【課題】
従来技術の問題点を解消し、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することのできるアニールウエーハの評価方法及びこの評価方法を利用したアニールウエーハの品質保証方法を提供する。
【解決手段】
アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。 （もっと読む）

ナノ構造配列の形成またはパターニング法が提供される。この方法は、ナノ構造会合基を含んでなるコーティング上での配列形成、レジストを使用するパターニングおよび／または配列形成を促進するデバイスの使用を含む。またナノ構造配列を含むデバイス（例えばメモリーデバイス）のように、ナノ構造配列の形成のための関連デバイスも提供される。 （もっと読む）

本発明は、一般的に、基板表面の処理または加工に関する。とりわけ、本発明は、シリコンウエハの表面を改質するための方法に関する。
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【課題】 マスキングが交換可能かつ再利用可能な手段によるものであり、単純かつ効果的な手段を提供する。
【解決手段】半導体物質からなる多層構造の電気的導電作動層の処理方法であって、かつ該構造１００は、作動層の下に電気的絶縁層を含み、また前記処理は、電気的絶縁層の物質によって取り囲まれた島を作動層中に構成するように設計されている、作動層の湿式化学的エッチング段階を含んでいる処理方法であって、さらに、この作動層に様々な島を構成するため、湿式エッチング段階の前に、前記作動層のいくつかの領域の上に選択的マスキングを実現し、かつ各領域がそれぞれの島に対応した作動層からマスクされている。 （もっと読む）

本発明は半導体およびマイクロエレクトロニクス(MEMS)デバイスの製造におけるウェットエッチング処理で用いられる新規保護被膜層に関する。各層はプライマー/第1の保護層、および所望により第2の保護層を含む。プライマー層は、好ましくは溶媒系内のオルガノシラン化合物を含む。第1の保護層は、スチレン、アクリロニトリル、および所望によりその他の、（メタ）アクリレートモノマー、塩化ビニルベンジル、およびマレエートまたはフマレートのジエステルのような付加重合可能なモノマーから生成される熱可塑性コポリマーを含む。第2の保護層は、加熱時に架橋結合してもしなくてもよい塩化ポリマーのような高度にハロゲン化したポリマーを含む。 （もっと読む）

シリコン含有犠牲層を、かかる犠牲層を有するマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）や他の半導体基板から除去するための方法および組成物について記載する。エッチング組成物には、超臨界流体（ＳＣＦ）と、エッチング液種と、共溶媒と、場合により界面活性剤とが含まれる。かかるエッチング組成物は、ＳＣＦの洗浄試薬としての固有の欠陥、すなわちＳＣＦの非極性や、それらに関連した、半導体基板から除去されなければならない極性種に対する溶解不能を克服する。これによって得られるエッチングされた基板が被るスティクションの頻度は、従来の湿式エッチング技術を用いてエッチングされた基板と比べてより低い。 （もっと読む）

ラッピングされた半導体ウェーハの表面を研削する。ラッピング時にウェーハ表面に生じたダメージが除去され、ウェーハ表面の平坦性が高まる。次に、ウェーハを複合エッチング後、両面研磨してウェーハ表面を鏡面研磨すると同時に、ウェーハ裏面を軽く研磨すると、表裏両面の識別力を有した片面鏡面ウェーハが得られる。単なる酸エッチングまたはアルカリエッチングよりも高平坦度の片面鏡面ウェーハを製造できる。 （もっと読む）

シリコン（１２）が、有機樹脂材料（ノボラックなど）の層を備えるマスク１１を通してエッチングされ、マスクを通して開口部（３２）がエッチングされる部分に形成される。最初に、エッチングされるデバイスの自由表面上に有機樹脂の層が付着される。次に、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの苛性エッチング液の液滴を、インクジェットプリンタを用いて付着させることにより、開口部（３２）が形成される。エッチング剤が樹脂と反応してエッチングされる部分のシリコン表面を露出する。シリコン表面のエッチングは、マスクの開口部を通して、露出された表面に、フッ化水素酸（ＨＦ）及び過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ_４）の希溶液を適用して、所望の深さ（８３）までシリコンをエッチングすることにより実施される。

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本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板を回転させながら、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。本発明はまた、半導体ウエハなどの基板を回転させながら保持する基板保持装置に係り、特に、洗浄装置やエッチング装置などに好適に使用される基板保持装置に関する。本発明の基板処理装置は、基板を回転保持する基板保持部を有し、基板を回転させて基板に流体を供給して処理を行い、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸引部が配置されている。また、本発明の基板保持装置は、基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、複数のローラは基板の半径方向に沿って移動する。

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被加工物を化学的にエッチングする超音波エッチング装置が開示されている。この装置は、水溶液で少なくとも一部が満たされた外側タンクと、少なくとも一部が外側タンクの内部に配置されかつ上記水溶液と接している内側タンクであって、エッチング溶液で少なくとも一部が満たされた内側タンクと、上記内側タンクの口部に係合した蓋と、上記外側タンクに結合されており、上記内側タンクの中のエッチング溶液へ超音波エネルギーを付与する超音波変換器とを含む。被加工物をエッチングするためにこの装置を使用する方法もまた開示されている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ環境を破壊することなくシリコン基板の表面を選択的にエッチングすることを課題とする。
【解決手段】シリコン基板６をテフロン薄膜５を介して載置するテフロン製樹脂板４と、前記シリコン基板６をテフロン製樹脂板４に圧着して把持するクランプ１とを具備することを特徴とするエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】 ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェーハの表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシ１６を当接し、これらの部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングする。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェーハＷの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくなる。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取りエッチングすることができる。 （もっと読む）