光半導体装置およびその製造方法
【課題】 多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１と、該光半導体素子１を設置するためのリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記リードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有する光半導体装置であって、前記リードフレーム２、２は、前記封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域４を有している。
【解決手段】 光半導体素子１と、該光半導体素子１を設置するためのリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記リードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有する光半導体装置であって、前記リードフレーム２、２は、前記封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域４を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ・半導体レーザー・受光デバイスなどの光半導体装置の製造工程においては、一般に、圧延鋼板よりリードフレームを打ち抜き、しかる後、リードフレームに光半導体素子を設置し、次いで、光半導体素子と前記リードフレームの一部を樹脂で封止する工程がなされる。
【０００３】
このような製造工程において、圧延鋼板よりリードフレームを打ち抜く際に、型抜き部に型を抜く方向に向かってバリが発生し、光半導体素子と前記リードフレームの一部を樹脂で封止する工程で、樹脂の表面張力により型抜き部に発生したバリを伝ってリードフレームを樹脂が這い上がり、リードフレームに這い上がった樹脂は実装基板への実装のための半田との濡れ性を阻害するという問題が生じることがある。
【０００４】
すなわち、樹脂注入工程から樹脂硬化工程に至る時間は、バッチ処理のため工程・樹脂注入タイミングによって異なり、樹脂注入工程から樹脂硬化工程に至る時間が長くなると、樹脂の表面張力により型抜き部に発生したバリを伝ってリード部を樹脂が這い上がる。その状態で硬化すると、リード部のはんだ濡れ性を阻害してしまう。
【０００５】
特許文献１、特許文献２には、このような樹脂の這い上がりを防止する技術が提案されている。
【０００６】
すなわち、特許文献１では、封止樹脂加熱硬化前にリードフレーム表面上の封止樹脂隣接域に離型剤のコーティングを施し、樹脂の這い上がりを防止するようにしている。
【０００７】
また、特許文献２では、リードフレーム打ち抜き加工の際に生じる突起状のバリ部分を半田付け領域を対象に平坦化するようにプレス型で追加加工し、且つリード電極表面に無光沢メッキが施すことで樹脂の這い上がりを防止するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−０８６４８４号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１では、常に安定して一様のコーティングが施されているかの確認が難しく、作業者のスキルに負う部分が多くなるため管理コストがかかってしまうという問題があった。
【００１０】
また、特許文献２では、通常の打ち抜き型の他に複雑な構成の精度の高いプレス金型が必要であり、初期費用がかさんでしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有していることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光半導体装置において、前記封止樹脂部を囲み、少なくとも一部が前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部をさらに有し、前記バリ反転領域の前記光半導体素子設置側の端部は、前記カバー部の最も低い底面よりも前記封止樹脂部側に設けられていることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項３記載の発明は、圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有していることを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、請求項２記載の発明によれば、光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有しているので、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明によれば、圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有しているので、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の光半導体装置の一構成例を示す図である。
【図２】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図３】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図４】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図５】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図６】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図７】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図８】本発明の光半導体装置の他の構成例を示す図である。
【図９】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１０】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１１】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１２】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１３】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１４】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１５】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１６】リードフレームが挿入される前のカバー部（樹脂ケース）を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の光半導体装置の一構成例を示す図である。なお、図１（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図である。図１（ａ），（ｂ）を参照すると、この光半導体装置１０は、光半導体素子１と、いずれか一方に前記光半導体素子１が設置される一対のリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記一対のリードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有している。
【００２０】
そして、一対のリードフレーム２、２は、封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域（つまり、樹脂で封止されていない領域）において、バリ反転領域４を有している。リードフレーム２、２はそれぞれ、対向する面のいずれかにバリを有し、もう一方の面は平坦な面となっているが、バリ反転領域４では、バリを有する面と平坦な面が、他の領域とは異なる面となっている。なお、図１（ｂ）において、符号３ｂは封止樹脂部３の這い上がり部であり、符号６、７はバリであり、符号９はワイヤである。
【００２１】
図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ），（ｂ）、図４（ａ），（ｂ）、図５（ａ），（ｂ）、図６（ａ），（ｂ）、図７（ａ），（ｂ）は、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置の製造工程例を示す図である。なお、図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は正面図、図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は側面図である。
【００２２】
図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製するには、先ず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、圧延鋼板から姿勢保持用タイバー１５およびバリ反転用タイバー１４を残してリードフレーム２を一方の方向に向けて（例えば、紙面を押す向きに）型抜きする（第１型抜き工程）。この第１型抜き工程により、図２（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー１５およびバリ反転用タイバー１４の部分を残して、リードフレーム２には一方の向きＤ１のバリ６が生じる。
【００２３】
次いで、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第１型抜き工程がなされた図２（ａ），（ｂ）の状態のリードフレーム２に対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から（例えば、紙面を手前の向きに）前記バリ反転用タイバー１４を型抜きし、リードフレーム２にバリ反転領域４を設ける（第２型抜き工程）。すなわち、この第２型抜き工程により、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム２のバリ反転用タイバー１４を型抜きした部分には、前記一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ７が生じ、一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ７が生じている領域がバリ反転領域４となる。
【００２４】
しかる後、図４（ａ），（ｂ）に示すように、光半導体素子１を一対のリードフレーム２、２のうちの一方のリードフレーム２の一方の端部に設置する。そして、一対のリードフレーム２、２のうちの他方のリードフレーム２と光半導体素子１とをワイヤ９でボンディングする。
【００２５】
次いで、図５（ａ），（ｂ）に示すように、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）３が充填されている型１１内に、光半導体素子１およびリードフレーム２、２の一方の端部をバリ反転領域４は露出させるように浸す。また、バリ反転領域４より光半導体素子１側にあるバリ６の一部は、溶融された樹脂に浸され、一部は露出される。このとき、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）３は、バリ６の浸された一部から露出された一部を伝ってリードフレーム２、２を這い上がるが（符号３ｂが樹脂３の這い上がり部分である）、樹脂３の這い上がりは、バリ反転領域４に達したところで、バリ６が存在していた面は平坦な面となるため停止する。よって、そのまま樹脂硬化することで、底面３ａからバリ反転領域４までしか樹脂が這い上がっていない状態とすることが出来る。リードフレーム２、２のバリ６の対向する面もわずかに樹脂は這い上がってくるが、平坦な面となっているためバリ反転領域４までは達せずに停止する。これにより、図６（ａ），（ｂ）に示すように、光半導体素子１およびリードフレーム２、２の一方の端部をバリ反転領域４よりも先には樹脂３が這い上がらないように樹脂３で封止することができる。
【００２６】
しかる後、図７（ａ），（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー１５を型抜きすることで、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製することができる。図１（ａ），（ｂ）では、リードフレーム２、２に、それぞれ、バリ反転用タイバー１４と姿勢保持用タイバー１５の２箇所のタイバーの型抜き跡が残ることになる。図１（ａ）の正面図においてリードフレーム２、２の幅が他の領域に比べ広い領域がタイバーの型抜き跡となる。バリ反転用タイバー１４は姿勢保持用タイバー１５よりも封止樹脂部３側に設けられていたため、バリ反転領域４は封止樹脂部３側のタイバー型抜き跡に存在する。
【００２７】
このように、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置では、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができ、これにより、実装基板への実装のための半田付け工程でリード部（リードフレーム）のはんだ濡れ不良が生じるのを防止できる。
【００２８】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の光半導体装置の他の構成例を示す図である。なお、図８（ａ）は正面図、図８（ｂ）は側面図、図８（ｃ）は上面図である。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照すると、この光半導体装置４０は、９個の光半導体素子２１と、９個の光半導体素子２１がそれぞれ設置されるリードフレーム（９個のリードフレーム）２２と、９個のリードフレーム２２のそれぞれと一対のリードフレームをなし、９個の光半導体素子２１とワイヤ２９でボンディングされる１個のリードフレーム３２と、９個の光半導体素子２１および前記一対のリードフレーム２２、３２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部２３とを有している。
【００２９】
そして、この光半導体装置４０は、封止樹脂部２３を囲み、少なくとも一部が封止樹脂部２３の底面２３ａよりも光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部（樹脂ケース）３４をさらに有している。ここで、カバー部３４には、各光半導体素子２１からの光をそれぞれ出射させるための出射窓が開口３５として設けられている。また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４は、両側端部に突起状部分３６を有している。
【００３０】
この光半導体装置４０においても、９個のリードフレーム２２、および、１個のリードフレーム３２は、封止樹脂部２３の底面２３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域（つまり、樹脂で封止されていない領域）において、バリ反転領域２４を有している。リードフレーム２２、３２はそれぞれ、対向する面のいずれかにバリを有し、もう一方の面は平坦な面となっているが、バリ反転領域２４では、バリを有する面と平坦な面が、他の領域とは異なる面となっている。ここで、バリ反転領域２４は、カバー部３４の最も低い底面（図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部の突起状部分３６の底面３６ａ）よりも前記封止樹脂部２３側に設けられている。なお、図８（ａ），（ｂ）において、符号２３ｂは封止樹脂部２３の這い上がり部であり、符号２６、２７はバリである。
【００３１】
図９（ａ），（ｂ）、図１０（ａ），（ｂ）、図１１（ａ），（ｂ）、図１２（ａ），（ｂ）、図１３（ａ），（ｂ）、図１４（ａ），（ｂ）、図１５（ａ），（ｂ）は、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置の製造工程例を示す図である。なお、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）は平面図、図１４（ａ）、図１５（ａ）は正面図、図９（ｂ）、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）は、それぞれ、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）のＡ−Ａ線における側面図、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）は、それぞれ、図１４（ａ）、図１５（ａ）の側面図である。
【００３２】
図８（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製するには、先ず、図９（ａ），（ｂ）に示すように、圧延鋼板から姿勢保持用タイバー４５およびバリ反転用タイバー４４を残してリードフレーム２２、３２を一方の方向に向けて（例えば、紙面を押す向きに）型抜きする（第１型抜き工程）。この第１型抜き工程により、図９（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー４５およびバリ反転用タイバー４４の部分を残して、リードフレーム２２、３２には一方の向きＤ１のバリ２６が生じる。
【００３３】
次いで、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、第１型抜き工程がなされた図９（ａ），（ｂ）の状態のリードフレーム２２、３２に対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から（例えば、紙面を手前の向きに）前記バリ反転用タイバー４４を型抜きし、リードフレーム２２、３２にバリ反転領域２４を設ける（第２型抜き工程）。すなわち、この第２型抜き工程により、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２のバリ反転用タイバー４４を型抜きした部分には、前記一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ２７が生じ、一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ２７が生じている領域がバリ反転領域２４となる。
【００３４】
しかる後、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、９個の光半導体素子２１を一対のリードフレーム２２、３２のうちの一方のリードフレーム２２（９個のリードフレーム２２）の端部に設置する。そして、一対のリードフレーム２２、３２のうちの他方のリードフレーム３２（１個のリードフレーム３２）と光半導体素子２１とをワイヤ２９でボンディングする。
【００３５】
次いで、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー４５を型抜きする。
【００３６】
次いで、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２を折り曲げ位置のところで、矢印Ｍの向きに折り曲げる。折り曲げ位置は、リードフレーム２２それぞれのバリ反転領域２４よりも光半導体素子２１の設置位置に近い位置となる。
【００３７】
次いで、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２の図１３（ａ），（ｂ）に符号Ｒで示す面（光半導体素子２１およびワイヤ２９の搭載面）をカバー部（樹脂ケース）３４に挿入する。なお、図１６（ａ），（ｂ）には、リードフレーム２２、３２が挿入される前のカバー部（樹脂ケース）３４が示されている。ここで、図１６（ａ）は正面図、図１６（ｂ）は上面図である。図１６（ａ）に示されているカバー部（樹脂ケース）３４は、樹脂を注入する前の状態のものであって、このカバー部（樹脂ケース）３４には、樹脂注入時に樹脂漏れを防ぐための耐熱フィルム３７がカバー部（樹脂ケース）３４の表面（開口３５が設けられている面）に設けられている。すなわち、後述の樹脂注入時には、樹脂は、カバー部（樹脂ケース）３４の開口３５内にも入り込むため、耐熱フィルム３７が設けられてないと、樹脂漏れが生じるが、耐熱フィルム３７を設けることによって、樹脂漏れを防止できる。そして、耐熱フィルム３７は、樹脂硬化後に剥される。
【００３８】
このようにしてリードフレーム２２、３２の図１３（ａ），（ｂ）に符号Ｒで示す面を先頭にしてカバー部（樹脂ケース）３４に挿入した後、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、カバー部（樹脂ケース）３４内に溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３を高さＨまで注入する（符号２３ａが樹脂２３の高さＨの位置である（すなわち、樹脂２３の底面となる））。すなわち、リードフレーム２２、３２のバリ反転領域２４は露出させるように樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３を注入する。また、バリ反転領域２４より光半導体素子２１側にあるバリ２６の一部は、溶融された樹脂に浸され、一部は露出される。
【００３９】
このとき、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３は、バリ２６の浸された一部から露出された一部を伝ってリードフレーム２２、３２を這い上がるが（符号２３ｂが樹脂２３の這い上がり部分である）、樹脂２３の這い上がりは、バリ反転領域２４に達したところで停止する。リードフレーム２２、２３のバリ２６の反対側もわずかに樹脂は這い上がってくるが、平坦な面となっているためバリ反転領域２４までは達せずに停止する。これにより、光半導体素子２１およびリードフレーム２２、３２の一方の端部をバリ反転領域２４よりも先には樹脂２３が這い上がらないように樹脂２３で封止することができる。このようにして、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置を作製することができる。
【００４０】
このように、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置４０では、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができ、また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置４０では、バリ反転領域２４の光半導体素子設置側の端部は、カバー部３４の最も低い底面（図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部の突起状部分３６の底面３６ａ）よりも封止樹脂部２３側に設けられている。本発明の光半導体装置を実装基板に実装する際は、カバー部３４の最も低い底面が実装基板に接することになる。光半導体装置を実装基板に固定するための半田は、実装基板の樹脂ケース３４がある面とは反対側の面であって、差し込まれたリードフレーム２２、３２が突出されている位置に設けられる。よって、カバー部３４の最も低い底面よりもバリ反転領域２４が樹脂２３側に設けられていることによって、バリ反転領域２４は、半田付け箇所に樹脂が到達することを確実に防ぐことが出来る。樹脂這い上がりが停止するのは半導体素子設置側のバリ反転領域２３の端部であるため、この端部がカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあればよい。バリ反転領域２３の端部とはリードフレーム２２、３２においてバリ反転領域２３と他の領域との境界部分のことである。また仮に、一方の端部のみで樹脂這い上がりを防ぎきることが出来なかったとしても、バリ反転領域２４において這い上がってきた樹脂はリードフレーム２２、３２の対向する面に回りこみバリ２７を伝っていくことになり、もう一方の端部に樹脂が到達してもそこからは平坦な面となるためここでも樹脂這い上がりを防ぐ。つまり、バリ反転領域２４のもう一方の端部もカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあれば、２重で這い上がり防ぐことが可能となる。よって、バリ反転領域２４全体がカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあることが望ましい。
【００４１】
なお、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４には、光半導体素子２１が設けられていないところにも開口３５を設けているが、光半導体素子２１が設けられていないところには、開口３５を設けなくても良い。
【００４２】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部に突起状部分３６を設けているが、突起状部分３６は、カバー部３４の両側端部に限らず、任意のところに設けることもできる。あるいは、カバー部３４の全周を突起状部分３６と同様の高さのものにすることもできる（この場合には、カバー部３４の外周の全てが突起状部分となる）。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、ランプタイプのＬＥＤ・半導体レーザー・受光デバイスや、樹脂ケース付きデバイスなどのリードフレームを使用するものに利用可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 光半導体素子
２ リードフレーム
３ 封止樹脂部
４ バリ反転領域
６、７ バリ
９ ワイヤ
１４ バリ反転用タイバー
１５ 姿勢保持用タイバー
２１ 光半導体素子
２２、３２ リードフレーム
２３ 封止樹脂部
２４ バリ反転領域
２６、２７ バリ
２９ ワイヤ
３４ カバー部（樹脂ケース）
４４ バリ反転用タイバー
４５ 姿勢保持用タイバー
１０、４０ 光半導体装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ・半導体レーザー・受光デバイスなどの光半導体装置の製造工程においては、一般に、圧延鋼板よりリードフレームを打ち抜き、しかる後、リードフレームに光半導体素子を設置し、次いで、光半導体素子と前記リードフレームの一部を樹脂で封止する工程がなされる。
【０００３】
このような製造工程において、圧延鋼板よりリードフレームを打ち抜く際に、型抜き部に型を抜く方向に向かってバリが発生し、光半導体素子と前記リードフレームの一部を樹脂で封止する工程で、樹脂の表面張力により型抜き部に発生したバリを伝ってリードフレームを樹脂が這い上がり、リードフレームに這い上がった樹脂は実装基板への実装のための半田との濡れ性を阻害するという問題が生じることがある。
【０００４】
すなわち、樹脂注入工程から樹脂硬化工程に至る時間は、バッチ処理のため工程・樹脂注入タイミングによって異なり、樹脂注入工程から樹脂硬化工程に至る時間が長くなると、樹脂の表面張力により型抜き部に発生したバリを伝ってリード部を樹脂が這い上がる。その状態で硬化すると、リード部のはんだ濡れ性を阻害してしまう。
【０００５】
特許文献１、特許文献２には、このような樹脂の這い上がりを防止する技術が提案されている。
【０００６】
すなわち、特許文献１では、封止樹脂加熱硬化前にリードフレーム表面上の封止樹脂隣接域に離型剤のコーティングを施し、樹脂の這い上がりを防止するようにしている。
【０００７】
また、特許文献２では、リードフレーム打ち抜き加工の際に生じる突起状のバリ部分を半田付け領域を対象に平坦化するようにプレス型で追加加工し、且つリード電極表面に無光沢メッキが施すことで樹脂の這い上がりを防止するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−０８６４８４号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１では、常に安定して一様のコーティングが施されているかの確認が難しく、作業者のスキルに負う部分が多くなるため管理コストがかかってしまうという問題があった。
【００１０】
また、特許文献２では、通常の打ち抜き型の他に複雑な構成の精度の高いプレス金型が必要であり、初期費用がかさんでしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有していることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光半導体装置において、前記封止樹脂部を囲み、少なくとも一部が前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部をさらに有し、前記バリ反転領域の前記光半導体素子設置側の端部は、前記カバー部の最も低い底面よりも前記封止樹脂部側に設けられていることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項３記載の発明は、圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有していることを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１、請求項２記載の発明によれば、光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有しているので、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明によれば、圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有しているので、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の光半導体装置の一構成例を示す図である。
【図２】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図３】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図４】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図５】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図６】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図７】図１の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図８】本発明の光半導体装置の他の構成例を示す図である。
【図９】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１０】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１１】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１２】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１３】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１４】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１５】図８の光半導体装置の製造工程例を示す図である。
【図１６】リードフレームが挿入される前のカバー部（樹脂ケース）を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の光半導体装置の一構成例を示す図である。なお、図１（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図である。図１（ａ），（ｂ）を参照すると、この光半導体装置１０は、光半導体素子１と、いずれか一方に前記光半導体素子１が設置される一対のリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記一対のリードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有している。
【００２０】
そして、一対のリードフレーム２、２は、封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域（つまり、樹脂で封止されていない領域）において、バリ反転領域４を有している。リードフレーム２、２はそれぞれ、対向する面のいずれかにバリを有し、もう一方の面は平坦な面となっているが、バリ反転領域４では、バリを有する面と平坦な面が、他の領域とは異なる面となっている。なお、図１（ｂ）において、符号３ｂは封止樹脂部３の這い上がり部であり、符号６、７はバリであり、符号９はワイヤである。
【００２１】
図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ），（ｂ）、図４（ａ），（ｂ）、図５（ａ），（ｂ）、図６（ａ），（ｂ）、図７（ａ），（ｂ）は、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置の製造工程例を示す図である。なお、図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は正面図、図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は側面図である。
【００２２】
図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製するには、先ず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、圧延鋼板から姿勢保持用タイバー１５およびバリ反転用タイバー１４を残してリードフレーム２を一方の方向に向けて（例えば、紙面を押す向きに）型抜きする（第１型抜き工程）。この第１型抜き工程により、図２（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー１５およびバリ反転用タイバー１４の部分を残して、リードフレーム２には一方の向きＤ１のバリ６が生じる。
【００２３】
次いで、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第１型抜き工程がなされた図２（ａ），（ｂ）の状態のリードフレーム２に対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から（例えば、紙面を手前の向きに）前記バリ反転用タイバー１４を型抜きし、リードフレーム２にバリ反転領域４を設ける（第２型抜き工程）。すなわち、この第２型抜き工程により、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム２のバリ反転用タイバー１４を型抜きした部分には、前記一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ７が生じ、一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ７が生じている領域がバリ反転領域４となる。
【００２４】
しかる後、図４（ａ），（ｂ）に示すように、光半導体素子１を一対のリードフレーム２、２のうちの一方のリードフレーム２の一方の端部に設置する。そして、一対のリードフレーム２、２のうちの他方のリードフレーム２と光半導体素子１とをワイヤ９でボンディングする。
【００２５】
次いで、図５（ａ），（ｂ）に示すように、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）３が充填されている型１１内に、光半導体素子１およびリードフレーム２、２の一方の端部をバリ反転領域４は露出させるように浸す。また、バリ反転領域４より光半導体素子１側にあるバリ６の一部は、溶融された樹脂に浸され、一部は露出される。このとき、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）３は、バリ６の浸された一部から露出された一部を伝ってリードフレーム２、２を這い上がるが（符号３ｂが樹脂３の這い上がり部分である）、樹脂３の這い上がりは、バリ反転領域４に達したところで、バリ６が存在していた面は平坦な面となるため停止する。よって、そのまま樹脂硬化することで、底面３ａからバリ反転領域４までしか樹脂が這い上がっていない状態とすることが出来る。リードフレーム２、２のバリ６の対向する面もわずかに樹脂は這い上がってくるが、平坦な面となっているためバリ反転領域４までは達せずに停止する。これにより、図６（ａ），（ｂ）に示すように、光半導体素子１およびリードフレーム２、２の一方の端部をバリ反転領域４よりも先には樹脂３が這い上がらないように樹脂３で封止することができる。
【００２６】
しかる後、図７（ａ），（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー１５を型抜きすることで、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製することができる。図１（ａ），（ｂ）では、リードフレーム２、２に、それぞれ、バリ反転用タイバー１４と姿勢保持用タイバー１５の２箇所のタイバーの型抜き跡が残ることになる。図１（ａ）の正面図においてリードフレーム２、２の幅が他の領域に比べ広い領域がタイバーの型抜き跡となる。バリ反転用タイバー１４は姿勢保持用タイバー１５よりも封止樹脂部３側に設けられていたため、バリ反転領域４は封止樹脂部３側のタイバー型抜き跡に存在する。
【００２７】
このように、図１（ａ），（ｂ）の光半導体装置では、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができ、これにより、実装基板への実装のための半田付け工程でリード部（リードフレーム）のはんだ濡れ不良が生じるのを防止できる。
【００２８】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の光半導体装置の他の構成例を示す図である。なお、図８（ａ）は正面図、図８（ｂ）は側面図、図８（ｃ）は上面図である。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照すると、この光半導体装置４０は、９個の光半導体素子２１と、９個の光半導体素子２１がそれぞれ設置されるリードフレーム（９個のリードフレーム）２２と、９個のリードフレーム２２のそれぞれと一対のリードフレームをなし、９個の光半導体素子２１とワイヤ２９でボンディングされる１個のリードフレーム３２と、９個の光半導体素子２１および前記一対のリードフレーム２２、３２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部２３とを有している。
【００２９】
そして、この光半導体装置４０は、封止樹脂部２３を囲み、少なくとも一部が封止樹脂部２３の底面２３ａよりも光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部（樹脂ケース）３４をさらに有している。ここで、カバー部３４には、各光半導体素子２１からの光をそれぞれ出射させるための出射窓が開口３５として設けられている。また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４は、両側端部に突起状部分３６を有している。
【００３０】
この光半導体装置４０においても、９個のリードフレーム２２、および、１個のリードフレーム３２は、封止樹脂部２３の底面２３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域（つまり、樹脂で封止されていない領域）において、バリ反転領域２４を有している。リードフレーム２２、３２はそれぞれ、対向する面のいずれかにバリを有し、もう一方の面は平坦な面となっているが、バリ反転領域２４では、バリを有する面と平坦な面が、他の領域とは異なる面となっている。ここで、バリ反転領域２４は、カバー部３４の最も低い底面（図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部の突起状部分３６の底面３６ａ）よりも前記封止樹脂部２３側に設けられている。なお、図８（ａ），（ｂ）において、符号２３ｂは封止樹脂部２３の這い上がり部であり、符号２６、２７はバリである。
【００３１】
図９（ａ），（ｂ）、図１０（ａ），（ｂ）、図１１（ａ），（ｂ）、図１２（ａ），（ｂ）、図１３（ａ），（ｂ）、図１４（ａ），（ｂ）、図１５（ａ），（ｂ）は、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置の製造工程例を示す図である。なお、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）は平面図、図１４（ａ）、図１５（ａ）は正面図、図９（ｂ）、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）は、それぞれ、図９（ａ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）のＡ−Ａ線における側面図、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）は、それぞれ、図１４（ａ）、図１５（ａ）の側面図である。
【００３２】
図８（ａ），（ｂ）の光半導体装置を作製するには、先ず、図９（ａ），（ｂ）に示すように、圧延鋼板から姿勢保持用タイバー４５およびバリ反転用タイバー４４を残してリードフレーム２２、３２を一方の方向に向けて（例えば、紙面を押す向きに）型抜きする（第１型抜き工程）。この第１型抜き工程により、図９（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー４５およびバリ反転用タイバー４４の部分を残して、リードフレーム２２、３２には一方の向きＤ１のバリ２６が生じる。
【００３３】
次いで、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、第１型抜き工程がなされた図９（ａ），（ｂ）の状態のリードフレーム２２、３２に対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から（例えば、紙面を手前の向きに）前記バリ反転用タイバー４４を型抜きし、リードフレーム２２、３２にバリ反転領域２４を設ける（第２型抜き工程）。すなわち、この第２型抜き工程により、図１０（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２のバリ反転用タイバー４４を型抜きした部分には、前記一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ２７が生じ、一方の向きＤ１とは反対の向きＤ２のバリ２７が生じている領域がバリ反転領域２４となる。
【００３４】
しかる後、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、９個の光半導体素子２１を一対のリードフレーム２２、３２のうちの一方のリードフレーム２２（９個のリードフレーム２２）の端部に設置する。そして、一対のリードフレーム２２、３２のうちの他方のリードフレーム３２（１個のリードフレーム３２）と光半導体素子２１とをワイヤ２９でボンディングする。
【００３５】
次いで、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、姿勢保持用タイバー４５を型抜きする。
【００３６】
次いで、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２を折り曲げ位置のところで、矢印Ｍの向きに折り曲げる。折り曲げ位置は、リードフレーム２２それぞれのバリ反転領域２４よりも光半導体素子２１の設置位置に近い位置となる。
【００３７】
次いで、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、リードフレーム２２、３２の図１３（ａ），（ｂ）に符号Ｒで示す面（光半導体素子２１およびワイヤ２９の搭載面）をカバー部（樹脂ケース）３４に挿入する。なお、図１６（ａ），（ｂ）には、リードフレーム２２、３２が挿入される前のカバー部（樹脂ケース）３４が示されている。ここで、図１６（ａ）は正面図、図１６（ｂ）は上面図である。図１６（ａ）に示されているカバー部（樹脂ケース）３４は、樹脂を注入する前の状態のものであって、このカバー部（樹脂ケース）３４には、樹脂注入時に樹脂漏れを防ぐための耐熱フィルム３７がカバー部（樹脂ケース）３４の表面（開口３５が設けられている面）に設けられている。すなわち、後述の樹脂注入時には、樹脂は、カバー部（樹脂ケース）３４の開口３５内にも入り込むため、耐熱フィルム３７が設けられてないと、樹脂漏れが生じるが、耐熱フィルム３７を設けることによって、樹脂漏れを防止できる。そして、耐熱フィルム３７は、樹脂硬化後に剥される。
【００３８】
このようにしてリードフレーム２２、３２の図１３（ａ），（ｂ）に符号Ｒで示す面を先頭にしてカバー部（樹脂ケース）３４に挿入した後、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、カバー部（樹脂ケース）３４内に溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３を高さＨまで注入する（符号２３ａが樹脂２３の高さＨの位置である（すなわち、樹脂２３の底面となる））。すなわち、リードフレーム２２、３２のバリ反転領域２４は露出させるように樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３を注入する。また、バリ反転領域２４より光半導体素子２１側にあるバリ２６の一部は、溶融された樹脂に浸され、一部は露出される。
【００３９】
このとき、溶融した樹脂（例えばエポキシ樹脂）２３は、バリ２６の浸された一部から露出された一部を伝ってリードフレーム２２、３２を這い上がるが（符号２３ｂが樹脂２３の這い上がり部分である）、樹脂２３の這い上がりは、バリ反転領域２４に達したところで停止する。リードフレーム２２、２３のバリ２６の反対側もわずかに樹脂は這い上がってくるが、平坦な面となっているためバリ反転領域２４までは達せずに停止する。これにより、光半導体素子２１およびリードフレーム２２、３２の一方の端部をバリ反転領域２４よりも先には樹脂２３が這い上がらないように樹脂２３で封止することができる。このようにして、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置を作製することができる。
【００４０】
このように、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置４０では、多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することができ、また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の光半導体装置４０では、バリ反転領域２４の光半導体素子設置側の端部は、カバー部３４の最も低い底面（図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部の突起状部分３６の底面３６ａ）よりも封止樹脂部２３側に設けられている。本発明の光半導体装置を実装基板に実装する際は、カバー部３４の最も低い底面が実装基板に接することになる。光半導体装置を実装基板に固定するための半田は、実装基板の樹脂ケース３４がある面とは反対側の面であって、差し込まれたリードフレーム２２、３２が突出されている位置に設けられる。よって、カバー部３４の最も低い底面よりもバリ反転領域２４が樹脂２３側に設けられていることによって、バリ反転領域２４は、半田付け箇所に樹脂が到達することを確実に防ぐことが出来る。樹脂這い上がりが停止するのは半導体素子設置側のバリ反転領域２３の端部であるため、この端部がカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあればよい。バリ反転領域２３の端部とはリードフレーム２２、３２においてバリ反転領域２３と他の領域との境界部分のことである。また仮に、一方の端部のみで樹脂這い上がりを防ぎきることが出来なかったとしても、バリ反転領域２４において這い上がってきた樹脂はリードフレーム２２、３２の対向する面に回りこみバリ２７を伝っていくことになり、もう一方の端部に樹脂が到達してもそこからは平坦な面となるためここでも樹脂這い上がりを防ぐ。つまり、バリ反転領域２４のもう一方の端部もカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあれば、２重で這い上がり防ぐことが可能となる。よって、バリ反転領域２４全体がカバー部３４の最も低い底面より樹脂２３側にあることが望ましい。
【００４１】
なお、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４には、光半導体素子２１が設けられていないところにも開口３５を設けているが、光半導体素子２１が設けられていないところには、開口３５を設けなくても良い。
【００４２】
また、図８（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、カバー部３４の両側端部に突起状部分３６を設けているが、突起状部分３６は、カバー部３４の両側端部に限らず、任意のところに設けることもできる。あるいは、カバー部３４の全周を突起状部分３６と同様の高さのものにすることもできる（この場合には、カバー部３４の外周の全てが突起状部分となる）。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、ランプタイプのＬＥＤ・半導体レーザー・受光デバイスや、樹脂ケース付きデバイスなどのリードフレームを使用するものに利用可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 光半導体素子
２ リードフレーム
３ 封止樹脂部
４ バリ反転領域
６、７ バリ
９ ワイヤ
１４ バリ反転用タイバー
１５ 姿勢保持用タイバー
２１ 光半導体素子
２２、３２ リードフレーム
２３ 封止樹脂部
２４ バリ反転領域
２６、２７ バリ
２９ ワイヤ
３４ カバー部（樹脂ケース）
４４ バリ反転用タイバー
４５ 姿勢保持用タイバー
１０、４０ 光半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体装置において、前記封止樹脂部を囲み、少なくとも一部が前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部をさらに有し、前記バリ反転領域の前記光半導体素子設置側の端部は、前記カバー部の最も低い底面よりも前記封止樹脂部側に設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有していることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項１】
光半導体素子と、該光半導体素子を設置するためのリードフレームと、前記光半導体素子および前記リードフレームの前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部とを有する光半導体装置であって、前記リードフレームは、前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域を有していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体装置において、前記封止樹脂部を囲み、少なくとも一部が前記封止樹脂部の底面よりも前記光半導体素子設置側とは反対の側に突出しているカバー部をさらに有し、前記バリ反転領域の前記光半導体素子設置側の端部は、前記カバー部の最も低い底面よりも前記封止樹脂部側に設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
圧延鋼板から少なくともバリ反転用タイバーを残してリードフレームを一方の方向から型抜きする第１型抜き工程と、
第１型抜き工程がなされた前記リードフレームに対し、前記第１型抜き工程とは反対の方向から前記バリ反転用タイバーを型抜きし、前記リードフレームにバリ反転領域を設ける第２型抜き工程と、
光半導体素子を前記リードフレームの一方の端部に設置する工程と、
前記光半導体素子および前記リードフレームの一方の端部を前記バリ反転領域は露出させるように樹脂で封止する工程と、を有していることを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−１９０９４１（Ｐ２０１２−１９０９４１Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５２１４９（Ｐ２０１１−５２１４９）
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００００２３０３）スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Ｆターム（参考）】
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