【課題】樹脂成型工程とバリ取り工程が不要で、光出力の低下を抑えることのできるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのＬＥＤ発光素子を搭載するためのパッド部と、
前記ＬＥＤ発光素子と電気的に接続するためのリード部と、
前記パッド部と前記リード部の間に配置され、絶縁樹脂が充填されている間隙部と、
平面視において前記パッド部および前記リード部および前記間隙部が形成されている領域に形成された凹部と、
を有するリードフレームが、金属薄板上に１個以上形成されていることを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金を基材として、表面に銀めっき皮膜が形成された反射部を有するLED照明ユニットにおいて、経時的な反射率の低下を有効に抑制できる手段を提供する
【解決手段】LED発光素子と表面が銀めっきされた反射部とを有するLED照明ユニットであって、該反射部が、銅又は銅合金を基材として、Ni-P合金めっき皮膜及び銀めっき皮膜が順次形成されたものである、LED照明ユニット。 （もっと読む）

【課題】量子点層及びバンドパスフィルタを含んで色再現性が向上された発光ダイオードパッケージ及びこの発光ダイオードパッケージを有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１光と第２光を各々発生させる第１、第２発光ダイオードパッケージを含むバックライトユニットと、第１、第２光を受光し画像を表示する表示パネルとを有し、第１発光ダイオードパッケージは第１発光ダイオードと複数の量子点を含み第１発光ダイオードの上に配置される第１量子点層と第１量子点層の上に配置される第１バンドパスフィルタとこれらを収容する第１ハウジングとを含み、第２発光ダイオードパッケージは第２発光ダイオードと複数の量子点を含み第２発光ダイオードの上に配置される第２量子点層と第２量子点層の上に配置される第２バンドパスフィルタとこれらを収容する第２ハウジングとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップのワイヤボンディングに対応でき、銀に代えて低コストの材料を適用して、高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜１３を備え、さらに反射膜１３上にＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜１４を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも液晶ディスプレイ装置の色再現性を高める。
【解決手段】バックライト装置は、440nm以上460nm以下の波長域に発光ピークを持つ青色光を出射する青色ＬＥＤ１９と、500nm以上595nm以下の波長域に発光ピークを持つ緑色光を出射する緑色蛍光体２１と、600nm以上690nm以下の波長域に発光ピークを持つ赤色光を出射する赤色蛍光体２２と、青色光、緑色光および赤色光の混色光における570nm以上590nm以下の波長域の分光放射強度を低減するフィルタ成分２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、様々な用途に適合可能な小型で放熱性が良く、発光の指向性を制御できる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１の主面を有する第１の金属板と、前記第１の主面に接続部材を介してボンディングされた半導体発光素子と、前記第１の金属板と離間して配置され、前記半導体発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続された第２の金属板と、前記半導体発光素子と、前記第１の金属板と、前記第２の金属板と、を一体に封じた樹脂と、を備える。前記第１の金属板は、その端部を前記第１の主面側に曲げ加工した反射板を有し、前記第１の金属板の前記第１の主面とは反対の第２の主面と、前記第２の金属板の前記金属ワイヤがボンディングされた面とは反対側の表面と、が、前記樹脂の同一面の側に露出する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率をもった発光ダイオードを低コストで得る。
【解決手段】この発光ダイオード１０においては、安価なアルミニウムがリードフレームの材料として用いられる。裏面に露出した第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の表面は、はんだ付けが容易なめっき層１２で覆われている。また、反射層１３が開口部１１９、１２０を介して第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２の下面側にも形成されることにより、この反射層１３と第１リードフレーム１１１、第２リードフレーム１１２との間の接合強度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高出力で経時劣化を抑制することが可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、ピーク波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備える。前記端子は、前記発光光を反射する部分に、９９．８９パーセント以上の純度のアルミニウムを含む。 （もっと読む）

【課題】光出力の低下を抑えることのできるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板１０は、少なくとも１つのＬＥＤ発光素子２０を搭載するためのパッド部１３、およびＬＥＤ発光素子と電気的に接続するためのリード部１４を第一の面に有するリードフレーム５０と、平面視においてパッド部およびリード部を囲む１以上の凹部１２を有し、リードフレームに取り付けられた樹脂成形体１１とを備え、リードフレームは、第一の面側において、平面視においてパッド部およびリード部を囲み、かつパッド部およびリード部よりも高く突出する周壁部１５を有し、周壁部の内面１５ａと凹部の内面１２ａとがＬＥＤ発光素子の光を反射するリフレクタ部１７とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子用リードフレーム基板において、切断時に発生するタイバーの切り口のダレを防止することができるようにする。
【解決手段】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部２と、ＬＥＤチップ搭載部２と離間して配置されＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部３とが、タイバー部６０、７０、８０によって複数連結されたリードフレーム１と、ＬＥＤチップ搭載部２および前記電気的接続エリア部３の一部を除くリードフレーム１の部位を覆う樹脂部とを備え、樹脂部とともにタイバー部６０、７０、８０を切断して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、タイバー部６０、７０、８０は、切断代よりも長く延ばされ、樹脂部に外周を囲まれて形成された構成とする。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成した空隙部分に充填樹脂が充填されたリードフレームにおいて、金属板と充填樹脂の界面に隙間を生じ水分が浸入する問題を防ぐ。
【解決手段】充填樹脂から露出した金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げた半導体発光装置用リードフレームを製造する。 （もっと読む）

【課題】３５０ｎｍ〜８００ｎｍにピークを有する波長を、半田リフロー炉通過後においても高効率で反射することができる白色高耐熱高反射材およびＬＥＤパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】２０乃至５０重量部のアクリル系の官能基を有するアダマンタン樹脂と５０乃至８０重量部のシリコーン樹脂とを混ぜ合わせて合計１００重量部とした混合樹脂と硬化剤と球状の粒子形状のアルミナを１００重量部以上混ぜ合わせた反射材用樹脂組成物を硬化させたことを特徴とする白色高耐熱高反射材。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの光を反射するべくリードフレームの半導体発光素子側の表面に形成した銀めっき層が硫化し黒色化し易い欠点を解消するのと同時にリードフレームへのワイヤーボンディング性を維持した半導体発光装置を得る。
【解決手段】半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子とワイヤーボンディングにより電気接続するリード部とを有するリードフレームであって、該リードフレームの前記半導体発光素子側の表面に銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はＸ成分として、Ｚｎ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くした半導体発光装置用リードフレームを用いる。 （もっと読む）

【課題】可視光域である波長４００〜８００ｎｍの反射率が８０％以上を維持すると同時に、近紫外域である波長３４０〜３８０ｎｍ付近に出現する反射率吸収ピークを減衰あるいは消滅させて反射率低下を抑制することができる光半導体実装用基板を提供する。
【解決手段】導電性基板１上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成し、該皮膜表面を電解処理、好ましくは該被膜を外気に曝すことなく電解処理して、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）で５μｍ×５μｍの視野内で測定した表面粗さＳａが２ｎｍを超えて５０ｎｍ未満の反射層２とする光半導体実装用基板の製造方法である。導電性基板上にめっき法で銀または銀合金からなる皮膜を形成した後、該皮膜を外気に曝すことなく電解処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の側面における光の反射率を向上させ、照明装置における光の取り出し効率を高めることが可能な、半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド２５と、ダイパッド２５に連結された連結部２７とを有するリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０を覆って設けられた外側樹脂部２３とを備えている。リードフレーム１０は、銅または銅合金からなり、各連結部２７は、外側樹脂部２３の側面２３ｂ_１〜２３ｂ_４から外方へ露出している。外側樹脂部２３の側面２３ｂ_１〜２３ｂ_４における連結部２７の断面厚みは、リードフレーム１０の他の部分の断面厚みより薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備える発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は所定の曲率で曲折している。 （もっと読む）

【課題】経時や昇温により硫化され表面がダメージを受けることのないメッキ構造を提供する。さらには、硫化により変色しにくく、接触抵抗が小さい電気部品用被覆材を得る電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体１０２の表面に銀メッキ層１０４を形成し、さらに該銀メッキ層の表面にＳｎ−Ｃｏ合金のメッキ層１０６を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなるＳｎ−Ｃｏ合金の点析粒子が前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置され、前記点析粒子の平均径が２０〜８０ｎｍであり、該銀層の表面の錫合金の点析粒子の単位面積当たり重量が２×１０^−６〜８×１０^−６ｇ／ｃｍ^２である粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備え、発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は、前記底面に対する垂直軸を基準として１５°から３０°の範囲の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】他の要素からアクティブ素子を保護し、ＬＥＤ小立方体の光学的出力を増大させ、比較的短い波長（例えば、５２５ｎｍ）のハイフラックスＬＥＤ群とともに用いても光学的な品質が低下しない、カプセル化層を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、アクティブ領域１３に印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域１３を含み、第１のカプセル化層１６は、少なくとも部分的にアクティブ領域１３をカプセル化し、基材とナノ粒子群を含み、第１のカプセル化層１６の少なくとも一つの物理的性質を変化させる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、膜厚０．６μｍ以上８μｍ以下のＡｇめっき膜１３を備え、さらにＡｇめっき膜１３上にＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属または２種以上からなる合金のいずれかの金属酸化膜１５を膜厚０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成されて備え、金属酸化膜１５を備えた側の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。金属酸化膜１５をＡｇめっき膜１３に被覆することにより、Ａｇめっき膜１３に外部からハロゲンイオンや硫黄が接触することを防止し、耐久性に優れた反射膜となる。 （もっと読む）