【課題】隣り合ったリードフレーム同士の間隔を狭く設定することが可能であり、回路基板が有する多様なリード接続部の配置パターンに対して実装可能なリードフレームを備える光電変換モジュールの提供。
【解決手段】本発明の光電変換モジュール２は、光電変換素子５１を含む電気回路部品５を内部で保持するパッケージ部３１と、一端がパッケージ部３１内において電気回路部品５と電気的に接続され、他端がパッケージ部３１内から一方向に沿って外側へ延びる複数の第１リードフレーム４１と、一端がパッケージ部３１内において電気回路部品５と電気的に接続され、他端がパッケージ部３内から第１リードフレーム４１と逆方向に沿って外側へ延びつつ、途中で曲がって第１リードフレーム４１と同じ方向に沿って延びる複数の第２リードフレーム４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い部品精度を必要とすることなく、かつ量産性に富む発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の第１の電極２６は凸部２６ａと凸部の周りを囲む底面２６ｂとを有する。第２の電極３０は第１の電極の底面と対向する第１の面３０ａと第２の面３０ｂとを有する。また第２の電極は開口部３０ｃと第２の面から第１の面の方向に後退した段差部３０ｅとを有する。半導体レーザ素子５２は凸部の上方に設けられ、発光層を有する。ボンディングワイヤ５４は半導体レーザ素子と段差部とを電気的に接続可能である。透光性枠部４０は凸部と半導体レーザ素子との周りをそれぞれ囲み、ガラスからなる。また透光性枠部は第１の電極の底面と接着され、かつ第２の電極の第１の面と接着される。また蓋部は第２の電極の第２の面と接着される。さらに、半導体レーザ素子から放出されるレーザ光のうち半値全角内の光成分は、透光性枠部から外方へ出射可能である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに搭載された半導体光素子を透明樹脂でモールドして封止する際に、ワイヤが破断されたり、ワイヤのリード端子部や半導体光素子との接合部が壊れたりする虞のない光モジュールの製造方法を提供。
【解決手段】本発明の光モジュールの製造方法は、半導体光素子である発光素子２及び受光素子３が搭載され、該半導体光素子にワイヤ接続されたリード端子部４ａを備えたリードフレーム４の半導体光素子の搭載部分を、透明樹脂でモールドして封止する方法であって、透明樹脂でモールドする前に、リード端子部４ａのワイヤ７の接続面と反対側の面に、リード端子部４ａの変位を抑制する透明樹脂ブロック６を固定しておく。 （もっと読む）

【課題】放熱性が改善され、照明装置などへの実装が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、第１および第２の凸状電極２６，３４と、半導体レーザ素子５２と、透光性枠部４０と、を有する。第１の凸状電極は、第１の凸部と、第１の段差面２６ａと、第１の面２６ｂとを有し、第１の段差面は第１の金属板２４からなり、第１の面のうち平面視で第１の凸部を含む領域は第２の金属板２０からなり、第１の凸部は第２の金属板の組成と同じ第３の金属板２２からなり、第２の凸状電極は、第２の凸部３４ａと、第１の金属板の組成と同じ第２の段差面３４ｂとを有し、半導体レーザ素子は、第１および第２の凸部との間に設けられる。透光性枠部は、第１および第２の凸部と、半導体レーザ素子と、を囲み、第１および第２の段差面と接着され、第２の金属板の熱伝導率は第１の金属板の熱伝導率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】熱応力の緩和と冷却効率とが向上された半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子９がサブマウント７ｂに搭載されている。サブマウント７は、銅の金属体７１と金属体７１に含有されダイヤモンドを含む複数の粒状体７２とを有し、粒状体７２はダイヤモンド粒子７２ａとダイヤモンド粒子７２ａの表面を覆う反応層７２ｂとを含み、反応層７２ｂは、４ａ族元素の炭化物、５ａ族元素の炭化物および６ａ族元素の炭化物の少なくとも一の炭化物を含み、複数の粒状体７２におけるダイヤモンド粒子７２ａの平均粒径は６０μｍ未満であり、サブマウント７の熱伝導率は室温において５５０Ｗ／ｍＫ以上６００Ｗ／ｍＫ以下の範囲にあり、半導体レーザ素子９は、六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、半極性主面が用いられ、発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】低コストで、防湿で、強度が高く、かつ、工程数が少ない気密封止されたレーザモジュールを提供する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ素子と、レーザ素子を格納するパッケージと、パッケージの内側に内側開口が配置され、パッケージの外側に外側開口が配置される導入孔を有する導入部と、導入孔を通り、一端がパッケージの内側に配置され、他端がパッケージの外側に配置され、レーザ光を伝送する光ファイバ部と、導入孔の内側開口から外側開口にわたって、導入孔と光ファイバ部との間に充填して設けられたガラス部とを備えるレーザモジュール。 （もっと読む）

【課題】電気−光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２の一方面２ｃ側にサブマウント４を介してレーザダイオード３を接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の他方面４ｄとは、ヒートシンク２とサブマウント４との間に位置するハンダ接合部９によって互いに接合され、ハンダ接合部９の端部には、ハンダ接合部９よりも隆起し、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の側面４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈとを接合するハンダ接合部１０が設けられている。このハンダ接合部１０により、ヒートシンク２とサブマウント４との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク２とサブマウント４との間の電気抵抗が低減され、電気−光変換効率を十分に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができる半導体パッケージ及び半導体装置を得る。
【解決手段】半導体チップ２の対向する主面にそれぞれ電極３，４が設けられている。金属導体５はダイパッド５ａと外部電極部５ｂを含む。ダイパッド５ａは、半導体チップ２の電極３に接合されている。配線基板９の主面に配線１０，１１が設けられている。配線基板９上に半導体パッケージ１が実装されている。半導体パッケージ１の電極４と外部電極部５ｂは、配線基板９の主面に対向した状態で、それぞれ配線１０，１１に接合されている。 （もっと読む）

【課題】コストを抑制しつつ、信頼性の高い半田固定を行う。
【解決手段】本発明に係る光ファイバ固定方法は、光ファイバ１０１を、ファイバマウント１０２の上面に沿って保持する保持ステップＳ１０１と、ファイバマウント１０２の上面に、フラックスレス半田よりなる半田プリフォーム１０３を載置する載置ステップＳ１０２と、ファイバマウント１０２上のレーザ光照射領域１０２ｂにレーザ光を照射し、レーザ光照射領域１０２ｂからの熱伝導によって半田プリフォーム１０３を溶融させる溶融ステップＳ１０３とを含んでおり、半田プリフォーム１０３は、光ファイバ１０１の片脇に位置し、光ファイバ１０１の表面とファイバマウント１０２の上面との距離をＨとし、光ファイバ１０１の直径をＤとし、載置ステップＳ１０２にて載置された半田プリフォーム１０３の高さをＬとしたとき、Ｈ＋Ｄ＜Ｌを満たしている。 （もっと読む）

【課題】高出力レーザの排熱を効率的に放散する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子と、発光素子の共振器方向に直交し、互いに対向する発光素子に電力を供給するための第１接続面と第２接続面を有する半導体レーザバー１０と、第１接続面と電気的および熱的に接合された第１電極側接続面を有し、第１電極を兼ねる、半導体レーザバーに近接した位置に微小流路を有する第１水冷ヒートシンク１１ａと、第２接続面と電気的および熱的に接続された第２電極接続面を有し、ヒートスプレッダを兼ねる第１導電性支持部材と、第２電極接続面に対向する面で導電性支持部材と電気的および熱的に接続された屈曲性を有する金属箔１２と、水冷ヒートシンクと金属箔間に接合された絶縁板と、金属箔と接合された第２電極を兼ねる微小流路を有する第２水冷ヒートシンク１１ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】 多大なコストや労力をかけずに、リード部（リードフレーム）における樹脂の這い上がりを防止することの可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１と、該光半導体素子１を設置するためのリードフレーム２、２と、前記光半導体素子１および前記リードフレーム２、２の前記光半導体素子設置側の端部を覆う封止樹脂部３とを有する光半導体装置であって、前記リードフレーム２、２は、前記封止樹脂部３の底面３ａよりも前記光半導体素子設置側とは反対の側の領域において、バリ反転領域４を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に均一に電子線を照射することができ、しかも、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺に配置されており、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線源に印加される電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、当該電子線放出部から放射される電子の放射量が２５ｍＡ／ｃｍ² 以下であり、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】送信用の光ファイバと受信用の光ファイバを直列に接続して小型化することのできる光通信装置を提供する。
【解決手段】本発明の光通信装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２の一方の面に設置された発光素子３と、リードフレーム２の他方の面に設置された受光素子４と、リードフレーム２と発光素子３と受光素子４とを透明樹脂で一体に封止した透明封止パッケージ５と、透明封止パッケージ５と一体に成型されて発光素子３に対応した位置に形成された発光用レンズ６と、透明封止パッケージ５と一体に成型されて受光素子４に対応した位置に形成された受光用レンズ７とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光特性の劣化を抑制可能な半導体レーザ装置を目的とする。
【解決手段】 半導体レーザバー２を、液体冷却式のヒートシンク１に取り付ける。半導体レーザモジュール２の取り付け面とは反対側の面には、モリブデン補強体３が固定されている。モリブデンは、ヒートシンク１よりも小さな線膨張係数を有している。サブマウントは、Ｃｕ−Ｗ合金を用いることが好ましく、補強体３モリブデンを用いることが好ましい。この場合、伸縮時においてヒートシンク１に与える応力を相殺することができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板、キャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子用の実装基板は、第１および第２の対向する金属面１００ａ、１００ｂを有する固体金属ブロック１００を含む。第１の金属面１００ａは、１つのキャビティ１１０を有し、このキャビティは、少なくとも１つの半導体発光素子を中に実装するように、またキャビティ１１０から離れる方向に中に実装されている少なくとも１つの半導体発光素子により放出される光を反射するように構成される。第２の金属面１００ｂは、中に複数のヒートシンクフィン１９０を備える。１つまたは複数の半導体発光素子は、キャビティ１１０内に実装される。反射被覆、配線、絶縁層も、パッケージ内に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】発光特性の劣化を抑制可能な半導体レーザ装置を目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザユニット１０を積層してなる半導体レーザ装置において、個々の半導体レーザユニット１０は、内部に流体通路が形成された板状の液体冷却式のヒートシンク１と、半導体レーザバーを含み、ヒートシンク１の一方面側に固定された半導体レーザモジュール２と、ヒートシンク１の他方面側における半導体レーザモジュール２に対向する位置に固定され、ヒートシンク１よりも小さな線膨張係数を有するモリブデン補強体３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子モジュールの光軸調芯固定において、レーザ照射時の溶接部の熱収縮による光半導体素子とレンズの光軸ずれを抑制する。
【解決手段】光半導体素子１とレンズ３の光軸を調芯した後、レンズ３の中心に対して非対称な二点のＹＡＧ溶接部５に同時にレーザを照射し、レンズホルダ４とキャリア２を溶接固定するレーザ溶接工程において、レンズホルダ固定治具６１によりレンズホルダ４を保持し、レンズホルダ４の動きを制限した状態でレーザ照射を行う。レンズホルダ固定治具６１の当て面７と、円筒状のレンズホルダ４の周面は、レンズ３の中心に対して非対称な２箇所のレンズホルダ接触部８で接触している。これにより、レーザ照射時のＹＡＧ溶接部５の熱収縮による光半導体素子１とレンズ３の光軸ずれを抑制し、光半導体素子モジュールの高精度な組立が可能である。 （もっと読む）