シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 気体供給管の周囲を保護することにより、処理液の供給に起因するノイズを抑制して制御への悪影響を防止することができる。
【解決手段】 気体供給管２５の検出端３５の側方が検出端用保護部材５１で囲われているので、噴出管から供給された処理液が直接的に検出端３５付近に流れ込むことがなく、その液流による影響が防止できる。したがって、液流による検出端３５付近の圧力変動が防止でき、圧力検出部が検出する圧力変動が抑制でき、処理液の液流に起因するノイズを抑制できる。その結果、濃度制御部による圧力に応じた濃度制御に対する悪影響を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板にムラ無く表面処理を施すことができる表面処理用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の表面処理用治具４は、基板２０、３０の裏面（一方の面）２０１、３０１全体を外部に露出させ、基板２０、３０の表面（他方の面）２０２、３０２は外部から保護されるように、吸着・保持するものである。この表面処理用治具４は、全体が弾性材料で構成され、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔４２と、上側および下側の基板当接面４１ａ、４１ｂに開口する複数の凹部４３とが形成されている。貫通孔４２および凹部４３は、それぞれ、基板２０の表面２０２および基板３０の表面３０２とで、閉空間を画成（形成）する。そして、この閉空間を減圧した後、表面処理用治具４を大気圧下に搬出することにより、貫通孔４２および凹部４３内の圧力と大気圧との差（差圧）により、基板２０、３０が表面処理用治具４に吸着・保持される。 （もっと読む）

【課題】 金又は金合金をエッチングするにあたり、高いエッチング速度をもち、かつ金又は金合金のみを高い選択性をもってエッチングでき、他の金属膜の腐食を抑制できる、エッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成された金又は金を含む合金よりなる薄膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくともヨウ素、ヨウ素化合物及びｐＨ緩衝剤を含み、ｐＨが６〜８の範囲であるエッチング液及びこれを用いたエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 基準面が変化せず、化学的な反応が可能な触媒作用を利用し、加工効率が高能率且つ数１０μｍ以上の空間波長領域の加工に適した触媒支援型化学加工方法を提案する。
【解決手段】 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲン化水素酸からなる処理液中に該被加工物を配し、白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒１を被加工物の加工面２に接触若しくは極接近させて配し、触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離して生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工する。 （もっと読む）

【課題】アッシング後に発生する部材由来のデポを効果的に除去でき、部材材料に対して安定した低腐食性を有し、低残留性および廃水処理の観点から適し、さらには水での希釈が可能な剥離剤組成物、該組成物を用いる半導体基板または半導体素子の剥離洗浄方法、ならびに該組成物を用いて剥離洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】分子性酸の共役塩基、分子性塩基の共役酸および水を含有する剥離剤組成物であって、以下（１）、（２）および（３）の特性を有する剥離剤組成物：（１）該共役塩基が２種以上の分子性酸の共役塩基である、（２）該２種以上の分子性酸の標準試験によるアルミナ溶解量が、それぞれ単独の分子性酸のアルミナ溶解量の最大値よりも大きい、（３）水の含有量が剥離剤組成物中50重量％以上である；ならびに該剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な磁気抵抗記憶素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＭＲ素子６０ａは、磁性膜からなるピン層６５、非磁性絶縁膜からなるトンネル絶縁層６６および磁性膜からなるフリー層６７をこの順に堆積した構成からなる。ＴＭＲ素子６０ａは、それぞれ同一平面形状を有するピン層６５、トンネル絶縁層６６およびフリー層６７において、トンネル絶縁層６６の側壁に切れ込みを形成したサイドエッチ構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液１１が満たされたエッチング槽１２と、エッチング槽１２の底部１２ａに設けられたホットプレート１３と、液面１１ａ付近に設けられた冷却器１４と、被処理面１５ａを下方に向けてエッチング液１１に浸漬された基板１５を保持する基板保持具１６等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第１液温に加熱し、冷却器１４により液面１１ａ付近のエッチング液１１を第１液温よりも低い第２液温に設定することで、エッチング液１１の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面１５ａに接触させる。 （もっと読む）

Ｓｉ／ＳｉＯ_２パターン付きの半導体ウェーハ表面から、ケイ素窒化物およびケイ素酸化物などのケイ素含有粒状物質を除去するための方法および組成物が記載される。該組成物は、超臨界流体（ＳＣＦ）、エッチング液種、共溶媒、表面不活性化剤、バインダー、脱イオン水、および任意に界面活性剤を含む。ＳＣＦベースの組成物は、次の加工の前に、ウェーハ表面から汚染粒状物質を実質的に除去し、これにより半導体デバイスのモルフォロジ、性能、信頼度、及び歩留まりが向上される。

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発泡体を用いて、汚染物を含む表面を有する半導体基材を洗浄するか、化学処理を行う装置及び方法が開示される。半導体ウェーハは、剛体の支持体（又は発泡体の層）の上に支持され、半導体ウェーハが支持される間に、発泡体が半導体ウェーハの対向する表面に供給される。半導体ウェーハに接触する発泡体は、型を用いて加圧され、圧密発泡体が生成される。次に、型と半導体ウェーハとの間の相対的運動、例えば、半導体ウェーハの上面表面に平行及び／又は垂直な周期変動が誘起され、その間に、圧密発泡体が半導体ウェーハに接触して、望ましくない汚染物が除去されるか、及び／又は発泡体により半導体ウェーハの表面が化学的に処理される。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）