リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
【課題】リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んだり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んだりすることを防止することが可能な、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームを提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム１０は、枠体１３と、枠体１３内に設けられ、各々がＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含む多数のパッケージ領域１４とを備えている。枠体１３の外周のうち、反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入するランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が設けられている。傾斜面７０により、反射樹脂２３の成形時に、枠体１３外周に樹脂材料２３ｃが回り込んだり、リードフレーム１０と下金型８２との間の隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んだりすることを防止する。
【解決手段】ＬＥＤ素子搭載用リードフレーム１０は、枠体１３と、枠体１３内に設けられ、各々がＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含む多数のパッケージ領域１４とを備えている。枠体１３の外周のうち、反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入するランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が設けられている。傾斜面７０により、反射樹脂２３の成形時に、枠体１３外周に樹脂材料２３ｃが回り込んだり、リードフレーム１０と下金型８２との間の隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んだりすることを防止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームにＬＥＤ素子を搭載することにより作製された半導体装置を含むものがある。
【０００３】
従来、ＬＥＤ素子用の半導体装置としては、放熱性等の観点から、ＳＯＮタイプのもの（ＳＯＮパッケージ）が開発されてきている。このようなＳＯＮパッケージにおいては、ＬＥＤ素子からの光を反射させるための反射樹脂が設けられている（例えば特許文献１参照）。このような反射樹脂をリードフレーム上に形成する場合、例えばトランスファ成形法を用いる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
トランスファ成形法においては、硬化前の樹脂材料を加熱された成型金型に入れ、金型をクランプさせた後に、プランジャーを用いて樹脂材料をリードフレーム側に流し込む。この際、樹脂材料は、ランナー部を通ってリードフレームの表面上を辿り、金型の反射樹脂に対応するキャビティ部分に充填される。しかしながら、従来、リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることが生じている。この場合、ゲートブレイク時に不具合が生じたり、異物が発生することにより製品の清浄度が低下したりするおそれがある。また、回り込んだ樹脂がリードフレームの一辺に密着した場合、力が加わった際、反射樹脂がリードフレーム表面から剥離しやすくなるおそれがある。さらに、異物が発生することにより、金型をクリーニングする必要性が増したり、連続して成形することが難しくなったりする等の問題も引き起こす。
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることを防止することが可能な、リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体と、枠体内に設けられ、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含む多数のパッケージ領域とを備え、枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【０００８】
本発明は、枠体外周のうち、ランナーに対応する領域が傾斜面となっておりその他の領域が垂直面となっていることを特徴とするリードフレームである。
【０００９】
本発明は、枠体外周の長手方向の一辺全体が傾斜面となっていることを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、枠体の外周に、ランナーに対応する領域を区画するとともに、枠体の他の部分と同一厚みをもつ土手部を設けたことを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、枠体外周のうち、土手部に対して傾斜面の反対側に位置する領域にも追加の傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【００１２】
本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、リードフレームと、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１３】
本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、リードフレームを準備する工程と、リードフレームを金型内に配置し、リードフレームの枠体の傾斜面側から反射樹脂用の樹脂材料を注入することにより、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に反射樹脂を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１４】
本発明は、反射樹脂は、トランスファ成形法によって設けられることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１５】
本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられている。これにより、反射樹脂の成形時に、枠体の一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームの裏面と下金型との間のわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることを防止することができる。また、ゲートブレイク時にリードフレームの外周に樹脂が残ったり、異物が発生したりすることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図１のII部拡大図）。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIII−III線断面図）。
【図４】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIV−IV線断面図）。
【図５】本発明の一実施の形態によるリードフレームの傾斜面を示す拡大斜視図。
【図６】本発明の一実施の形態によるリードフレームの各種傾斜面を示す拡大断面図。
【図７】本発明の一実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す断面図（図８のVII−VII線断面図）。
【図８】本発明の一実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す平面図。
【図９】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１０】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１１】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１２】トランスファ成形法を用いて樹脂付リードフレームを作製している状態を示す概略平面図。
【図１３】ゲートブレイク時の作用を示す断面図。
【図１４】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。
【図１５】リードフレームの変形例（変形例１）を示す平面図。
【図１６】リードフレームの変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図。
【図１７】リードフレームの変形例（変形例２）を示す平面図。
【図１８】リードフレームの変形例（変形例２）を示す部分拡大平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１４を参照して説明する。
【００１９】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図６により、本実施の形態によるＬＥＤ素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図１乃至図６は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００２０】
図１に示すリードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を搭載した半導体装置２０（図７および図８）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、矩形状の外形を有する枠体１３と、枠体１３内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、多数のパッケージ領域１４とを備えている。
【００２１】
図２に示すように、複数のパッケージ領域１４は、各々ＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含んでいる。
【００２２】
一つのパッケージ領域１４内のダイパッド２５とリード部２６との間には、隙間が形成されており、ダイシングされた後（図１４（ｅ））、ダイパッド２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各パッケージ領域１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。また、図２において、各パッケージ領域１４を二点鎖線で示している。
【００２３】
なお、本明細書において、図２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６とダイパッド２５とを左右に並べて配置した場合の横方向がＸ方向に対応し、縦方向がＹ方向に対応する。またこの場合、Ｙ方向プラス側、Ｙ方向マイナス側を、それぞれ上方、下方といい、Ｘ方向プラス側、Ｘ方向マイナス側を、それぞれ右方、左方という。
【００２４】
図２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、それぞれリード連結部５２によって連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３により連結されている。これら各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３は、Ｙ方向に平行に配置されている。
【００２５】
さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらにまた、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。各パッケージ領域連結部５４は、Ｘ方向に平行に配置されている。
【００２６】
なお、最も外周に位置するパッケージ領域１４内のリード部２６およびダイパッド２５は、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４のうちの１つまたは複数によって、枠体１３に連結されている。
【００２７】
一方、図３および図４の断面図に示すように、リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されためっき層１２とからなっている。
【００２８】
このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
【００２９】
また、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面に設けられている。表面側のめっき層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層１２は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。このめっき層１２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっている。めっき層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ〜０．２μｍとされることが好ましい。なお、めっき層１２は、必ずしもリードフレーム本体１１の表面および裏面の全体に設ける必要はなく、リードフレーム本体１１の表面および裏面のうち、一部のみに設けても良い。
【００３０】
また、ダイパッド２５の裏面に、第１のアウターリード部２７が形成され、リード部２６の底面に、第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ半導体装置２０と外部の配線基板とを接続する際に用いられる。
【００３１】
さらにリードフレーム１０の表面には、リードフレーム１０と反射樹脂２３（後述）との密着性を高めるための溝１８が形成されている。ここで、リードフレーム１０の表面とは、例えばＬＥＤ素子搭載面であり、反射樹脂２３が形成される面をいう。なお、図２においては、溝１８の表示を省略している。
【００３２】
再度図１および図２を参照すると、枠体１３は、４つの辺１３ａ〜１３ｄ（長辺１３ａ、１３ｃおよび短辺１３ｂ、１３ｄ）を有している。また、枠体１３の内部には、長辺１３ａ、１３ｃを連結する補強片１９がＹ方向に３本配置されており、各補強片１９にはパッケージ領域１４が設けられていない。
【００３３】
枠体１３の外周には、リードフレーム１０に反射樹脂２３を設ける際、後述するトランスファ成形機８０の各ランナー８４（図１１および図１２参照）が配置される領域１７が存在する（以下、ランナー８４に対応する領域１７ともいう）。本実施の形態において、枠体１３の外周のうち、各ランナー８４に対応する領域１７には、それぞれ傾斜面７０が設けられている。この場合、各傾斜面７０は、枠体１３の外周のうち各ランナー８４に対応する領域１７に設けられている。
【００３４】
図４および図５に示すように、枠体１３は、後述する反射樹脂２３を設ける側の面である表面１３ｅと、表面１３ｅの反対側に位置する裏面１３ｆとを有している。そして上述した傾斜面７０は、その断面が枠体１３の表面１３ｅから裏面１３ｆへかつ外方へ向かって徐々に降下する形状からなっている。また、傾斜面７０は、枠体１３の厚み方向全体にわたって形成されている。なお、傾斜面７０の両側には、傾斜面７０から表面１３ｅ側に向けて延びる側壁７１が設けられており、枠体１３のうち傾斜面７０の両側の部分は、枠体１３の他の部分と同一の厚みをもっている。また、枠体１３の外周のうち傾斜面７０を除く領域は、枠体１３の表面１３ｅに対して垂直な垂直面７４となっている。側壁７１は、傾斜面７０に樹脂が流れ込む際に傾斜面７０の端部が最も薄いため破損防止となっている。
【００３５】
なお、傾斜面７０の断面形状は、図６（ａ）に示すように、枠体１３の内方に向けて湾曲する２つの曲線を上下に連結したような形状からなっているが、これに限られるものではない。傾斜面７０の断面形状は、図６（ｂ）に示すように、枠体１３の内方に向けて湾曲する１つの曲線形状からなっていてもよい。あるいは、傾斜面７０の断面形状は、図６（ｃ）に示すように、枠体１３の表面１３ｅから裏面１３ｆへ延びる略直線形状からなっていてもよい。
【００３６】
ゲートブレイクの際には樹脂の弾性のため、わずかなしなりが生じる(図示せず)。
【００３７】
図６（ａ）に示す形態では、傾斜面７０の途中にある突起部を境に、樹脂がしなりながら、最も剥離されやすい外側部分が最初に剥離され、次いで内側からランナー部（後述するゲートランナー樹脂２３ｄのうちランナー８４に対応する部分）全体が剥離される。このため、外側部分が剥離されている時点では、製品部分（反射樹脂２３）への応力負荷がかかりにくい状態が保持され、内側からランナー部全体が剥離した際に、ゲート部（後述するゲートランナー樹脂２３ｄのうちゲート８５に対応する部分）へ急激な応力がかかり、ゲート部での樹脂破壊を確実なものとすることができる。
【００３８】
図６（ｂ）に示す形態においては、傾斜面７０の最初に剥離される外側部分の傾斜が最も大きくなっているため、剥離しやすいことに加え、特に裏面への樹脂の流れ込みを防ぎやすい。
【００３９】
図６（ｃ）に示す形態においては、傾斜面７０の面積が小さいため、樹脂と端面の接触が少ないため、ゲートブレイク時に応力が集中し、樹脂が残りにくい。
【００４０】
半導体装置の構成
次に、図７および図８により、図１乃至図６に示すリードフレーム１０を用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図７および図８は、それぞれ半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。
【００４１】
図７および図８に示すように、半導体装置２０は、（個片化された）リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５に載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリードフレーム１０のリード部２６とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
【００４２】
また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂２３が設けられている。この反射樹脂２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に充填されている。
【００４３】
以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
【００４４】
ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。
【００４５】
またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂２３の凹部２３ａ内においてダイパッド２５上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００４６】
ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部２６上に接続されている。
【００４７】
反射樹脂２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を例えばトランスファ成形または射出成形することにより形成されたものである。反射樹脂２３の形状は、トランスファ成形または射出成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂２３の全体形状を、図７および図８に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部２３ａの底面は、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図７のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
【００４８】
反射樹脂２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリオレフィン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
【００４９】
封止樹脂２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２４が強い光にさらされるため、封止樹脂２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【００５０】
なお、リードフレーム１０の構成については、図１乃至図６を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５１】
ＬＥＤ素子搭載用リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図６に示すリードフレーム１０の製造方法について、図９（ａ）−（ｆ）および図１０（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図９（ａ）−（ｆ）は、それぞれ図３に示す断面に対応し、図１０（ａ）−（ｆ）は、それぞれ図４に示す断面に対応している。
【００５２】
まず図９（ａ）および図１０（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００５３】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図９（ｂ）および図１０（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００５４】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図９（ｃ）および図１０（ｃ））。
【００５５】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図９（ｄ）および図１０（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。このとき、枠体１３の外周領域におけるエッチング用レジスト層３２、３３のパターン形状等を適宜調整することにより、枠体１３の外周のうちランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が形成される（図１０（ｄ））。
【００５６】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、枠体１３と、複数のダイパッド２５と、複数のリード部２６とを含むリードフレーム本体１１が得られる（図９（ｅ）および図１０（ｅ））。
【００５７】
次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（例えば銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面にめっき層１２を形成する（図９（ｆ）および図１０（ｆ））。
【００５８】
この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体１１の一部のみにめっき層１２を形成しても良い。
【００５９】
このようにして、図１乃至図６に示すリードフレーム１０が得られる（図９（ｆ）および図１０（ｆ））。
【００６０】
半導体装置の製造方法
次に、図７および図８に示す半導体装置２０の製造方法について、図１１乃至図１４を用いて説明する。
【００６１】
はじめに、図１１（ａ）−（ｉ）により、トランスファ成形法を用いてリードフレーム１０の各パッケージ領域１４周縁上に反射樹脂２３を設け、樹脂付リードフレーム３０を作製する方法について説明する。
【００６２】
まず、図１１（ａ）に示すように、上金型８１と下金型８２とを有するトランスファ成形機８０を準備する。上金型８１と下金型８２にはそれぞれ図示しないヒーターが埋設されており、各ヒーターを用いて上金型８１と下金型８２とを予め加熱しておく。
【００６３】
なお、図１１（ａ）において、上金型８１は、反射樹脂２３に対応する成形空間８３と、反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入する流路となるランナー８４とを有している。成形空間８３とランナー８４との間には、樹脂材料２３ｃを成形空間８３へ流し込む入り口となるゲート８５が設けられており、このゲート８５を介して、成形空間８３とランナー８４とが連通している。なお、ゲート８５の断面積はランナー８４の断面積より狭くなっている。さらにランナー８４には、供給される樹脂材料２３ｃのボリュームばらつきを吸収するカル部８６が連通している。一方、下金型８２にはポット部８７が上下に貫通形成されており、ポット部８７内には、樹脂材料２３ｃを圧送するプランジャー８８が昇降自在に設けられている。
【００６４】
続いて、上述したリードフレーム１０を、トランスファ成形機８０の上金型８１と下金型８２との間の所定位置に配置する（図１１（ｂ））。また、ポット部８７内のプランジャー８８上には、タブレット状または塊状の樹脂材料２３ｃがセットされる。このとき、図１２に示すように、トランスファ成形機８０の各ランナー８４は、枠体１３の各傾斜面７０上にくるように配置される。
【００６５】
次に、上金型８１および下金型８２の一方または両方を移動し、上金型８１および下金型８２を閉じて型締めするとともに、プランジャー８８を介してタブレット状または塊状の樹脂材料２３ｃを予備加熱する（図１１（ｃ））。
【００６６】
樹脂材料２３ｃが加熱されて溶融した後、プランジャー８８を上昇させる。これにより、溶融した樹脂材料２３ｃが、ランナー８４およびゲート８５を通過して、リードフレーム１０の傾斜面７０側から成形空間８３に向けて注入される（図１１（ｄ））。
【００６７】
本実施の形態においては、上述したように、枠体１３外周のうちランナー８４に対応する領域１７には、傾斜面７０が設けられている。また、傾斜面７０の両側には、傾斜面７０から表面１３ｅ側に延びる側壁７１が設けられている。これにより、ランナー８４からの溶融した樹脂材料２３ｃが、枠体１３の辺１３ａに沿って（例えば図１２の矢印方向に）回り込んでしまうことがない。さらに、樹脂材料２３ｃが、傾斜面７０に沿って枠体１３の裏面１３ｆ側から表面１３ｅ側へ円滑に流し込まれるので、樹脂材料２３ｃの進行が枠体１３の辺１３ａによって妨げられることがなく、樹脂材料２３ｃが枠体１３の裏面１３ｆと下金型８２と間のわずかな隙間に流れ込むことを防止することができる。
【００６８】
このようにして、樹脂材料２３ｃがゲート８５を介して成形空間８３内の全域に拡がった後、上金型８１および下金型８２によって成形空間８３内の圧力を一定時間保持し、樹脂材料２３ｃを硬化させる（図１１（ｅ））。このようにして、リードフレーム１０上に反射樹脂２３が形成される。
【００６９】
次いで、上金型８１および下金型８２の一方または両方を移動し、上金型８１および下金型８２を型開きすることにより、反射樹脂２３が形成されたリードフレーム１０が取り出される（図１１（ｆ）−（ｇ））。このとき、イジェクターピン８９が上金型８１から下方に突き出すことにより（図１１（ｆ））、上金型８１から反射樹脂２３を確実に取り外すことができる。なお、図１１（ｆ）−（ｇ）に示すように、リードフレーム１０および反射樹脂２３には、ランナー８４およびカル部８６内に残留して硬化されたゲートランナー樹脂２３ｄが連結されている。
【００７０】
続いて、ゲートランナー樹脂２３ｄをリードフレーム１０および反射樹脂２３に対して折り曲げることにより、ゲートランナー樹脂２３ｄがリードフレーム１０および反射樹脂２３から取り除かれる（ゲートブレイクという）（図１１（ｇ））。このとき、図１３（ａ）に示すように、枠体１３の外周に傾斜面７０が設けられていることにより、ゲートランナー樹脂２３ｄが枠体１３の外周に引掛ることがなく、ゲートランナー樹脂２３ｄをスムーズに取り除くことができる。他方、比較例として図１３（ｂ）に示すように、このような傾斜面７０を設けなかった場合、ゲートブレイク時にゲートランナー樹脂２３ｄが枠体１３の外周に引っ掛かったり、ゲートランナー樹脂２３ｄの一部が異物２３ｅとなって枠体１３に残存したりするおそれがある。
【００７１】
なお、ゲートブレイクの後、反射樹脂２３を再加熱することによりさらに硬化させるポストキュア工程や、反射樹脂２３のバリを取り除くバリ取り工程が設けられていても良い。
【００７２】
このようにして、反射樹脂２３とリードフレーム１０とが一体に形成された樹脂付リードフレーム３０が得られる（図１１（ｉ））。本実施の形態において、リードフレーム１０と、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に配置された反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０も提供する。
【００７３】
なお、リードフレーム１０上に反射樹脂２３を設ける方法としては、上述したトランスファ成形法に限らず、射出成形法、液体射出成型法等を用いても良い。この場合、リードフレーム１０を図示しない射出成型機の金型内に配置し、リードフレーム１０の枠体１３の傾斜面７０側から反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入することにより、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に反射樹脂２３を設けることができる。この場合においても、反射樹脂２３の成形時に、枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込んだり、リードフレーム１０と金型との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んだりすることを防止することができる。なお、反射樹脂２３を設ける方法として液体射出成形法を用いた場合、注入する反射樹脂２３用の樹脂材料が液体であるため、流動しやすいことから、とりわけ上述した効果を顕著に得ることができる。
【００７４】
次に、このようにして得られた樹脂付リードフレーム３０を用いて半導体装置２０を製造する方法について、図１４（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。
【００７５】
まず、例えば上述した工程により（図１１（ａ）−（ｉ））、リードフレーム１０と反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０を作製する（図１４（ａ））
【００７６】
次に、樹脂付リードフレーム３０の各反射樹脂２３内であって、リードフレーム１０のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド２５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１４（ｂ））。
【００７７】
次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１４（ｃ））。
【００７８】
その後、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図１４（ｄ））。
【００７９】
次に、反射樹脂２３およびリードフレーム１０のうち各パッケージ領域１４間に位置する部分を切断することにより、反射樹脂２３およびリードフレーム１０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（ダイシング工程）（図１４（ｅ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂２３、ならびにリードフレーム１０のリード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４を切断する。
【００８０】
このようにして、図７および図８に示す半導体装置２０を得ることができる（図１４（ｆ））。
【００８１】
以上説明したように本実施の形態によれば、枠体１３の外周のうち、ランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が設けられている。このことにより、反射樹脂２３の成形時（図１１（ｄ）−（ｅ））に、枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込んでしまったり、リードフレーム１０と下金型８２との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んでしまったりすることを防止することができる。また、ゲートブレイク時（図１１（ｈ））に、リードフレーム１０に樹脂が残ったり、異物が発生したりすることを防止することができる。したがって、トランスファ成形機８０の上金型８１や下金型８２をクリーニングする必要性が減少し、反射樹脂２３を連続して成形することが容易となる。
【００８２】
また、本実施の形態によれば、傾斜面７０は、リードフレーム１０の製造工程（図９（ｄ）および図１０（ｄ））において、枠体１３、ダイパッド２５およびリード部２６とともにエッチングにより一度に形成されるので、傾斜面７０を形成するための追加のコストが新たに発生することもない。
【００８３】
リードフレームの変形例
次に、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１〜変形例２）について、図１５乃至図１８を参照して説明する。図１５乃至図１８において、図１乃至図１４に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００８４】
変形例１
図１５および図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例１）によるリードフレーム１０Ａを示す図である。このうち図１５は、リードフレーム１０Ａを示す平面図（図１に対応する図）であり、図１６は、リードフレーム１０Ａを示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。
【００８５】
図１５および図１６に示すリードフレーム１０Ａにおいて、図１乃至図１４に示す実施の形態と異なり、傾斜面７０は、枠体１３の外周のうち、ランナー８４に対応する領域１７だけでなく、枠体１３の一辺１３ａ全体に形成されている。
【００８６】
このように、枠体１３の長手方向の一辺１３ａ全体が傾斜面７０となっていることにより、ランナー８４の位置が辺１３ａに沿ってＸ方向にずれた場合であっても、反射樹脂２３の成形時に、リードフレーム１０と下金型８２との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込むことや、ゲートブレイク時にリードフレーム１０に樹脂が残ることを防止することができる。
【００８７】
変形例２
図１７および図１８は、本実施の形態の一変形例（変形例２）によるリードフレーム１０Ｂを示す図である。このうち図１７は、リードフレーム１０Ｂを示す平面図（図１に対応する図）であり、図１８は、リードフレーム１０Ｂを示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。
【００８８】
図１７および図１８に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、枠体１３の外周に、ランナー８４に対応する領域１７を区画するとともに、枠体１３の他の部分と同一厚みをもつ土手部７２が設けられている。すなわち土手部７２は、傾斜面７０の両側に沿って立設されている。さらに、枠体１３外周のうち、土手部７２の外側、すなわち土手部７２に対して傾斜面７０の反対側に位置する領域にも傾斜面（追加の傾斜面）７３が設けられている。この場合、傾斜面７３は、枠体１３の一辺１３ａのうち、土手部７２以外の領域全てに設けられている。また、傾斜面７３は、傾斜面７０と略同一の断面形状を有しており、表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する断面形状となっている。
【００８９】
この場合であっても、図１乃至図１４に示す実施の形態と同様、土手部７２によって枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込むことを防止することができる。このほか、上述した図１乃至図１４に示す実施の形態の効果と略同様の効果を得ることもできる。
【符号の説明】
【００９０】
１０、１０Ａ、１０Ｂ リードフレーム
１１ リードフレーム本体
１２ めっき層
１３ 枠体
１４ パッケージ領域
１７ ランナーに対応する領域
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 反射樹脂
２４ 封止樹脂
２５ ダイパッド
２６ リード部
２７ 第１のアウターリード部
２８ 第２のアウターリード部
３０ 樹脂付リードフレーム
５２ リード連結部
５３ ダイパッド連結部
５４ パッケージ領域連結部
７０ 傾斜面
７１ 側壁
７２ 土手部
７３ 追加の傾斜面
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームにＬＥＤ素子を搭載することにより作製された半導体装置を含むものがある。
【０００３】
従来、ＬＥＤ素子用の半導体装置としては、放熱性等の観点から、ＳＯＮタイプのもの（ＳＯＮパッケージ）が開発されてきている。このようなＳＯＮパッケージにおいては、ＬＥＤ素子からの光を反射させるための反射樹脂が設けられている（例えば特許文献１参照）。このような反射樹脂をリードフレーム上に形成する場合、例えばトランスファ成形法を用いる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５６７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
トランスファ成形法においては、硬化前の樹脂材料を加熱された成型金型に入れ、金型をクランプさせた後に、プランジャーを用いて樹脂材料をリードフレーム側に流し込む。この際、樹脂材料は、ランナー部を通ってリードフレームの表面上を辿り、金型の反射樹脂に対応するキャビティ部分に充填される。しかしながら、従来、リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることが生じている。この場合、ゲートブレイク時に不具合が生じたり、異物が発生することにより製品の清浄度が低下したりするおそれがある。また、回り込んだ樹脂がリードフレームの一辺に密着した場合、力が加わった際、反射樹脂がリードフレーム表面から剥離しやすくなるおそれがある。さらに、異物が発生することにより、金型をクリーニングする必要性が増したり、連続して成形することが難しくなったりする等の問題も引き起こす。
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、リードフレームの一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームと金型とのわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることを防止することが可能な、リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、枠体と、枠体内に設けられ、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含む多数のパッケージ領域とを備え、枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【０００８】
本発明は、枠体外周のうち、ランナーに対応する領域が傾斜面となっておりその他の領域が垂直面となっていることを特徴とするリードフレームである。
【０００９】
本発明は、枠体外周の長手方向の一辺全体が傾斜面となっていることを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、枠体の外周に、ランナーに対応する領域を区画するとともに、枠体の他の部分と同一厚みをもつ土手部を設けたことを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、枠体外周のうち、土手部に対して傾斜面の反対側に位置する領域にも追加の傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【００１２】
本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、リードフレームと、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１３】
本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、リードフレームを準備する工程と、リードフレームを金型内に配置し、リードフレームの枠体の傾斜面側から反射樹脂用の樹脂材料を注入することにより、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に反射樹脂を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１４】
本発明は、反射樹脂は、トランスファ成形法によって設けられることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１５】
本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられている。これにより、反射樹脂の成形時に、枠体の一辺に沿って樹脂材料が回り込んでしまったり、リードフレームの裏面と下金型との間のわずかな隙間に樹脂材料が流れ込んでしまったりすることを防止することができる。また、ゲートブレイク時にリードフレームの外周に樹脂が残ったり、異物が発生したりすることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図１のII部拡大図）。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIII−III線断面図）。
【図４】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIV−IV線断面図）。
【図５】本発明の一実施の形態によるリードフレームの傾斜面を示す拡大斜視図。
【図６】本発明の一実施の形態によるリードフレームの各種傾斜面を示す拡大断面図。
【図７】本発明の一実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す断面図（図８のVII−VII線断面図）。
【図８】本発明の一実施の形態によるリードフレームにより作製された半導体装置を示す平面図。
【図９】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１０】本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１１】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１２】トランスファ成形法を用いて樹脂付リードフレームを作製している状態を示す概略平面図。
【図１３】ゲートブレイク時の作用を示す断面図。
【図１４】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。
【図１５】リードフレームの変形例（変形例１）を示す平面図。
【図１６】リードフレームの変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図。
【図１７】リードフレームの変形例（変形例２）を示す平面図。
【図１８】リードフレームの変形例（変形例２）を示す部分拡大平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１４を参照して説明する。
【００１９】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図６により、本実施の形態によるＬＥＤ素子搭載用リードフレームの概略について説明する。図１乃至図６は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００２０】
図１に示すリードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を搭載した半導体装置２０（図７および図８）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、矩形状の外形を有する枠体１３と、枠体１３内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、多数のパッケージ領域１４とを備えている。
【００２１】
図２に示すように、複数のパッケージ領域１４は、各々ＬＥＤ素子２１が搭載されるダイパッド２５と、ダイパッド２５に隣接するリード部２６とを含んでいる。
【００２２】
一つのパッケージ領域１４内のダイパッド２５とリード部２６との間には、隙間が形成されており、ダイシングされた後（図１４（ｅ））、ダイパッド２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。なお、各パッケージ領域１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。また、図２において、各パッケージ領域１４を二点鎖線で示している。
【００２３】
なお、本明細書において、図２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６とダイパッド２５とを左右に並べて配置した場合の横方向がＸ方向に対応し、縦方向がＹ方向に対応する。またこの場合、Ｙ方向プラス側、Ｙ方向マイナス側を、それぞれ上方、下方といい、Ｘ方向プラス側、Ｘ方向マイナス側を、それぞれ右方、左方という。
【００２４】
図２に示すように、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、それぞれリード連結部５２によって連結されている。さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、それぞれダイパッド連結部５３により連結されている。これら各リード連結部５２および各ダイパッド連結部５３は、Ｙ方向に平行に配置されている。
【００２５】
さらに、各パッケージ領域１４内のダイパッド２５は、その右方に隣接する他のパッケージ領域１４内のリード部２６と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。さらにまた、各パッケージ領域１４内のリード部２６は、その左方に隣接する他のパッケージ領域１４内のダイパッド２５と、パッケージ領域連結部５４により連結されている。各パッケージ領域連結部５４は、Ｘ方向に平行に配置されている。
【００２６】
なお、最も外周に位置するパッケージ領域１４内のリード部２６およびダイパッド２５は、リード連結部５２、ダイパッド連結部５３、およびパッケージ領域連結部５４のうちの１つまたは複数によって、枠体１３に連結されている。
【００２７】
一方、図３および図４の断面図に示すように、リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されためっき層１２とからなっている。
【００２８】
このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
【００２９】
また、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面に設けられている。表面側のめっき層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層１２は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。このめっき層１２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっている。めっき層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ〜０．２μｍとされることが好ましい。なお、めっき層１２は、必ずしもリードフレーム本体１１の表面および裏面の全体に設ける必要はなく、リードフレーム本体１１の表面および裏面のうち、一部のみに設けても良い。
【００３０】
また、ダイパッド２５の裏面に、第１のアウターリード部２７が形成され、リード部２６の底面に、第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ半導体装置２０と外部の配線基板とを接続する際に用いられる。
【００３１】
さらにリードフレーム１０の表面には、リードフレーム１０と反射樹脂２３（後述）との密着性を高めるための溝１８が形成されている。ここで、リードフレーム１０の表面とは、例えばＬＥＤ素子搭載面であり、反射樹脂２３が形成される面をいう。なお、図２においては、溝１８の表示を省略している。
【００３２】
再度図１および図２を参照すると、枠体１３は、４つの辺１３ａ〜１３ｄ（長辺１３ａ、１３ｃおよび短辺１３ｂ、１３ｄ）を有している。また、枠体１３の内部には、長辺１３ａ、１３ｃを連結する補強片１９がＹ方向に３本配置されており、各補強片１９にはパッケージ領域１４が設けられていない。
【００３３】
枠体１３の外周には、リードフレーム１０に反射樹脂２３を設ける際、後述するトランスファ成形機８０の各ランナー８４（図１１および図１２参照）が配置される領域１７が存在する（以下、ランナー８４に対応する領域１７ともいう）。本実施の形態において、枠体１３の外周のうち、各ランナー８４に対応する領域１７には、それぞれ傾斜面７０が設けられている。この場合、各傾斜面７０は、枠体１３の外周のうち各ランナー８４に対応する領域１７に設けられている。
【００３４】
図４および図５に示すように、枠体１３は、後述する反射樹脂２３を設ける側の面である表面１３ｅと、表面１３ｅの反対側に位置する裏面１３ｆとを有している。そして上述した傾斜面７０は、その断面が枠体１３の表面１３ｅから裏面１３ｆへかつ外方へ向かって徐々に降下する形状からなっている。また、傾斜面７０は、枠体１３の厚み方向全体にわたって形成されている。なお、傾斜面７０の両側には、傾斜面７０から表面１３ｅ側に向けて延びる側壁７１が設けられており、枠体１３のうち傾斜面７０の両側の部分は、枠体１３の他の部分と同一の厚みをもっている。また、枠体１３の外周のうち傾斜面７０を除く領域は、枠体１３の表面１３ｅに対して垂直な垂直面７４となっている。側壁７１は、傾斜面７０に樹脂が流れ込む際に傾斜面７０の端部が最も薄いため破損防止となっている。
【００３５】
なお、傾斜面７０の断面形状は、図６（ａ）に示すように、枠体１３の内方に向けて湾曲する２つの曲線を上下に連結したような形状からなっているが、これに限られるものではない。傾斜面７０の断面形状は、図６（ｂ）に示すように、枠体１３の内方に向けて湾曲する１つの曲線形状からなっていてもよい。あるいは、傾斜面７０の断面形状は、図６（ｃ）に示すように、枠体１３の表面１３ｅから裏面１３ｆへ延びる略直線形状からなっていてもよい。
【００３６】
ゲートブレイクの際には樹脂の弾性のため、わずかなしなりが生じる(図示せず)。
【００３７】
図６（ａ）に示す形態では、傾斜面７０の途中にある突起部を境に、樹脂がしなりながら、最も剥離されやすい外側部分が最初に剥離され、次いで内側からランナー部（後述するゲートランナー樹脂２３ｄのうちランナー８４に対応する部分）全体が剥離される。このため、外側部分が剥離されている時点では、製品部分（反射樹脂２３）への応力負荷がかかりにくい状態が保持され、内側からランナー部全体が剥離した際に、ゲート部（後述するゲートランナー樹脂２３ｄのうちゲート８５に対応する部分）へ急激な応力がかかり、ゲート部での樹脂破壊を確実なものとすることができる。
【００３８】
図６（ｂ）に示す形態においては、傾斜面７０の最初に剥離される外側部分の傾斜が最も大きくなっているため、剥離しやすいことに加え、特に裏面への樹脂の流れ込みを防ぎやすい。
【００３９】
図６（ｃ）に示す形態においては、傾斜面７０の面積が小さいため、樹脂と端面の接触が少ないため、ゲートブレイク時に応力が集中し、樹脂が残りにくい。
【００４０】
半導体装置の構成
次に、図７および図８により、図１乃至図６に示すリードフレーム１０を用いて作製された半導体装置の一実施の形態について説明する。図７および図８は、それぞれ半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。
【００４１】
図７および図８に示すように、半導体装置２０は、（個片化された）リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５に載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリードフレーム１０のリード部２６とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
【００４２】
また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂２３が設けられている。この反射樹脂２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に充填されている。
【００４３】
以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
【００４４】
ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。
【００４５】
またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂２３の凹部２３ａ内においてダイパッド２５上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
【００４６】
ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部２６上に接続されている。
【００４７】
反射樹脂２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を例えばトランスファ成形または射出成形することにより形成されたものである。反射樹脂２３の形状は、トランスファ成形または射出成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂２３の全体形状を、図７および図８に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部２３ａの底面は、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図７のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
【００４８】
反射樹脂２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリオレフィン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
【００４９】
封止樹脂２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２４が強い光にさらされるため、封止樹脂２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
【００５０】
なお、リードフレーム１０の構成については、図１乃至図６を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５１】
ＬＥＤ素子搭載用リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図６に示すリードフレーム１０の製造方法について、図９（ａ）−（ｆ）および図１０（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図９（ａ）−（ｆ）は、それぞれ図３に示す断面に対応し、図１０（ａ）−（ｆ）は、それぞれ図４に示す断面に対応している。
【００５２】
まず図９（ａ）および図１０（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００５３】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図９（ｂ）および図１０（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００５４】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図９（ｃ）および図１０（ｃ））。
【００５５】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図９（ｄ）および図１０（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。このとき、枠体１３の外周領域におけるエッチング用レジスト層３２、３３のパターン形状等を適宜調整することにより、枠体１３の外周のうちランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が形成される（図１０（ｄ））。
【００５６】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、枠体１３と、複数のダイパッド２５と、複数のリード部２６とを含むリードフレーム本体１１が得られる（図９（ｅ）および図１０（ｅ））。
【００５７】
次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（例えば銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面にめっき層１２を形成する（図９（ｆ）および図１０（ｆ））。
【００５８】
この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体１１の一部のみにめっき層１２を形成しても良い。
【００５９】
このようにして、図１乃至図６に示すリードフレーム１０が得られる（図９（ｆ）および図１０（ｆ））。
【００６０】
半導体装置の製造方法
次に、図７および図８に示す半導体装置２０の製造方法について、図１１乃至図１４を用いて説明する。
【００６１】
はじめに、図１１（ａ）−（ｉ）により、トランスファ成形法を用いてリードフレーム１０の各パッケージ領域１４周縁上に反射樹脂２３を設け、樹脂付リードフレーム３０を作製する方法について説明する。
【００６２】
まず、図１１（ａ）に示すように、上金型８１と下金型８２とを有するトランスファ成形機８０を準備する。上金型８１と下金型８２にはそれぞれ図示しないヒーターが埋設されており、各ヒーターを用いて上金型８１と下金型８２とを予め加熱しておく。
【００６３】
なお、図１１（ａ）において、上金型８１は、反射樹脂２３に対応する成形空間８３と、反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入する流路となるランナー８４とを有している。成形空間８３とランナー８４との間には、樹脂材料２３ｃを成形空間８３へ流し込む入り口となるゲート８５が設けられており、このゲート８５を介して、成形空間８３とランナー８４とが連通している。なお、ゲート８５の断面積はランナー８４の断面積より狭くなっている。さらにランナー８４には、供給される樹脂材料２３ｃのボリュームばらつきを吸収するカル部８６が連通している。一方、下金型８２にはポット部８７が上下に貫通形成されており、ポット部８７内には、樹脂材料２３ｃを圧送するプランジャー８８が昇降自在に設けられている。
【００６４】
続いて、上述したリードフレーム１０を、トランスファ成形機８０の上金型８１と下金型８２との間の所定位置に配置する（図１１（ｂ））。また、ポット部８７内のプランジャー８８上には、タブレット状または塊状の樹脂材料２３ｃがセットされる。このとき、図１２に示すように、トランスファ成形機８０の各ランナー８４は、枠体１３の各傾斜面７０上にくるように配置される。
【００６５】
次に、上金型８１および下金型８２の一方または両方を移動し、上金型８１および下金型８２を閉じて型締めするとともに、プランジャー８８を介してタブレット状または塊状の樹脂材料２３ｃを予備加熱する（図１１（ｃ））。
【００６６】
樹脂材料２３ｃが加熱されて溶融した後、プランジャー８８を上昇させる。これにより、溶融した樹脂材料２３ｃが、ランナー８４およびゲート８５を通過して、リードフレーム１０の傾斜面７０側から成形空間８３に向けて注入される（図１１（ｄ））。
【００６７】
本実施の形態においては、上述したように、枠体１３外周のうちランナー８４に対応する領域１７には、傾斜面７０が設けられている。また、傾斜面７０の両側には、傾斜面７０から表面１３ｅ側に延びる側壁７１が設けられている。これにより、ランナー８４からの溶融した樹脂材料２３ｃが、枠体１３の辺１３ａに沿って（例えば図１２の矢印方向に）回り込んでしまうことがない。さらに、樹脂材料２３ｃが、傾斜面７０に沿って枠体１３の裏面１３ｆ側から表面１３ｅ側へ円滑に流し込まれるので、樹脂材料２３ｃの進行が枠体１３の辺１３ａによって妨げられることがなく、樹脂材料２３ｃが枠体１３の裏面１３ｆと下金型８２と間のわずかな隙間に流れ込むことを防止することができる。
【００６８】
このようにして、樹脂材料２３ｃがゲート８５を介して成形空間８３内の全域に拡がった後、上金型８１および下金型８２によって成形空間８３内の圧力を一定時間保持し、樹脂材料２３ｃを硬化させる（図１１（ｅ））。このようにして、リードフレーム１０上に反射樹脂２３が形成される。
【００６９】
次いで、上金型８１および下金型８２の一方または両方を移動し、上金型８１および下金型８２を型開きすることにより、反射樹脂２３が形成されたリードフレーム１０が取り出される（図１１（ｆ）−（ｇ））。このとき、イジェクターピン８９が上金型８１から下方に突き出すことにより（図１１（ｆ））、上金型８１から反射樹脂２３を確実に取り外すことができる。なお、図１１（ｆ）−（ｇ）に示すように、リードフレーム１０および反射樹脂２３には、ランナー８４およびカル部８６内に残留して硬化されたゲートランナー樹脂２３ｄが連結されている。
【００７０】
続いて、ゲートランナー樹脂２３ｄをリードフレーム１０および反射樹脂２３に対して折り曲げることにより、ゲートランナー樹脂２３ｄがリードフレーム１０および反射樹脂２３から取り除かれる（ゲートブレイクという）（図１１（ｇ））。このとき、図１３（ａ）に示すように、枠体１３の外周に傾斜面７０が設けられていることにより、ゲートランナー樹脂２３ｄが枠体１３の外周に引掛ることがなく、ゲートランナー樹脂２３ｄをスムーズに取り除くことができる。他方、比較例として図１３（ｂ）に示すように、このような傾斜面７０を設けなかった場合、ゲートブレイク時にゲートランナー樹脂２３ｄが枠体１３の外周に引っ掛かったり、ゲートランナー樹脂２３ｄの一部が異物２３ｅとなって枠体１３に残存したりするおそれがある。
【００７１】
なお、ゲートブレイクの後、反射樹脂２３を再加熱することによりさらに硬化させるポストキュア工程や、反射樹脂２３のバリを取り除くバリ取り工程が設けられていても良い。
【００７２】
このようにして、反射樹脂２３とリードフレーム１０とが一体に形成された樹脂付リードフレーム３０が得られる（図１１（ｉ））。本実施の形態において、リードフレーム１０と、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に配置された反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０も提供する。
【００７３】
なお、リードフレーム１０上に反射樹脂２３を設ける方法としては、上述したトランスファ成形法に限らず、射出成形法、液体射出成型法等を用いても良い。この場合、リードフレーム１０を図示しない射出成型機の金型内に配置し、リードフレーム１０の枠体１３の傾斜面７０側から反射樹脂２３用の樹脂材料２３ｃを注入することにより、リードフレーム１０の各パッケージ領域１４の周縁上に反射樹脂２３を設けることができる。この場合においても、反射樹脂２３の成形時に、枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込んだり、リードフレーム１０と金型との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んだりすることを防止することができる。なお、反射樹脂２３を設ける方法として液体射出成形法を用いた場合、注入する反射樹脂２３用の樹脂材料が液体であるため、流動しやすいことから、とりわけ上述した効果を顕著に得ることができる。
【００７４】
次に、このようにして得られた樹脂付リードフレーム３０を用いて半導体装置２０を製造する方法について、図１４（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。
【００７５】
まず、例えば上述した工程により（図１１（ａ）−（ｉ））、リードフレーム１０と反射樹脂２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０を作製する（図１４（ａ））
【００７６】
次に、樹脂付リードフレーム３０の各反射樹脂２３内であって、リードフレーム１０のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド２５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１４（ｂ））。
【００７７】
次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１４（ｃ））。
【００７８】
その後、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図１４（ｄ））。
【００７９】
次に、反射樹脂２３およびリードフレーム１０のうち各パッケージ領域１４間に位置する部分を切断することにより、反射樹脂２３およびリードフレーム１０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（ダイシング工程）（図１４（ｅ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂２３、ならびにリードフレーム１０のリード連結部５２、ダイパッド連結部５３およびパッケージ領域連結部５４を切断する。
【００８０】
このようにして、図７および図８に示す半導体装置２０を得ることができる（図１４（ｆ））。
【００８１】
以上説明したように本実施の形態によれば、枠体１３の外周のうち、ランナー８４に対応する領域１７に、その断面が表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面７０が設けられている。このことにより、反射樹脂２３の成形時（図１１（ｄ）−（ｅ））に、枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込んでしまったり、リードフレーム１０と下金型８２との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込んでしまったりすることを防止することができる。また、ゲートブレイク時（図１１（ｈ））に、リードフレーム１０に樹脂が残ったり、異物が発生したりすることを防止することができる。したがって、トランスファ成形機８０の上金型８１や下金型８２をクリーニングする必要性が減少し、反射樹脂２３を連続して成形することが容易となる。
【００８２】
また、本実施の形態によれば、傾斜面７０は、リードフレーム１０の製造工程（図９（ｄ）および図１０（ｄ））において、枠体１３、ダイパッド２５およびリード部２６とともにエッチングにより一度に形成されるので、傾斜面７０を形成するための追加のコストが新たに発生することもない。
【００８３】
リードフレームの変形例
次に、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１〜変形例２）について、図１５乃至図１８を参照して説明する。図１５乃至図１８において、図１乃至図１４に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００８４】
変形例１
図１５および図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例１）によるリードフレーム１０Ａを示す図である。このうち図１５は、リードフレーム１０Ａを示す平面図（図１に対応する図）であり、図１６は、リードフレーム１０Ａを示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。
【００８５】
図１５および図１６に示すリードフレーム１０Ａにおいて、図１乃至図１４に示す実施の形態と異なり、傾斜面７０は、枠体１３の外周のうち、ランナー８４に対応する領域１７だけでなく、枠体１３の一辺１３ａ全体に形成されている。
【００８６】
このように、枠体１３の長手方向の一辺１３ａ全体が傾斜面７０となっていることにより、ランナー８４の位置が辺１３ａに沿ってＸ方向にずれた場合であっても、反射樹脂２３の成形時に、リードフレーム１０と下金型８２との間のわずかな隙間に樹脂材料２３ｃが流れ込むことや、ゲートブレイク時にリードフレーム１０に樹脂が残ることを防止することができる。
【００８７】
変形例２
図１７および図１８は、本実施の形態の一変形例（変形例２）によるリードフレーム１０Ｂを示す図である。このうち図１７は、リードフレーム１０Ｂを示す平面図（図１に対応する図）であり、図１８は、リードフレーム１０Ｂを示す部分拡大平面図（図２に対応する図）である。
【００８８】
図１７および図１８に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、枠体１３の外周に、ランナー８４に対応する領域１７を区画するとともに、枠体１３の他の部分と同一厚みをもつ土手部７２が設けられている。すなわち土手部７２は、傾斜面７０の両側に沿って立設されている。さらに、枠体１３外周のうち、土手部７２の外側、すなわち土手部７２に対して傾斜面７０の反対側に位置する領域にも傾斜面（追加の傾斜面）７３が設けられている。この場合、傾斜面７３は、枠体１３の一辺１３ａのうち、土手部７２以外の領域全てに設けられている。また、傾斜面７３は、傾斜面７０と略同一の断面形状を有しており、表面１３ｅから裏面１３ｆへ外方へ向かって徐々に降下する断面形状となっている。
【００８９】
この場合であっても、図１乃至図１４に示す実施の形態と同様、土手部７２によって枠体１３の一辺１３ａに沿って樹脂材料２３ｃが回り込むことを防止することができる。このほか、上述した図１乃至図１４に示す実施の形態の効果と略同様の効果を得ることもできる。
【符号の説明】
【００９０】
１０、１０Ａ、１０Ｂ リードフレーム
１１ リードフレーム本体
１２ めっき層
１３ 枠体
１４ パッケージ領域
１７ ランナーに対応する領域
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 反射樹脂
２４ 封止樹脂
２５ ダイパッド
２６ リード部
２７ 第１のアウターリード部
２８ 第２のアウターリード部
３０ 樹脂付リードフレーム
５２ リード連結部
５３ ダイパッド連結部
５４ パッケージ領域連結部
７０ 傾斜面
７１ 側壁
７２ 土手部
７３ 追加の傾斜面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体と、
枠体内に設けられ、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含む多数のパッケージ領域とを備え、
枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
枠体外周のうち、ランナーに対応する領域が傾斜面となっておりその他の領域が垂直面となっていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
枠体外周の長手方向の一辺全体が傾斜面となっていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項４】
枠体の外周に、ランナーに対応する領域を区画するとともに、枠体の他の部分と同一厚みをもつ土手部を設けたことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項５】
枠体外周のうち、土手部に対して傾斜面の反対側に位置する領域にも追加の傾斜面が設けられていることを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
樹脂付リードフレームにおいて、
請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレームと、
リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
【請求項７】
樹脂付リードフレームの製造方法において、
請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
リードフレームを金型内に配置し、リードフレームの枠体の傾斜面側から反射樹脂用の樹脂材料を注入することにより、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に反射樹脂を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項８】
反射樹脂は、トランスファ成形法によって設けられることを特徴とする請求項７記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項９】
半導体装置の製造方法において、
請求項７または８記載の樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
ＬＥＤ素子搭載用リードフレームにおいて、
枠体と、
枠体内に設けられ、各々がＬＥＤ素子が搭載されるダイパッドと、ダイパッドに隣接するリード部とを含む多数のパッケージ領域とを備え、
枠体外周のうち、少なくとも反射樹脂用の樹脂材料を注入するランナーに対応する領域に、その断面が表面から裏面へ外方へ向かって徐々に降下する傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
枠体外周のうち、ランナーに対応する領域が傾斜面となっておりその他の領域が垂直面となっていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
枠体外周の長手方向の一辺全体が傾斜面となっていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項４】
枠体の外周に、ランナーに対応する領域を区画するとともに、枠体の他の部分と同一厚みをもつ土手部を設けたことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項５】
枠体外周のうち、土手部に対して傾斜面の反対側に位置する領域にも追加の傾斜面が設けられていることを特徴とする請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
樹脂付リードフレームにおいて、
請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレームと、
リードフレームの各パッケージ領域周縁上に配置された反射樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
【請求項７】
樹脂付リードフレームの製造方法において、
請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
リードフレームを金型内に配置し、リードフレームの枠体の傾斜面側から反射樹脂用の樹脂材料を注入することにより、リードフレームの各パッケージ領域周縁上に反射樹脂を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項８】
反射樹脂は、トランスファ成形法によって設けられることを特徴とする請求項７記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項９】
半導体装置の製造方法において、
請求項７または８記載の樹脂付リードフレームの製造方法により、樹脂付リードフレームを作製する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内であって各ダイパッド上にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
ＬＥＤ素子と各リード部とを導電部により接続する工程と、
樹脂付リードフレームの各反射樹脂内に封止樹脂を充填する工程と、
反射樹脂およびリードフレームを切断することにより、反射樹脂およびリードフレームをＬＥＤ素子毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−１１５１１５（Ｐ２０１３−１１５１１５Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５７６６２（Ｐ２０１１−２５７６６２）
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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