【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 剥離及び洗浄工程で基板への損傷を最小に抑え、低コストで低ダメージ、環境に優しいプロセスを実現することができる対象物処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 処理対象面を有する対象物に対して、剥離／洗浄／加工のいずれかを含む処理を行うための対象物処理装置に、大気圧または減圧雰囲気で前記対象物を載置するステージ部と、純水を所定値に加圧した加圧温水をノズル部に供給する加圧温水供給部と、処理対象面に対し、加圧温水または加圧温水と薬液との混合物を噴出するノズル部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は一つの軸に回転性と移動性が集中されないスキャニングアームを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体ウエーハ汚染物質捕集装置のスキャニングアームは、半導体ウエーハの汚染物質捕集装置のスキャニングアームにおいて、Ｘ軸部（１１）と；該Ｘ軸部（１１）に沿って前、後進移動するようにＸ軸部（１１）に垂直設置されたＺ軸部（１２）；および該Ｚ軸部（１２）で昇、下降するようにＺ軸部（１２）に設置されるＹ軸部（１３）から成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的なダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂よりも電気伝導率の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、基板Ｗの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、取り外し可能なバッキングを有するゴム弾性ステンシルを使用して、基板をパターン化するための方法、およびステンシルを調製する方法に関する。この方法によって形成される表面特徴は、５０μｍ未満の少なくとも１つの横寸法を有し、費用効果的、効率的、かつ再現可能な方法で、ありとあらゆる種類の基板がパターン化されることを可能にする。いくつかの実施形態では、除去するステップは、バッキング層を溶媒に曝露させるステップをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をレジスト組成物等で処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の側端面から、加工硬化層や無数のマイクロクラックを除去する基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理部４０は、主として本体部４０１と、送給部５と、回収部６とを備える。本体部４０１には、ガラス基板９０が遊挿されたときに、当該ガラス基板９０の側端面と端縁の表裏面を覆うことが可能な開口部４０３が設けられている。また、開口部４０３の内部には、供給口４０４および排出口４０５が設けられている。送給部５は、薬液送給部５０、純水送給部５１および熱風送給部５２を備えており、供給口４０４を介して開口部４３に連通接続される。また回収部６は、使用済薬液収容部６０、純水廃棄部６１および排気部６２を備えており、排出口を介して開口部４０３に連通接続される。 （もっと読む）

【課題】金属系薄膜のエッチングに使用されるエッチング液はいずれも強酸や強アルカリ、あるいは金属塩化物溶液等の人体に有害な液体であり、劇物や毒物であって、取り扱いや処理に特に気をつけなければならない材料であった。
【解決手段】非導電性基材２上に金属系薄膜導電層３と表面抵抗率が２×１０⁸Ω／□以下の値である非金属導電性膜４が、この順または逆順に直接積層されて設けられてなることを特徴とする、中性電解液でエッチング可能な積層体である。 （もっと読む）

【課題】２回のマスク工程によるライン線幅の臨界寸法の不均一性を改善させることができる半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】被エッチング層２０１上に第１エッチング阻止膜２０２を形成し、阻止膜上に第２エッチング阻止膜２０３を形成し、阻止膜上に第１犠牲膜を形成し、第１犠牲膜を選択的にエッチングして、第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンを含む阻止膜の上面に沿って第２犠牲膜２０９を形成し、第１犠牲パターンが露出するように、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングし、第１犠牲パターンを除去し、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングして、第２犠牲パターンを形成する。第２犠牲パターンをエッチングバリア層として、第１エッチング阻止膜をエッチングし、第２犠牲パターンと、第１エッチング阻止膜とをエッチングバリア層として、被エッチング層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板エッチング方法及びその装置を開示する。
【解決手段】 ガラス基板エッチング方法が開示される。まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して、前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。従って、ガラス基板エッチング工程の効率を改善し、ガラス基板の品質低下を防止することができる。 （もっと読む）

イオン注入された領域を有する基材から汚染を除去するための方法について記載されている。本方法は、基材にフッ素化溶媒と共溶媒とを含む組成物を、その基材からの汚染の除去を助けるのに十分な量で適用する工程を含む。汚染が除去されても、基材上の金属パターン又は他の所望の特徴は残存する。加えて、汚染を除去するための組成物は、使用者又は基材に対して有害ではない（すなわち、不燃性及び／又は非腐食性である）。
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【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】加工ヘッドによりフッ酸等のエッチャントをガラス基板、半導体基板等の被加工物の表面との間に連続的に供給し吸引する際に、加工ヘッド側の先端面の形状が高平坦度の加工に影響を及ぼす。
【解決手段】被加工物３の表面と相対的に移動しながら、被加工物３の表面に液状のエッチャント５を供給口４４から連続的に供給しつつ排出口４５から吸引して排出し、供給口４４と排出口４５との間に形成される被加工物３の表面と接触するエッチング領域により、被加工物３の表面をエッチング加工するための加工ヘッド２における供給口４４と排出口４５とが設けられているヘッド前端部４１を１部材により形成して前端面を無段差の平坦面に形成した。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アルカリ水溶液で金属不純物の付着がない、さらに洗浄能力を持つ水溶液組成物を提供する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式（１）


で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】除去可能な突起物を把握でき、半導体層の表面から突出する突起物を適切に除去することができる半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層５の表面から除去される突起物は、キャップ層５の表面に形成されたレジスト層２２の厚さよりも高い突起物Ａ１，Ｃ２に限定される。したがって、形成するレジスト層２２の厚さに基づいて、除去可能な突起物の高さを予め把握できるので、過不足のないエッチングによって、キャップ層５の表面から突出する突起物を適切に除去できる。レジスト層２２の厚さを変えながらステップＳ１１〜Ｓ１７を繰り返すことにより、ウエハの不必要なエッチングを防止しつつ、突起物をより完全に除去できる。 （もっと読む）

【課題】 基板の局所に所望の大きさの液体を形成させ、高精度なエッチング、メッキやコーティング等を、微小な局所においても高精度に行いうる局所表面処理方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 マイクロプローブ１１にメッキ液やエッチング液等の液体２１を付着させて、基板１２の所定の局所に付着させた後、マイクロプローブ１１と基板１２に電流を流し、基板１２界面での電気化学的反応を利用して、液体２１の接触角を変化させて接触面積を所望の大きさに制御する。所望の大きさに制御した液体２１を用いてメッキ、エッチングやコーティング等の局所表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の薄型化のためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】前記エッチング装置は、ガラス基板２０が付着できるジグ１０と、ガラス基板２０にエッチング液を噴射する噴射手段５４と、ジグ１０をエッチング装置の中に移送する進行ライン１２とで構成される。噴射手段５４とガラス基板２０との距離は、１００ｍｍ超過１５０ｍｍ以下の範囲にし、噴射圧力は０．５ｋｇ／ｃｍ^２未満にすることを特徴とする。本発明によれば、十分なエッチングが行われながらも、エッチングされたガラス基板２０の均一度を向上させることができ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】深さの異なる凹部を容易に且つ高精度に形成することができる結晶基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶基板１に深さの浅い第１の凹部と深い第２の凹部とを形成するマスクとして、第１の凹部を形成する第１の補正パターン２１と第２の凹部を形成する第２の補正パターン２２とを設けて当該結晶基板１を異方性エッチングすると共に、エッチング工程として、第２の補正パターン２２を用いて第２の凹部の深さ方向の途中までエッチングする第１のエッチング工程と、マスク１０の一部を除去して第１の補正パターン２１の長さと第２の補正パターン２２の残り長さを同じ長さにする除去工程と、第１の補正パターン２１及び第２の補正パターン２２とを用いて第１の凹部及び第２の凹部を形成する第２のエッチング工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】非接触式の駆動力伝達装置において従動軸や駆動軸を比較的低剛性で支持できるようにする。
【解決手段】チャンバ１０内の主ローラ１６ａを当該チャンバ１０の外側から非接触で駆動する装置。側壁１１を挟んで主ローラ１６ａと駆動軸１７とが同軸上に配置される。主ローラ１６ａおよび駆動軸１７の末端には、回転体３０Ａ，３０Ｂがそれぞれ組み付けられる。これら回転体３０Ａ，３０Ｂには、主ローラ１６ａと駆動軸１７との間に磁気的吸引力を生じさせる第１磁石部と、磁気的反発力を生じさせる第２磁石部とが設けられる。第１磁石部は、軸心回りに極性の異なる磁石３４，３５が交互に配列されてなり、第２磁石部は、各回転体３０Ａ，３０Ｂの軸心にそれぞれ設けられる同極性の磁石３６からなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で且つ短時間で、多数のウェーハ形状材料のエッジの不純物回収、洗浄、及びエッチングが可能な装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ形状材料を実質的に垂直で保持しながら回転させるウェーハ回転手段を備えたウェーハ回転装置と、ウェーハの保持装置と、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する装置とを備えているウェーハエッジの不純物回収装置であって、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する手段としての薬液ホルダーと、少なくともウェーハの一部を前記薬液ホルダーの薬液に浸漬させた状態でウェーハをシーケンシャルに、ウェーハの所定部分を所定の回転速度で回転させるウェーハ回転手段を備え、薬液にウェーハを接触させた状態で回転させることにより、ウェーハのエッジ部から不純物を溶出させ、回収する。 （もっと読む）