とする。
【解決手段】下記式［１］で表される組成比に調整された蛍光体原料を、ＳｉＯ_２存在下で焼成する工程を有することを特徴とする、蛍光体の製造方法。
Ｓｉ_６−ｘＡｌ_ｘＯ_ｘＮ_８−ｘ：Ｅｕ_ｙ ・・・ ［１］
（式中、ｘ、及びｙは、それぞれ、０≦ｘ≦４．２、及び０．００１≦ｙ≦０．０３を満たす数を表す。）
前記焼成工程におけるＳｉＯ_２存在量が、焼成物全体（蛍光体原料と、ＳｉＯ_２との合計）に対し、０．０１重量％以上、２．８重量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】演色性に優れた蛍光体と、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】
下記式［１］で表される組成を有する蛍光体。
Ｍ^１_{ｎ（１−ｙ）}Ａｌ_ｎｘ＋ｚＳｉ_{１６−（ｎｘ＋ｚ）}Ｏ_ｎｘ＋ｚＮ_{２０＋ｎ−（ｎｘ＋ｚ）}：Ｍ^２_ｙ ・・・［１］
（Ｍ^１はＳｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎから選ばれる二価金属元素、Ｍ^２はＣｒ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂから選ばれる付活元素。０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦１３、３．６≦ｎ≦４．４） （もっと読む）

【課題】保護用の樹脂の使用量が少ない発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のリードフレームのいずれか１つに発光素子が載置される素子載置部３２を有し、素子載置部よりも下方において、少なくとも２本のリードフレームに第１の突起部１４と、第１の突起部１４よりも下方で、少なくとも２本のリードフレームがタイバー３０で連結されたリードフレームを準備するリードフレーム準備工程と、素子載置部に発光素子１６を載置して、発光素子及び前記リードフレームの一部を透光性樹脂２８により被覆してレンズ部１０を形成する際に、透光性樹脂が、レンズ部と連続して第１の突起部の側面を被覆するように、透光性樹脂からなる薄膜部１２を形成する薄膜部形成工程と、タイバーを切断するタイバー切断工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高透明性に優れ、熱衝撃に対して高い耐性を有し、過酷な温度サイクル下でもクラックが生じ難く、剥離も発生しないＬＥＤ用付加硬化型シリコーン樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、
（Ａ）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に少なくとも２個有し、下記一般式（１）で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状オルガノポリシロキサン、
ＲＳｉＯ_３／２ （１）
（Ｂ）分子鎖両末端のみにケイ素原子に結合した水素原子を有し、分子中に脂肪族不飽和結合を有しない、２５℃における粘度が０．００１〜１０Ｐａ・ｓである直鎖状のオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に少なくとも３個有し、その内の少なくとも１個は下記一般式（２）で表されるシロキサン単位として存在する、２５℃における粘度が０．００１〜１０Ｐａ・ｓであるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２ （２）
（Ｄ）付加反応触媒 触媒量、
を含有するシリコーン樹脂組成物であって、
前記（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の配合量は、前記（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の合計個数が、前記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基１個当たり０．３〜７個となり、かつ前記（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の個数が、前記（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分のケイ素原子に結合した水素原子の合計個数の５〜９０％となる量であることを特徴とする発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプを電源供給板に極簡単な操作により自由に配置できるとともに、配置替えも簡単になし得るＬＥＤディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】針通し可能な材質からなる絶縁床９に上から間隔をおいて順次深くなる同じく針通し可能な多数の導電層１１、１２，１３を配設した多層電源供給板１と、その上にレイアウト可能に自在に配置する多数のＬＥＤランプ２、３とからなり、ＬＥＤランプは、発光体に脚状に垂下する＋極と−極との複数のリードフレーム１９、２０、２１が長短に異ならせて突設され、各リードフレームについて、前記絶縁床と導電層に通し得る針状に形成し、また所定の導電層にのみ通電可能に、先端部以外が絶縁材で被覆されることにより下端に露出した通電針先部を設けてなり、一方のリードフレームを前記一方の導電層に達する長さに、他方のリードフレームを他方のいずれかの導電層に達する長さに、それぞれ形成した。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】固体Ｓｉ−核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト−４０ｐｐｍ以上０ｐｐｍ以下の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上、３．０ｐｐｍ以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト−８０ｐｐｍ以上−４０ｐｐｍ未満の領域にあり、ピークの半値幅が０．３ｐｐｍ以上５．０ｐｐｍ以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも１つ有するとともに、ケイ素含有率が２０重量％以上であり、シラノール含有率が０．１重量％以上、１０重量％以下であり、デュロメータタイプＡによる硬度測定値（ショアＡ）が５以上９０以下である。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でより容易に形成することができる、あるいはより安価に形成することができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放出する発光部と、前記発光部の表面側に設けられた第１の電極と、前記発光部の裏面側に設けられた第２の電極と、を有し、前記裏面側から前記表面側に向けて拡開した錐状の光放出面を有する半導体発光素子と、前記第１の電極に接続された第１のリード線と、前記第２の電極に接続された第２のリード線と、前記半導体発光素子から放出される光に対して透光性を有し、前記半導体発光素子と、前記第１及び第２のリード線の一部と、の周囲を封止または封着するガラスと、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）