【課題】高放熱性を有しながら、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることを目的とする。
【解決手段】裏面端子を表面側まで延伸させて放熱性を確保する裏面実装形半導体装置等において、樹脂部２からリードフレーム（２０１，３０１）の一部を露出させて押さえ部２０５を形成することにより、押さえ部２０５を支点として外部リード（４０３，５０３）の曲げ加工を行うことができるため、外観の破損や破壊を抑制し、製品の品質や歩留率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にLED素子を搭載した複数の発光素子部を形成し、ダイシングする発光装置の製造において、ダイシングの際の削りゴミの発生を抑制するとともに、製造工程における基板の破損を防止する。
【解決手段】金属基板20に、発光素子部形成領域22を横断するスリット24を形成する工程において、スリット24と交差するように樹脂溜まり用の凹部21を形成する。次いで、スリット24に絶縁材料を充填するとともに、前記凹部21に樹脂を充填し、硬化させる。その後、発光素子部形成領域22に発光素子部を形成し、１ないし複数の発光素子部を単位として、切断し、パターンが形成されたプリント基板に実装する。 （もっと読む）

【課題】紫外域から近赤外域における反射率が良好で、かつワイヤボンディング性が良好であり、耐食性に優れるリードフレームおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームは、導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層の上層に、金またはパラジウムまたは白金またはこれらの合金のいずれかで形成された最表層を少なくともワイヤボンディングが施される箇所に有している。最表層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍとすることで、光の反射率に優れ、耐食性も良好であり、よりワイヤボンディング性の信頼性を高められた光半導体装置用リードフレームを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、かつ銀の硫化による反射率低下の少ない発光素子収納用支持体及び、硫化により変色しにくく、銀本来の光沢を有し、接触抵抗が小さい電気部品用被覆方法を提供する。
【解決手段】メッキ用基体１０２の表面に銀メッキ層１０４を形成し、さらに該銀メッキ層の表面に厚さ０．００１〜０．１μｍの錫またはインジウムまたは亜鉛のメッキ層１０６を形成してなる銀メッキ構造体を熱処理して得られるメッキ構造である。また、基材の面上に形成された銀層の表面に、粒子堆積工程により点析されてなる錫またはインジウムまたは亜鉛の点析粒子が、前記表面と垂直方向に重なることなく上面視で隙間があるように配置された粒子堆積物を、非酸化雰囲気で加熱して前記点析粒子を溶融させて被膜化することを特徴とする被覆方法である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化された発光装置とこの発光装置を用いた照明装置並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、発光光源２と波長変換部材５とを含み、波長変換部材５は、発光光源２より発生する近紫外から青色光を吸収し、蛍光を発生する１種類以上の柱状蛍光体粒子８を含み、柱状蛍光体粒子の少なくとも１種類の結晶方位分布の偏りが、発光装置の断面を電子後方散乱回折像法によって解析した下記（１）式で表される配向指数を、５％以上１５％以下とする。
配向指数（％）＝（（柱状の形状を有する蛍光体粒子の底面に相当する結晶面±３０°の結晶方位を有する粒子の断面積）／（柱状の形状を有する蛍光体粒子の断面積））×１００％） （１） （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ検査装置及びそれを利用するＬＥＤ検査方法が提供される。
【解決手段】前記ＬＥＤ検査装置は、第１光を生成して、前記第１光によって励起されて前記第１光より長波長の光を放出する蛍光体を有する封止材が具備されたＬＥＤに照射する第１照明部と、前記第１光より長波長の第２光を生成して前記ＬＥＤに照射する第２照明部と、前記蛍光体から放出された光と前記ＬＥＤから反射した前記第２光を受信して、前記ＬＥＤの映像を獲得する映像獲得部と、前記映像獲得部から得られた前記ＬＥＤの映像を利用して、前記ＬＥＤの不良有無を判断するＬＥＤ状態判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光の漏れが低減され、発光素子が接着されたリードと、樹脂からなる成型体と、の密着強度が高められた発光装置を提供する。
【解決手段】第１の所定領域のリード部分が上方に向かって折り曲げられて形成された第１の屈曲部と、前記リード部分が折り曲げられて前記第１の所定領域に生じた空間である第１の貫通孔と、を有する第１のリードと、前記第１のリードの前記第１の所定領域以外に設けられたチップ接着領域に接着され、放出光の一部が前記第１の屈曲部により上方に向かって反射される発光素子と、一方の端部が、前記第１のリードの一方の端部と対向した第２のリードと、前記貫通孔を充填するとともに前記発光素子を覆い、前記第１のリードの前記一方の端部及び前記第１の屈曲部、及び前記第２のリードの前記一方の端部、をそれぞれ埋め込み、透光性樹脂からなる成型体と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の基体に配されている金属部材の表面に形成されている銀含有層の劣化（硫化）を抑制し、高い反射率を維持し、優れた光取り出し効率を有する発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、表面に銀含有層１０３を有する金属部材１０２が配された基体１０１と、基体上に載置された発光素子１０５と、発光素子と金属部材の少なくとも一部を封止する透光性の封止部材１０７と、を有する発光装置であって、銀含有層は、シリコーンオイル変性部材１０４で被覆されている。これにより、銀含有層の劣化、特に硫化を抑制することができるため、信頼性が高く、発光効率に優れた発光装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子が接着されたリードと、樹脂からなる成型体と、の密着強度が高められた発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、相互に離隔した第１及び第２のリードと、前記第１及び第２のリードの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードに接続され、他方の端子が前記第２のリードに接続された発光素子と、樹脂からなり、前記発光素子を覆い、前記第１及び第２のリードのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた成型体と、を備える。前記第１のリード及び前記第２のリードのうちの少なくとも一方は、端面が前記成型体によって覆われた本体部と、前記本体部から延出し、その下面が前記成型体によって覆われ、その先端面が前記成型体の側面に露出した延出部と、を有する。そして、前記成型体の外形が発光装置の外形をなす。 （もっと読む）

【課題】ガスや水分によるＬＥＤチップまたはリードの劣化を防ぐことが可能な液状硬化性樹脂組成物、発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】凹部６１ａを有する樹脂容器６１と、凹部６１ａの内側に露出した状態で配置される導体部７０と、導体部７０の表面を被覆する硫化防止用のバリア層９０と、凹部６１ａの内側に設けられ、導体部７０と電気的に接続される発光素子６４と、発光素子６４から出力される光に対する透光性を有し、凹部６１ａにおいて発光素子６４を封止する封止樹脂６５とを含む発光装置６０を採用する。 （もっと読む）

【課題】光軸上に発光チップが配置されてなる発光ダイオードにおいて、光軸からの開き角度が大きくなるに従って輝度が急激に低下してしまうという従来の発光ダイオードの輝度分布を改善する。
【解決手段】封止部材１４の前面に曲面部１４ａＡを形成し、その光軸Ａｘを含む水平面に沿った断面形状を、光軸Ａｘ近傍に凹曲線Ｃ１、その両側に凸曲線Ｃ２が配置されてなる波形曲線で構成する。これにより、光軸Ａｘを含む水平面内において、発光チップ１２からの出射光のうち、光軸Ａｘからの左右方向の開き角度が小さい方向に向かう光を、凹曲線Ｃ１の部分に到達させ、その光拡散作用により光軸Ａｘから離れる方向へ拡散する光として前方へ出射させるとともに、開き角度が大きい方向に向かう光を、凸曲線Ｃ２の部分に到達させ、その光収束作用により開き角度θをなす直線Ｌの方向寄りに偏向する光として前方へ出射させる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１に、膜厚０．４μｍ以上のＮｉめっき膜１２ａ、膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜１２ｂ、およびＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％、Ｂｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有する膜厚２０〜５００ｎｍのＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ｎｉめっき膜１２ａを基板１１表面に形成することにより、基板１１から表面にＣｕが熱拡散して変色することを防止する。また、Ａｇ合金膜１３は、スパッタリング法で成膜されることによりＧｅ，Ｂｉが表面に濃化して、耐熱性、耐ハロゲン化性、および耐硫化性を付与され、さらに、結晶粒径の比較的大きいＡｇめっき膜１２ｂを下地に成膜されることで、Ａｇ合金膜１３の結晶粒径を大きくして、熱によるＡｇの凝集を抑制する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の濃度を低く抑えつつ所要の色度範囲内の発光色を実現することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、リードフレーム３及び４を備え、リードフレーム３の一端部には凹部３ａが設けられている。凹部３ａの底部には、青色のＬＥＤチップ１がダイボンディングにより接着固定されている。ＬＥＤチップ１は、例えば、波長が４３０〜４８０ｎｍの範囲で発光ピークを有する青色光を発することができる。凹部３ａ内には、被覆部２を形成してある。被覆部２は、赤色蛍光体１０を含有している。被覆部２が形成されたリードフレーム３及び４の端部は、先端部が凸状のレンズ６に収納されている。レンズ６は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂で形成され、レンズ６が赤色着色剤６１で着色されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えることによりＬＥＤ素子からの光の反射特性を維持することが可能なＬＥＤ用基板、ＬＥＤ実装モジュール、およびＬＥＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１を備えている。本体部１１の載置面１１ａには、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する白金族めっき層１２が設けられている。この白金族めっき層１２により、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子２１からの光の反射特性を維持することが可能である。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）からの外部光抽出を改善し、より具体的には、ＩＩＩ族窒化物材料系において形成された白色発光ダイオードからの光抽出を改善すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、ＩＩＩ族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂で封止され、特に、硫化ガス雰囲気下での反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレームと一体成形したカップ状のプレモールドパッケージ内部に、光半導体素子の電極を導電性接着剤又は導電性ワイヤーを介して前記リードフレームに接続、実装し、前記プレモールドパッケージ内部を封止樹脂で封止する光半導体装置であって、前記リードフレームを、中心線平均粗さ（Ｒａ）：０．３μｍ以下且つ１０点平均粗さ（Ｒｚ）：２μｍ以下の表面を有する銀メッキで被覆したことを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】反射面に発生する樹脂バリを防止して、発光素子の輝度の低下を抑制しつつ、リード部と樹脂部との接合を強化して、廉価で装置の信頼性を向上させることができる、発光装置を提供する。
【解決手段】発光ダイオードチップ２と、発光ダイオードチップ２の実装領域を含む底部が形成され、かつ、内面が発光ダイオードチップ２から出射された光の反射面となる、底部と繋がった側壁が連続して形成された、第１リード端子１０とを備えている。また、第１リード端子１０に離隔して設けられた第２リード端子２０とを備えている。さらに、第１リード端子１０および第２リード端子２０を支持し、第２リード端子２０の一部および第１リード端子１０の実装領域を露出させるキャビティ６が形成された樹脂部３を備えている。 （もっと読む）

【課題】近紫外発光ＬＥＤと高発光効率で高輝度の緑色発光が可能な新規な緑色発光蛍光体とを組み合わせることにより新規な発光素子を提供する。
【解決手段】波長３５０〜４１０ｎｍの波長領域に発光ピークを有する紫外発光ダイオードと、一般式（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２−ｅ・Ｍ１・Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ_ｅで表されるユーロピウム（Ｅｕ）賦活緑色発光蛍光体を含む蛍光体層とを組み合わせて発光素子を構成する。その一般式中のＭ１は、ＭｇとＺｎとからなる群から選択された一種以上の元素であり、成分Ｓｒの組成比を示すｘ、およびＥｕの組成比を示すｅは、それぞれ０＜ｘ≦０．７、０．００１≦ｅ≦０．２である。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１と、その表面に形成されたＡｇめっき膜１２を介して、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有するＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３はスパッタリング法で形成されることにより、Ｇｅ，Ｂｉが表面に濃化して、耐熱性、耐ハロゲン化性、および耐硫化性を付与する。さらに、厚膜化し難いＡｇ合金膜１３の膜厚は２０〜５００ｎｍに制限し、Ａｇめっき膜１２との合計の厚さを０．６μｍ以上とすることにより、基板１１からＣｕが表面に拡散して変色することを防止する。 （もっと読む）