【課題】波長範囲が広く高吸収率のアンチリフレクション層を具え、且つ、簡単なステップであることを特徴とするアンチリフレクション層を具える基板の製造方法を提案する。
【解決手段】本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易にかつ安価に鏡面研磨後のサファイア基板表面に存在する数〜数十nmの引っ掻き傷を除去でき、かつ処理後のサファイア基板表面に異物が付着することのないサファイア基板の表面処理方法の提供を課題とする。
【解決手段】 構成成分としてＳｉを含まず、かつ濃燐酸と濃硫酸との混合溶液に犯されない材質、好ましくはポリテトラフルオロエチレン樹脂で作られた容器内の１００〜２００℃の濃燐酸と濃硫酸との混合溶液と、構成成分としてＳｉを含まず、かつ燐酸−硫酸混合溶液に犯されない材質、好ましくはポリテトラフルオロエチレン樹脂で作られた保持具で挟持された鏡面研磨されたサファイア基板表面とを接触させる。
そして、濃燐酸と濃硫酸との混合溶液は、濃燐酸と濃硫酸とを体積比で１：３〜３：１となるように混合して得る。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
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半導体基板（３）を処理する方法は、半導体基板（３）をスピンさせるとともに、スピンしている半導体基板（３）の第１表面上に反応エッチング剤（７）を分注して基板（３）の表面における第１領域（８）をエッチングするステップを有する。同時に中和剤（９）を第１表面に分注して、表面（３）の第１領域（８）から流出したエッチング剤（９）を中和し、第１表面における基板（３）の端縁の近傍に位置する第１領域（８）とは別の領域（１０）を処理することを防ぐ。この処理はエッチングとすることができる。
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【課題】 厚さが薄く、より均一な表面を有するガラス基板を処理するためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、エッチング液を収容する容器と、容器内に離隔、対向して複数個設置されるローラーと、を含み、離隔、対向するローラー間にガラス基板を挿入してエッチング液とローラーの回転によってエッチングを行い、各ローラーには、スポンジパッド、ブラシ、又は水流発生用部材を備えたパッドが設置され、各ローラーにスポンジパッド又はブラシが設置される場合には、スポンジパッド又はブラシは、ガラス基板と接触するように設置され、各ローラーに水流発生用部材を備えたパッドが設置される場合には、水流発生用部材を備えたパッドは、ガラス基板と接触しないように設置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 取り扱いが容易で、下地層との高い選択性を有するハードマスクを用いた半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 埋込銅配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 絶縁膜１４，１５に配線溝を形成し、その配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜１５上に導電性バリア膜１８と銅の主導体膜１９を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線２０を形成する。そして、主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜２２を選択成長させてから、配線２０を埋込んだ絶縁膜１５上に絶縁膜２３〜２６を形成し、ビア３０が金属キャップ膜２２を貫通して主導体膜１９を露出するようにビア３０及び配線溝３１を形成し、ビア３０の底部で露出した主導体膜１９上にタングステンからなる金属キャップ膜３２を選択成長させた後に、ビア３０および配線溝３１の内部を含む絶縁膜２６上に導電性バリア膜３３と銅の主導体膜３４を形成し、ＣＭＰ法により不要な部分を除去して配線３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、個々の基板のエッチング量を容易に把握することができる基板処理方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、所定の薬剤を用いて基板をエッチングすることで、前記基板の板厚を薄くする基板処理方法であって、前記基板の被エッチング面に所定の凹部を形成する工程と、前記凹部の所定の箇所について、エッチング前後の寸法を計測する工程と、計測したエッチング前後の前記寸法に基づいて、前記基板のエッチング量を求める工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複雑な処理フローであっても総装置面積（フットプリント）及び設備費を増加させることなく実施することができ、その結果、高品質なエッチング加工を低コストで実現することができ、多品種少量生産に適合し、仕様の変更によって仕掛品が無駄になるリスクが小さく、被処理体の搬送に関わる様々な問題が発生しない湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチング装置を提供すること。
【解決手段】 エッチング／リンス／乾燥処理槽１には、飛散したエッチング液を回収する外槽２、上蓋３、および、通常のエッチング槽に装着されることの多い撹拌ポンプ４、排出バルブ５、クイックダンプバルブ６、バブリング気泡発生装置７および気泡分散板８を設ける。さらに、処理槽１には、エッチング液供給装置２０、純水供給装置３０および乾燥ガス供給装置４０を設け、単一の処理槽でエッチング処理、リンス処理および乾燥処理を行えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、高い平坦度と表裏のウェハ主面の平行度を要求される水晶ウェハのウェットエッチングに用いられる水晶ウェハの保持ジグを提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、水晶ウェハをエッチャントに浸漬してウェットエッチングする際に用いられる水晶ウェハの保持ジグにおいて、水晶ウェハの側面方向から水晶ウェハが、複数の略コの字形をした水晶ウェハ押えによって囲まれた領域内でエッチャント中では押えに触れずにとどめられることを特徴とし、また、水晶ウェハ押えの略先端部分に、エッチャントが通過する孔を有することを特徴とし、また、水晶ウェハ押え外形よりも大きな凹みをもつ板状の構造体の該凹みに入れられ、水晶ウェハがエッチャントのなかで揺動しながら保持されることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、エッチング量のばらつきの少ない圧電体ウェハーのウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、圧電体ウェハーのウェットエッチング装置において、水平方向に設けられた公転軸を軸心として回転するバレルと、このバレル内に設けられた自転軸を軸心として自転する圧電体ウェハーを収容するウェハー収容部と、バレルを挟み先の公転軸端を左右で保持し、かつウェットエッチング槽内を分ける板部と、エッチャントを攪拌するスクリューファンと、ヒーターと、蓋部を有することを特徴とし、また、エッチャントを攪拌するスクリューファンが、板部で仕切られバレルが配置される部分を除いたウェットエッチング槽内にそれぞれ配置されることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 排液による大気への連通を抑制することにより、減圧乾燥の効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給部１６から処理槽１に処理液を供給し、昇降ユニット７を処理槽１内に移動して基板Ｗを処理液に浸漬させる。その後、昇降ユニット７を処理槽１内から空間ＳＰへ移動して減圧部３１による減圧を行っても、外槽５の排出配管６７には密閉容器６９が設けてあるので、排出配管６７の下流から乾燥位置に気体が流入することが抑制される。したがって、十分に空間ＳＰ内を減圧することができ、減圧乾燥の効率を向上することができる。 （もっと読む）

シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】基板にムラ無く表面処理を施すことができる表面処理用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の表面処理用治具４は、基板２０、３０の裏面（一方の面）２０１、３０１全体を外部に露出させ、基板２０、３０の表面（他方の面）２０２、３０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。この表面処理用治具４は、全体が弾性材料で構成され、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔４２と、上側および下側の基板当接面４１ａ、４１ｂに開口する複数の凹部４３とが形成されている。貫通孔４２および凹部４３は、それぞれ、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具４を大気圧下に搬出することにより、貫通孔４２および凹部４３内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板２０、３０が表面処理用治具４に吸着・保持される。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンをエッチングにより形成する際のエッチング残渣を有効に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングされる材料層１８上にパターニングされたマスク層２０を形成し、マスク層２０をマスクとして材料層１８をエッチングして材料層１８をパターニングし、第１の温度でのドライ処理により、マスク層２０の表面側を除去し、残存したマスク層２０を、第１の温度よりも低い第２の温度でのウエット処理により除去して、マスク層２０上に乗っている欠片２２ａをリフトオフして除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハを混酸溶液でエッチングした後に、次の処理までの間にシリコン基板表面に生成されるステイン膜を、低コストで、かつ装置及びウェハ自身を汚染しないシリコンステイン膜の除去方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。ステイン膜除去液は、低コストで得ることができ、装置及びウェハ自身を汚染しないし、廃液処理が容易であり、環境負荷も低減する。 （もっと読む）

【課題】 基盤の材質を適切なものとすることにより、基盤からのウエハ剥がれを防止することができるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 基盤１１として、ウエハＷと同等の熱線膨張係数の材料を使用しているので、基盤１１がウエハＷに対して大きく膨張することがない。したがって、ワックスＨＭによる接着性が低下するのを防止することができるので、ウエハＷの剥離や基盤１１に対する位置ずれが生じることを防止でき、処理不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 基準面が変化せず、化学的な反応が可能な触媒作用を利用し、加工効率が高能率且つ数１０μｍ以上の空間波長領域の加工に適した触媒支援型化学加工方法を提案する。
【解決手段】 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲン化水素酸からなる処理液中に該被加工物を配し、白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒１を被加工物の加工面２に接触若しくは極接近させて配し、触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離して生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工する。 （もっと読む）

【課題】アッシング後に発生する部材由来のデポを効果的に除去でき、部材材料に対して安定した低腐食性を有し、低残留性および廃水処理の観点から適し、さらには水での希釈が可能な剥離剤組成物、該組成物を用いる半導体基板または半導体素子の剥離洗浄方法、ならびに該組成物を用いて剥離洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】分子性酸の共役塩基、分子性塩基の共役酸および水を含有する剥離剤組成物であって、以下（１）、（２）および（３）の特性を有する剥離剤組成物：（１）該共役塩基が２種以上の分子性酸の共役塩基である、（２）該２種以上の分子性酸の標準試験によるアルミナ溶解量が、それぞれ単独の分子性酸のアルミナ溶解量の最大値よりも大きい、（３）水の含有量が剥離剤組成物中50重量％以上である；ならびに該剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板の周縁部近傍における絶縁膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】
シリコン基板２上に第１の絶縁膜８を形成する工程と、第１の絶縁膜８上における周縁部近傍領域１２を除く領域にＳＯＧを形成する工程と、第１の絶縁膜上の凹部にＳＯＧを残すとともに、周縁部近傍領域１２の第１の絶縁膜８を除去して周縁部近傍領域１２のシリコン基板２の表面を露出させるエッチバック工程と、周縁部近傍領域１２を含むシリコン基板２上全体に、第２の絶縁膜１４を形成する工程と、を少なくとも備えた半導体装置の製造方法において、エッチバック処理後で、第２の絶縁膜１４を形成する前に、周縁部近傍領域１４のシリコン基板２表面に付着した不要物質を除去するための不要物除去工程をさらに備えている。 （もっと読む）